一种光源模组用托架制造技术

本实用新型专利技术涉及光电元件领域，具体为一种在现有托架尺寸不变的情况下能够适应大功率发光芯片工作的光源模组托架，且具备发热量、损耗量低等诸多优点，具体方案包括氮化铝基板、正极电路和负极电路，该正极电路和负极电路中均布设有多个过穿氮化铝基板的导电电路。通过多个过穿氮化铝基板的导电电路能够实现在大功率芯片需要大电流输入时，能够有效降低单孔过穿电流密度，降低损耗量同时降低发热量，提高发光光效。提高发光光效。提高发光光效。

【技术实现步骤摘要】
一种光源模组用托架


[0001]本技术涉及光电元件领域，具体为一种针对大功率光源模组用的托架。

技术介绍

[0002]现有LED照明光源托架大多采用的是带有正极电路和负极电路的基板，基板上设置有单个过穿通道，通过过穿通道连接基板正反面正极电路的相互连通、正反面负极电路的相互连通，以60W为例，单孔过穿电流密度10A/mm2。但是该种LED芯片托架只能用于常规功率LED光源，如果作为大功率LED光源的托架，例如植物补光灯用的大功率LED光源，采用上述方案的托架会使得单孔过穿电流密度会达到280A/mm2，发光芯片在过孔处功耗较大，输入的能耗(约10％左右)损失在过孔处，为此需要提高发光功率，传统提高发光功率的手段为单方面增加输入功率，这样设计带来的后果就是使得过孔处能耗损失进一步增大，同时还会增加发热量，随之散热组件也需要跟着增大。故此急需一种在现有托架尺寸不变的情况下能够适应大功率发光芯片工作的光源模组托架。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是为了解决现有技术中不足，故此提出一种在现有托架尺寸不变的情况下能够适应大功率发光芯片工作的光源模组托架，且具备发热量、损耗量低等诸多优点。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]一种光源模组用托架，包括氮化铝基板、正极电路和负极电路，该正极电路和负极电路中均布设有多个过穿氮化铝基板的导电电路。
[0006]通过多个过穿氮化铝基板的导电电路能够实现在大功率芯片需要大电流输入时，能够有效降低单孔过穿电流密度，降低损耗量同时降低发热量，提高发光光效。
[0007]在上述方案的基础上作出如下改进，所述氮化铝基板上布设有多个与导电电路匹配的过穿通道，且过穿通道至少布设有三个。以三个过穿通道、过孔直径0.10mm、单个发光芯片输入功率为1.4W为例，由原本单孔过穿电流密度达到280A/mm2降低为93A/mm2，发热功耗降低因此光效得到了提高，且发光芯片散热结构也无需作出较大改变。
[0008]在上述方案的基础上作出如下改进，每个所述过穿通道的两端均设有自动填充结构。通过自填充结构能够使得导电电路在过穿通道处覆铜、沉铜联合工艺制作下得到较高填充度，有效降低单位电阻值。
[0009]在上述方案的基础上作出如下改进，所述自动填充结构的尺寸延深度方向逐步减小。通过特殊结构设计利于过穿通道处的覆铜沉铜工艺时铜填充度。
[0010]在上述方案的基础上作出如下改进，所述过穿通道的截面为两端大中间小结构。通过特殊结构设计利于过穿通道处的覆铜沉铜工艺时铜填充度。
[0011]在上述方案的基础上作出如下改进，所述氮化铝基板的一侧布设有位于正极电路和负极电路之间的载胶区域，载胶区域位于负极电路的外围。通过载胶区域能够在发光芯
片外围进行反射胶的点胶，同时该负极电路的芯片承载区域较以往增加，进而能够满足大功率发光芯片安装，同时还能保证载胶区域的载胶效果。
[0012]在上述方案的基础上作出如下改进，所述载胶区域最窄区域宽度小于等于0.1mm。适当压缩不必要的载胶区域能够大幅度提高负极电路上发光芯片的承载区域，提高芯片底部及边缘处镜面焊盘的面积，提高反光面积，优化绝缘边尺寸，符合电绝缘特性要求，提高反光面积、芯片固晶面积。
[0013]在上述方案的基础上作出如下改进，所述氮化铝基板另一侧设有散热结构，散热结构位于该侧的正极电路和负极电路之间。通过散热结构集成于氮化铝基板的背面能够有效保证发光芯片的散热效果。
[0014]在上述方案的基础上作出如下改进，所述正极电路上布设有齐纳二极管安装区域，该处的齐纳二极管可以通过焊线和负极电路电性连接。通过齐纳二极管能够提高整体托架的抗静电能力。
[0015]在上述方案的基础上作出如下改进，所述正极电路和负极电路均包括覆铜层，覆铜层表面设有钝化层和镀金层，镀金层的厚度大于5微米。通过对覆铜层进行表面钝化处理，提高镀金层附着力，保证镀金工艺符合公司要求，厚度＞5um，表面光洁度达到镜面要求，保证10年表面镀金不退化，同时保证镜面反光率衰减率低于5％。
附图说明
[0016]图1为本技术的整体结构正面视图；
[0017]图2为本技术的整体结构背面视图；
[0018]图3为本技术一种形式的氮化铝基板的正面视图；
[0019]图4为图3中一种形式的过穿通道的局部剖面图；
[0020]图5为图3中另种形式的过穿通道的局部剖面图；
[0021]图6为本技术另种形式的氮化铝基板的正面视图；
[0022]图7为图8中过穿通道的局部剖面图；
[0023]图8为本技术一种形式的整体结构剖视图；
[0024]图9为本技术一种形式的整体结构剖视图；
[0025]图10为本技术中覆铜层的剖面图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0027]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0028]实施例1
[0029]一种光源模组用托架，如图1、图2、图8和图9所示，包括氮化铝基板10、正极电路20
和负极电路30，该正极电路20和负极电路30中均布设有多个过穿氮化铝基板10的导电电路50。通过多个过穿氮化铝基板10的导电电路50设计结构，能够实现在大功率芯片需要大电流输入时，有效降低单孔过穿电流密度，进而实现降低损耗量同时降低发热量，提高发光光效，这样就可以在原本托架的尺寸上匹配大功率发光芯片。
[0030]实施例2
[0031]在上述方案的基础上作出如下改进，如图1、图2所示，所述氮化铝基板10上布设有多个与导电电路50匹配的过穿通道40，且过穿通道40至少布设有三个。以三个过穿通道40、过孔直径0.10mm、单个发光芯片输入功率为1.4W为例，该实施例由原本单孔过穿电流密度为280A/mm2降低为93A/mm2，发热功耗会大幅度降低，因此光效得到有效地提高，且发光芯片散热结构也无需作出较大改变。
[0032]实施例3
[0033]在上述方案的基础上作出如下改进，如图3和图4所示，每个所述过穿通道40的两端均设有自动填充结构60，自动填充结构60的尺寸延深度方向逐步减小。自动填充结构60和过穿通道40整体为锥状柱孔(过孔可以先钻孔，再进行两面扩边，防止过孔中间覆铜缺少)保证过孔覆铜的填充度符合要求。
[0034]实施例4
[003本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光源模组用托架，包括氮化铝基板(10)、正极电路(20)和负极电路(30)，其特征在于，该正极电路(20)和负极电路(30)中均布设有多个过穿氮化铝基板(10)的导电电路(50)。2.根据权利要求1所述的一种光源模组用托架，其特征在于，所述氮化铝基板(10)上布设有多个与导电电路(50)匹配的过穿通道(40)，且过穿通道(40)至少布设有三个。3.根据权利要求2所述的一种光源模组用托架，其特征在于，每个所述过穿通道(40)的两端均设有自动填充结构(60)。4.根据权利要求3所述的一种光源模组用托架，其特征在于，所述自动填充结构(60)的尺寸延深度方向逐步减小。5.根据权利要求2所述的一种光源模组用托架，其特征在于，所述过穿通道(40)的截面为两端大中间小结构。6.根据权利要求1所述的一种光源模组用托架，其特征在于，所述氮化铝基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭健，马生茂，赵政委，路扬，
申请(专利权)人：安徽金晟达生物电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：