与门保护电路制造技术

技术编号:38530232 阅读:22 留言:0更新日期:2023-08-19 17:04
本申请公开了一种与门保护电路。其中,该与门保护电路包括:逻辑非运算模块,包括:反相器与第一组与门,其中,第一组与门的两组输入端,分别连接至控制器的控制信号输出端和控制器的选通信号输出端;控制模块,包括:第二组与门,第二组与门中各个与门的输入端连接至第一组与门各个与门的输出端,第二组与门中与门的输入端与第一组与门中与门的输出端一一对应,第二组与门中各个与门的输出端分别连接至场效应管。本申请解决了由于在相关电路设计中,MOS晶体管通过控制器进行控制,但当控制器的传输信号发生错误或信号延时造成的MOS晶体管在正负电压下同时工作,导致电路短路的技术问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
与门保护电路


[0001]本申请涉及电路领域,具体而言,涉及一种与门保护电路。

技术介绍

[0002]通常在电路设计中,MOS晶体管通过控制器,例如MCU微控制单元进行控制,但当MCU微控制单元的传输信号发生错误或信号延时,造成MOS晶体管在正负电压下同时工作,从而导致电路发生短路。
[0003]在相关技术中,电路检测通过MCU控制单元的引脚进行检测,采集MOS晶体管的控制信号,通过程序设置延时时间,防止程序出错或信号延时而导致的电路问题,但由于MCU微控制单元的采集速度和响应时间都存在限制,导致处理进程存在一定延迟,且只依靠软件程序进行控制,安全性较差。
[0004]针对上述的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种与门保护电路,以至少解决由于在相关电路设计中,MOS晶体管通过控制器进行控制,但当控制器的传输信号发生错误或信号延时造成的MOS晶体管在正负电压下同时工作,导致电路短路的技术问题。
[0006]根据本申请实施例的一方面,还提供了一种与门保护电路,包括:逻辑非运算模块,包括:反相器与第一组与门,其中,第一组与门的两组输入端分别连接至控制器的控制信号输出端与控制器的选通信号输出端,每组输入端中包括第一组与门中各个与门的其中一个输入端,反相器用于对第一组与门所有输入端中的一个输入端输入的选通信号进行逻辑非运算,反相器设置在选通信号输出端和第一组与门之间;控制模块,包括:第二组与门,第二组与门中各个与门的输入端连接至第一组与门中各个与门的输出端,第二组与门中与门的输入端与第一组与门中与门的输出端一一对应,第二组与门中各个与门的输出端分别连接至场效应管,第二组与门中各个与门的输出端输出的处理信号用于控制场效应管输出预定大小的正电压或者预定大小的负电压。
[0007]可选地,第一组与门包括:第一与门、第二与门,第一与门与第二与门的第一输入端连接至控制信号输出端,以接收控制信号输出端输出的控制信号。
[0008]可选地,第一与门的第二输入端与第二与门的第二输入端连接至控制器的选通信号输出端,以接收选通信号输出端输出的选通信号。
[0009]可选地,反相器设置在第一与门的第二输入端与控制器的选通信号输出端之间连接的第一支路上,以用于对第一与门的第二输入端输入的选通信号进行逻辑非运算。
[0010]可选地,第二组与门包括:第三与门、第四与门,第三与门的第一输入端与第一与门的输出端连接,第四与门的第一输入端与第二与门的输出端连接。
[0011]可选地,第三与门的输出端与第四与门的输出端连接至场效应管,第三与门的输出端输出的处理信号用于控制场效应管是否输出预定大小的正电压,第四与门的输出端输
出的处理信号用于控制场效应管是否输出预定大小的负电压;或者,第三与门的输出端输出的处理信号用于控制场效应管是否输出预定大小的负电压,第四与门的输出端输出的处理信号用于控制场效应管是否输出预定大小的正电压。
[0012]可选地,控制模块还包括:锁存模块,与第三与门的第二输入端,以及第四与门的第二输入端连接。
[0013]可选地,锁存模块包括:第五与门,以及锁存器,其中,锁存器的输入端分别连接至检测信号及控制器的复位信号的输出端,锁存器的输出端连接至第五与门的第一输入端,第五与门的第二输入端连接至控制器的启动信号的输出端,第五与门依据启动信号和来自锁存器的输出端的信号确定输出信号。
[0014]可选地,第五与门的输出端连接至第三与门的第二输入端与第四与门的第二输入端,第三与门依据来自第一与门的输出端的信号和来自第五与门的输出信号确定相应的处理信号,第四与门依据来自第二与门的输出端的信号和来自第五与门的输出信号确定相应的处理信号。
[0015]可选地,逻辑非运算模块包括RC电路,RC电路设置在控制器的选通信号输出端和第一组与门之间,RC电路用于对来自控制器的选通信号输出端的选通信号进行延时。
[0016]在本申请实施例中,采用与门电路添加选通信号的方式,通过逻辑非运算模块,包括:反相器与第一组与门,其中,第一组与门的两组输入端,分别连接至控制器的控制信号输出端和控制器的选通信号输出端;控制模块,包括:第二组与门,第二组与门中各个与门的输入端连接至第一组与门各个与门的输出端,第二组与门中与门的输入端与第一组与门中与门的输出端一一对应,第二组与门中各个与门的输出端分别连接至场效应管,以用于控制场效应管输出预定大小的正电压或者预定大小的负电压,达到了防止正负电压同时释放,避免电路发生短路,从而对电路达到了保护的目的,从而使得可以输出正负电压的MOS晶体管在不同区间工作的技术效果,进而解决了由于在相关电路设计中,MOS晶体管通过MCU微控制单元进行控制,但当MCU微控制单元的传输信号发生错误或信号延时造成的MOS晶体管在正负电压下同时工作,导致电路短路技术问题。
附图说明
[0017]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
[0018]图1是根据本申请实施例的一种与门保护电路的装置结构示意图;
[0019]图2是根据本申请实施例的一种逻辑框图的示意图;
[0020]图3是根据本申请实施例的一种仿真电路的示意图;
[0021]图4是根据本申请实施例的一种仿真波形的示意图;
[0022]图5是根据本申请实施例的一种实际电路的示意图。
具体实施方式
[0023]为了使本
的人员更好地理解本申请方案,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本申请保护的范围。
[0024]需要说明的是,本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外,术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0025]为了便于本领域技术人员更好的理解,本申请相关实施例,现对本申请可能涉及的技术术语或者部分名词进行解释:
[0026]MOS管(Metal

Oxide

Semiconductor Field

Effect Transistor):金属

氧化物半导体本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种与门保护电路,其特征在于,包括:逻辑非运算模块,包括:反相器与第一组与门,其中,所述第一组与门的两组输入端分别连接至控制器的控制信号输出端与所述控制器的选通信号输出端,每组输入端中包括所述第一组与门中各个与门的其中一个输入端,所述反相器用于对所述第一组与门所有输入端中的一个输入端输入的选通信号进行逻辑非运算,所述反相器设置在所述选通信号输出端和所述第一组与门之间;控制模块,包括:第二组与门,所述第二组与门中各个与门的输入端连接至所述第一组与门中各个与门的输出端,所述第二组与门中与门的输入端与所述第一组与门中与门的输出端一一对应,所述第二组与门中各个与门的输出端分别连接至场效应管,所述第二组与门中各个与门的输出端输出的处理信号用于控制所述场效应管输出预定大小的正电压或者所述预定大小的负电压。2.根据权利要求1所述的与门保护电路,其特征在于,所述第一组与门包括:第一与门、第二与门,所述第一与门与所述第二与门的第一输入端连接至所述控制信号输出端,以接收所述控制信号输出端输出的所述控制信号。3.根据权利要求2所述的与门保护电路,其特征在于,所述第一与门的第二输入端与所述第二与门的第二输入端连接至所述控制器的选通信号输出端,以接收所述选通信号输出端输出的所述选通信号。4.根据权利要求3所述的与门保护电路,其特征在于,所述反相器设置在所述第一与门的第二输入端与所述控制器的选通信号输出端之间连接的第一支路上,以用于对所述第一与门的第二输入端输入的所述选通信号进行逻辑非运算。5.根据权利要求2所述的与门保护电路,其特征在于,所述第二组与门包括:第三与门、第四与门,所述第三与门的第一输入端与所述第一与门的输出端连接,所述第四与门的第一输入端与所述第二与门的输出端连接。6...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘志宇张源钰鲁海洋徐宏
申请(专利权)人:杭州堃博生物科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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