一种喷淋头制造技术

本实用新型专利技术提供了一种喷淋头。喷淋头包括：喷淋头本体，包括上盖板、喷淋板及RPS通道；射频引入杆，设于RPS通道，其中，射频引入杆的上端连接射频电源，射频引入杆的下端与喷淋板的中心相连，并经由喷淋板的中心将射频功率引入下方的反应腔；以及波纹管，设于喷淋头本体与射频电源之间，用于补偿射频引入杆的热膨胀。通过将射频引入杆连接到喷头顶板的中心点，该喷淋头可确保电场相对于喷头中心轴的对称性。称性。称性。

【技术实现步骤摘要】
一种喷淋头


[0001]本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种喷淋头。

技术介绍

[0002]半导体领域中，在化学气相沉积设备中一般会同时要求电加热和射频导入。在本领域目前的现有技术中，电加热功能与射频导入功能的耦合中，会出现热稳定性差以及热损失等问题。
[0003]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种喷淋头，用于确保电场相对于喷淋头中心轴的对称性。

技术实现思路

[0004]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
[0005]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种喷淋头，能够确保电场相对于喷淋头中心轴的对称性。
[0006]具体来说，根据本技术提供的上述反喷淋头包括：喷淋头本体，包括上盖板、喷淋板及RPS(Remote Plasma System)通道；射频引入杆，设于所述RPS通道，其中，所述射频引入杆的上端连接射频电源，所述射频引入杆的下端与所述喷淋板的中心相连，并经由所述喷淋板的中心将射频功率引入下方的反应腔；以及波纹管，设于所述喷淋头本体与所述射频电源之间，用于补偿所述射频引入杆的热膨胀。
[0007]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述喷淋头本体中还包括电加热部，所述上盖板位于所述喷淋头本体的上部，用于分隔空气侧及真空侧，所述电加热部被设置于所述真空侧。
[0008]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述射频引入杆由多芯电材料围绕，用于进行电隔离，并防止所述射频引入杆周围的真空空间中产生电弧。
[0009]进一步地，在本技术的一些实施例中，所属喷淋头还包括陶瓷适配器，其中，所述陶瓷适配器位于所述上盖板之下，用于连接所述喷淋板与所述上盖板，并对所述喷淋板与所述上盖板进行电隔离。
[0010]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述陶瓷适配器包括顶部平衬垫及侧面圆形衬垫，其中，所述顶部平衬垫设于所述上盖板，用于覆盖所述喷淋板，以实现射频电隔离。
[0011]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述喷淋头还包括外部吹扫入口，其中，所述外部吹扫入口位于所述上盖板，用于驱动外部吹扫气体流过所述喷淋板与所述侧面圆形衬垫之间的侧间隙，以吹扫所述喷淋板与所述上盖板之间的非反应空间。
[0012]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述喷淋头还包括反应气体引入块，其中，所述反应气体引入块连接所述RPS通道，并配置有筒式加热器，所述筒式加热器用于在所述反应气体进入所述喷淋头之前，独立预加热所述反应气体。
[0013]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述RPS通道中包括多条独立流道，用于分别引入远程等离子体和/或至少一种所述反应气体。
[0014]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述射频引入杆的顶端设有射频连接器，其中设有插入孔，所述射频电源的射频同轴电缆插头插入所述插入孔中，连接所述射频引入杆的上端，以实现射频功率的引入。
[0015]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述射频连接器包括第一压套、第二压套及密封圈，其中，所述第一压套设于所述喷淋头本体，所述第二压套设于所述射频电源，所述第一压套和/或所述第二压套上设有密封圈安装槽，在所述第一压套连接所述第二压套时挤压其中的所述密封圈，以实现所述喷淋头本体与所述射频电源的密封连接。
[0016]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述喷淋头还包括内部吹扫入口，其中，所述内部吹扫入口连接所述波纹管，用于驱动内部吹扫气体流过所述射频引入杆与所述RPS通道之间的间隙，以吹扫所述喷淋板的中心区域。
[0017]进一步地，在本技术的一些实施例中，所述喷淋板包括顶板、缓冲板及喷淋面板，其中，所述射频引入杆的下端与所述顶板的中心相连，所述缓冲板设于所述顶板之下，用于在所述喷淋面板之上缓冲所述内部吹扫气体。
附图说明
[0018]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0019]图1示出了根据本技术的一些实施例提供的喷淋头的剖视示意图。
[0020]图2示出了根据本技术的一些实施例提供的喷淋头上部的剖视示意图。
[0021]图3示出了根据本技术的一些实施例提供的喷淋头下部的剖视示意图。
[0022]图4示出了根据本技术的一些实施例提供的电加热部的剖视示意图。
具体实施方式
[0023]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。虽然本技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此技术的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作技术介绍的目的是为了覆盖基于本技术的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本技术的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本技术也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本技术的重点，有些具体细节将在描述中被省略。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，
可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本技术的限制。
[0026]能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本技术一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。
[0027]如上所述，半导体领域中，在化学气相沉积设备中一般会同时要求电加热和射频导入。在本领域目前的现有技术中，电加热功能与射频导入功能的耦合中，会出现热稳定性差以及热损失等问题。
[0028]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种喷淋头，能够确保电场相对于喷淋头中心轴的对称性。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷淋头，其特征在于，包括：喷淋头本体，包括上盖板、喷淋板及RPS通道；射频引入杆，设于所述RPS通道，其中，所述射频引入杆的上端连接射频电源，所述射频引入杆的下端与所述喷淋板的中心相连，并经由所述喷淋板的中心将射频功率引入下方的反应腔；以及波纹管，设于所述喷淋头本体与所述射频电源之间，用于补偿所述射频引入杆的热膨胀。2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于，所述喷淋头本体中还包括电加热部，所述上盖板位于所述喷淋头本体的上部，用于分隔空气侧及真空侧，所述电加热部被设置于所述真空侧。3.如权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，所述射频引入杆由多芯电材料围绕，用于进行电隔离，并防止所述射频引入杆周围的真空空间中产生电弧。4.如权利要求2所述的喷淋头，其特征在于，还包括陶瓷适配器，其中，所述陶瓷适配器位于所述上盖板之下，用于连接所述喷淋板与所述上盖板，并对所述喷淋板与所述上盖板进行电隔离。5.如权利要求4所述的喷淋头，其特征在于，所述陶瓷适配器包括顶部平衬垫及侧面圆形衬垫，其中，所述顶部平衬垫设于所述上盖板，用于覆盖所述喷淋板，以实现射频电隔离。6.如权利要求5所述的喷淋头，其特征在于，还包括外部吹扫入口，其中，所述外部吹扫入口位于所述上盖板，用于驱动外部吹扫气体流过所述喷淋板与所述侧面圆形衬垫之间的侧间隙，以吹扫所述喷淋板与所述上盖板之间的非反应空间。7.如权利要求2所述的喷淋头，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭华强，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：