集成电路和高频模块制造技术

集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。基材(71)及第二基材(72)接触。基材(71)及第二基材(72)接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】集成电路和高频模块


[0001]本专利技术涉及一种集成电路和高频模块。

技术介绍

[0002]在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂化。
[0003]在专利文献1的高频模块中，通过在配置在封装基板上的功率放大器的上方层叠控制器来实现高频模块的小型化。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：美国专利申请公开第2017/0338847号说明书

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]然而，在上述以往技术中，有时由功率放大器产生的热的排出不充分，功率放大器的特性由于热而劣化。
[0009]因此，本专利技术提供一种能够有助于高频模块的小型化、且能够抑制因热引起的功率放大电路的特性的劣化的集成电路和高频模块。
[0010]用于解决问题的方案
[0011]本专利技术的一个方式所涉及的集成电路具备：第一基材，该第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材形成有电气电路；第二基材，该第二基材的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材形成有功率放大电路；以及高热导构件，该高热导构件的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件配置于电气电路与功率放大电路之间，其中，在俯视视图中，高热导构件的至少一部分与第一基材的至少一部分及第二基材的至少一部分重叠，高热导构件与第一基材及第二基材接触。
[0012]本专利技术的一个方式所涉及的集成电路具备：第一基材，该第一基材的至少一部分由硅或氮化镓构成，在该第一基材形成有电气电路；第二基材，该第二基材的至少一部分由砷化镓或硅锗构成，在该第二基材形成有功率放大电路；以及高热导构件，该高热导构件的至少一部分由铜构成，该高热导构件配置于电气电路与功率放大电路之间，其中，在俯视视图中，高热导构件的至少一部分与第一基材的至少一部分及第二基材的至少一部分重叠，高热导构件与第一基材及第二基材接触。
[0013]专利技术的效果
[0014]根据本专利技术的一个方式所涉及的集成电路，能够有助于高频模块的小型化、且能够抑制因热引起的功率放大电路的特性的劣化。
附图说明
[0015]图1是实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
[0016]图2是实施方式所涉及的高频模块的俯视图。
[0017]图3是实施方式所涉及的高频模块的截面图。
[0018]图4是实施方式所涉及的高频模块的部分截面图。
[0019]图5是实施方式所涉及的高频模块的部分截面图。
[0020]图6是实施方式所涉及的集成电路内的电路配置图。
具体实施方式
[0021]下面，使用附图来详细说明本专利技术的实施方式。此外，以下所说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等是一例，其主旨并不在于限定本专利技术。
[0022]此外，各图是为了示出本专利技术而适当进行了强调、省略或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略重复的说明或者简化重复的说明。
[0023]在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。具体地说，在俯视视图中模块基板具有矩形形状的情况下，x轴与模块基板的第一边平行，y轴与模块基板的同第一边正交的第二边平行。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
[0024]在本专利技术的电路结构中，“连接”是指不仅包括通过连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”是指在A与B之间同A及B双方连接。
[0025]在本专利技术的部件配置中，“俯视”是指从z轴正侧将物体正投影到xy平面来进行观察。“在俯视视图中，A与B重叠”是指A的正投影到xy平面的区域与B的正投影到xy平面的区域重叠。“在俯视视图中，A与B重叠”是指A的正投影到xy平面的区域与B的正投影到xy平面的区域重叠。“在俯视视图中，A配置于B与C之间”是指将B的投影到xy平面的区域内的任意的点与C的投影到xy平面的区域内的任意的点连结的多个线段中的至少一个线段通过A的投影到xy平面的区域。“截面视图”是指在与xy平面垂直的截面处切断来进行观察。“在截面视图中，A配置于B与C之间”是指在与xy平面垂直的截面内，将B的区域内的任意的点与C的区域内的任意的点连接的多个线段中的至少一个线段通过A的区域。另外，“平行”和“垂直”等表示要素间的关系性的用语、“矩形”等表示要素的形状的用语以及数值范围不是仅表示严格的意思，还包括实质上同等的范围，例如百分之几左右的误差。
[0026]另外，“部件配置于基板”是指除了包括部件以与基板接触的状态配置于基板上的情况以外，还包括部件不与基板接触地配置于基板的上方的情况(例如部件层叠在配置于基板上的其它部件上的情况)以及部件的一部分或全部以被嵌入到基板内的方式来配置的情况。另外，“部件配置于基板的主面”是指除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置于主面上的情况以外，还包括部件不与主面接触地配置于主面的上方的情况以及部件的一部分以从主面侧被嵌入到基板内的方式来配置的情况。
[0027]在本专利技术的材料结构中，“物体A由材料B构成”是指A的主成分是B。在此，主成分是
指物体所包含的多个成分中的具有最大的重量比率的成分。
[0028](实施方式)
[0029][1.1高频模块1和通信装置5的电路结构][0030]参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和具备该高频模块1的通信装置5的电路结构。图1是实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[0031][1.1.1通信装置5的电路结构][0032]如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)3以及BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)4。
[0033]高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的内部结构将在后面叙述。
[0034]天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，从外部接收高频信号后将该高频信号向高频模块1输出。
[0035]RFIC 3是处理高频信号的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3将经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将进行该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3具有对高频模块1所具有的开关电路和放大电路等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种集成电路，具备：第一基材，所述第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成，在所述第一基材形成有电气电路；第二基材，所述第二基材的至少一部分由具有比所述第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在所述第二基材形成有功率放大电路；以及高热导构件，所述高热导构件的至少一部分由具有比所述第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，所述高热导构件配置于所述电气电路与所述功率放大电路之间，其中，在俯视视图中，所述高热导构件的至少一部分与所述第一基材的至少一部分及所述第二基材的至少一部分重叠，所述高热导构件与所述第一基材及所述第二基材接触。2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述高热导构件具有与所述第一基材接触的第一面以及位于与所述第一面相反的一侧且与所述第二基材接触的第二面。3.根据权利要求1或2所述的集成电路，其中，在俯视视图中，所述高热导构件的至少一部分与所述功率放大电路的至少一部分重叠。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述功率放大电路包括晶体管作为放大元件，在俯视视图中，所述高热导构件的至少一部分与所述晶体管的至少一部分重叠。5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述功率放大电路是多级放大电路，所述晶体管是输出级晶体管。6.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一基材具有：第三面，其与所述高热导构件的所述第一面接触；以及第一电极，其配置于所述第三面。7.根据权利要求2或6所述的集成电路，其中，所述第二基材具有：第四面，其与所述高热导构件的所述第二面接触；第五面，其位于与所述第四面相反的一侧；以及第二电极，其配置于所述第五面。8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，在俯视视图中，所述第二电极的至少一部分与所述功率放大电路的至少一部分重叠。9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述功率放大电路包括晶体管作为放大元件，在俯视视图中，所述第二电极的至少一部分与所述晶体管的至少一部分重叠。10.根据权利要求9所述的集成电路，其中，所述功率放大电路是多级...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口幸哉，上岛孝纪，津田基嗣，竹松佑二，吉见俊二，荒屋敷聪，佐俣充则，后藤聪，佐佐木丰，青池将之，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：