一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法技术

本发明专利技术提供一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，在阳极设计图中，阳极图案层包括按行排列的阳极电极，每行阳极电极沿第一方向排列，每个阳极电极对应连接一桥接结构，桥接结构位于相邻两行阳极电极之间的行间隙中，包括如下步骤：步骤A1，于TFT器件层上制作平坦化层；步骤A2，依次通过ITO成膜

【技术实现步骤摘要】
一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法


[0001]本专利技术涉及显示面板制造
，尤其涉及一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法。

技术介绍

[0002]OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode)，又称为有机电激光显示、有机发光半导体(Organic Electroluminescence Display，OLED)。OLED属于一种电流型的有机发光器件，是通过载流子的注入和复合而致发光的现象，发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下，阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，迁移到发光层。当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。Pad以及笔电用中尺寸OLED产品因阳极AE CD尺寸较大，会导致阳极ITO残留，如图1所示，引起二连亮点问题。

技术实现思路

[0003]基于上述问题，本专利技术提供一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，旨在解决现有技术中OLED显示面板阳极ITO残留的技术问题。
[0004]一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，在阳极设计图中，阳极图案层包括按行排列的阳极电极，每行阳极电极沿第一方向排列，每个阳极电极对应连接一桥接结构，桥接结构位于相邻两行阳极电极之间的行间隙中，包括如下步骤：
[0005]步骤A1，于TFT器件层上制作平坦化层；
[0006]步骤A2，依次通过ITO成膜
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曝光
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显影
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蚀刻
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剥离子步骤在平坦化层上形成阳极图案层，其中，在曝光子步骤中，调用阳极设计图，旋转阳极设计图，使得第一方向与显影子步骤中的显影液的流动方向相同，之后执行显影子步骤；
[0007]步骤A3，在阳极图案层上制作像素层。
[0008]进一步的，在阳极设计图中，每行阳极电极对应的桥接结构沿第一方向排列成行；
[0009]每行阳极电极对应的一行桥接结构与相邻的一行阳极电极之间的间隙对应。
[0010]进一步的，在阳极设计图中，阳极图案层包括相邻两行阳极电极形成的一组阳极电极；
[0011]在每组阳极电极中，上行阳极电极对应的一行桥接结构与下行阳极电极之间的间隙对应，下行阳极电极对应的一行桥接结构与上行阳极电极之间的间隙对应。
[0012]进一步的，在每组阳极电极中，两行阳极电极对应的桥接结构均设置在两行阳极电极之间的行间隙中。
[0013]进一步的，在平坦化层设计图中，平坦化层上具有若干凸起，凸起设置在相邻两行阳极电极形成的行间隙中；
[0014]在步骤A1中，调用平坦化层设计图，在TFT器件层上制作平坦化层以及凸起。
[0015]进一步的，在步骤A2中，依次通过ITO成膜
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曝光
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显影
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蚀刻
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剥离子步骤形成阳极
图案层；其中，在曝光子步骤中，调用阳极设计图，使第一方向与显影子步骤中的显影液的流动方向垂直，之后执行显影子步骤。
[0016]进一步的，在阳极设计图中，阳极图案层包括相邻两行阳极电极形成的一组阳极电极；
[0017]凸起设置在每组阳极电极内的两行阳极电极之间的行间隙中。
[0018]进一步的，凸起的高度大于2微米。
[0019]本专利技术的有益技术效果在于：通过在阳极图案层制作过程中，将阳极电极排列的行方向与显影液的流动方向一致，从而增加显影液流动，提高显影能力，改善ITO残留。
附图说明
[0020]图1为现有技术的阳极图案层以及与显影液的流动方向之间的关系图；
[0021]图2为本专利技术一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法的步骤流程图；
[0022]图3为本专利技术一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法一种实施方式阳极图案层与显影液的流动方向的示意图；
[0023]图4为本专利技术一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法的另一种实施方式的阳极图案层的结构图；、
[0024]图5为本专利技术一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法的另一种实施方式的阳极图案层的结构图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0027]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。
[0028]参见图2
‑
3，本专利技术提供一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，在阳极设计图中，阳极图案层包括按行排列的阳极电极(1)，每行阳极电极(1)沿第一方向排列，每个阳极电极(1)对应连接一桥接结构(2)，桥接结构(2)位于相邻两行阳极电极(1)之间的行间隙中，包括如下步骤：
[0029]步骤A1，于TFT器件层上制作平坦化层；
[0030]步骤A2，依次通过ITO成膜
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曝光
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显影
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蚀刻
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剥离子步骤在平坦化层上形成阳极图案层，其中，在曝光子步骤中，调用阳极设计图，旋转阳极设计图，使得第一方向与显影子步骤中的显影液的流动方向相同，之后执行显影子步骤；
[0031]步骤A3，在阳极图案层上制作像素层。
[0032]在制作过程中，在步骤A1之前还包括制作TFT器件层的步骤，之后在TFT层上制作平坦化层即PLN层，之后在平坦化层PLN至上制作阳极图案层即AE层，之后在AE层上制作像素层，制作像素层包括先制作像素定义层PD，在像素定义层中显影出RGB图案开口，之后在
RGB图案开口中填充RGB各像素单元。一个阳极电极(1)对应一个像素单元。在阳极图案层制作过程中，调用预先设计好的阳极设计图，根据阳极设计图对ITO成膜进行曝光、显影。在本专利技术的第一实施方式中，通过在阳极图案层制作过程中，旋转阳极设计图，将阳极电极(1)排列的行方向与显影液的流动方向一致，从而增加显影液流动，提高显影能力，改善ITO残留。
[0033]参见图4，作为本专利技术的第二个实施方式，在阳极设计图中，每行阳极电极(1)对应的桥接结构(2)沿第一方向排列成行；
[0034]每行阳极电极(1)对应的一行桥接结构(2)与相邻的一行阳极电极(1)之间的间隙对应。
[0035]通过将桥接结构(2)设置成与上一行或者下一行阳极电极(1)之间的间隙对应，相比于现有技术中桥接结构(2)未全部与一行阳极电极(1)之间的间隙对应设置，可以增加显影液的流动能力，提升显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，其特征在于，在阳极设计图中，阳极图案层包括按行排列的阳极电极，每行所述阳极电极沿第一方向排列，每个所述阳极电极对应连接一桥接结构，所述桥接结构位于相邻两行所述阳极电极之间的行间隙中，包括如下步骤：步骤A1，于TFT器件层上制作平坦化层；步骤A2，依次通过ITO成膜
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曝光
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显影
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蚀刻
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剥离子步骤在所述平坦化层上形成所述阳极图案层，其中，在曝光子步骤中，调用所述阳极设计图，旋转所述阳极设计图，使得所述第一方向与显影子步骤中的显影液的流动方向相同，之后执行所述显影子步骤；步骤A3，在所述阳极图案层上制作像素层。2.如权利要求1所述的一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，其特征在于，在所述阳极设计图中，每行所述阳极电极对应的所述桥接结构沿所述第一方向排列成行；每行所述阳极电极对应的一行所述桥接结构与相邻的一行所述阳极电极之间的间隙对应。3.如权利要求2所述的一种改善OLED显示面板阳极ITO残留的方法，其特征在于，在所述阳极设计图中，所述阳极图案层包括相邻两行所述阳极电极形成的一组阳极电极；在每组阳极电极中，上行所述阳极电极对应的一行桥接结构与下行所述阳极电极之间的间隙对应，下行所述阳极电极对应的一行桥接结构与上行所述阳...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵星，张琼琼，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：