晶体管、电子器件及终端设备制造技术

本申请提供了一种晶体管、电子器件及终端设备，能够提升晶体管的ESD能力。该晶体管包括沟道、源极、漏极、栅极、设置于沟道两侧的隔离区、位于栅极背离沟道一侧的源场板；其中，源场板与源极电连接，源场板包括主场板和副场板；主场板与栅极部分重叠，主场板的一个侧部越过栅极、并沿沟道向漏极延伸；主场板的第一端沿着垂直沟道的方向，越过沟道进入所述隔离区；副场板处于沟道与隔离区的交界处，自主场板沿着沟道向源极方向延伸。着沟道向源极方向延伸。着沟道向源极方向延伸。着沟道向源极方向延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：乐伶聪，戴淑君，李小刚，胡荟兰，蒋浩，曾畅，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：