有机电致发光器件材料制造技术

本发明专利技术涉及一种包含并排几何形状的像素的电致发光器件。本发明专利技术还涉及制造这种电致发光器件的方法。光器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电致发光器件材料
[0001]本专利技术涉及一种包含并排几何形状的像素的电致发光器件。本专利技术还涉及制造这种电致发光器件的方法。
[0002]用于诸如移动电话和电视屏幕的小型便携式装置的有机发光二极管(OLED)的开发目前是深入研究的主题。OLED的自发光特性对于显示应用而言通常是非常需要的特性。
[0003]存在不同类型的OLED结构。例如，全彩色OLED像素能够通过垂直层叠红色、绿色和蓝色发光单元来制造。全彩色OLED像素也能够通过在单个像素内以并排构造放置多个单一OLED叠层来制造。更特别地，在平板显示器中，每个像素通常由并排几何形状中横向分开的红色、绿色和蓝色子像素组成，例如在US 2004/0108818 A1、US 2006/0244696 A1中所公开的。
[0004]然而，在OLED显示器的情况下，并排布局能够在制造过程期间造成交叉污染的问题。例如，如果子像素的绿色发光层含有少量存在于相邻子像素中的材料，这能够导致绿色发光猝灭(例如绿色发光层包含三重态绿色发光体并且相邻层包含能够充当三重态绿色猝灭剂的材料)，则绿色子像素将不会如所预期的发出纯绿色发光(另请参见等人，用于超高密度显示器的三端RGB全彩色OLED像素(Three
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terminal RGB full
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color OLED pixels for ultrahigh density display)，科学报告(SCIENTIFIC REPORTS)，(2018年)8:9684)。
[0005]因此，关于OLED的制造，特别是关于基于并排像素布局的RGB显示器的制造，仍然需要进一步改进。在这方面特别重要的是OLED的寿命、效率和工作电压以及实现的颜色值。
[0006]因此，本专利技术是以提供具有包含以并排构造放置的子像素的像素的电致发光器件的技术目的为基础的。本专利技术还是以提供适用于这些电致发光器件的化合物的技术目的为基础的。此外，本专利技术是以提供制造这些电致发光器件的方法的技术目的为基础的。
[0007]在对具有像素或/和以并排几何形状放置的子像素的新型电致发光器件的研究中，现已发现，如下定义的电致发光器件非常适用于显示应用。特别地，它们实现了一个或多个，优选全部上述技术目的。
[0008]因此，本专利技术涉及一种包含至少一个像素的电致发光器件，所述像素包含：
[0009]‑
第一子像素，所述第一子像素包含含有化合物A的发光层EMLA；
[0010]‑
第二子像素，所述第二子像素包含含有化合物B的发光层EMLB，其中所述化合物B是发光层EMLB中具有最低T1态的化合物；
[0011]其特征在于：
[0012]T1‑
A
<T1‑
B
[0013]TGA
A
≥225℃
[0014]其中
[0015]T1‑
A
、T1‑
B
是化合物A和B的能量最低的三重态；并且
[0016]TGA
A
是通过热重分析测量5％重量损失时的温度。
[0017]根据本专利技术的电致发光器件优选为有机电致发光器件，也称为OLED。
[0018]化合物的能量最低三重态能够使用量子化学计算来确定。
[0019]更特别地，材料的电子特性，包括分子轨道，特别是最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)、它们的能级和材料的最低三重态T1或最低激发单重态S1的能量使用软件包“Gaussian16”(Gaussian Inc.)通过量子化学计算来确定。单重态基态几何形状在B3PW91/6
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31G(d)理论水平上进行了优化。随后，使用优化的基态几何形状和相同的方法(B3PW91/6
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31G(d))计算TD
‑
DFT单重态和三重态的激发能量(垂直跃迁)。采用关于SCF和几何收敛的默认设置。
[0020]能量计算以哈特里(hartree)为单位给出了HOMO能级HEh或LUMO能级LEh。按如下以电子伏特为单位计算了HOMO和LUMO能级：
[0021]HOMO(eV)＝(HEh
×
27.212)
[0022]LUMO(eV)＝(LEh
×
27.212)
[0023]这些值分别被视为材料的HOMO和LUMO能级。
[0024]最低三重态T1被定义为具有最低能量的三重态的能量，其产生自所描述的量子化学计算。
[0025]最低激发单重态S1被定义为具有第二低能量的激发单重态的能量，其产生自所描述的量子化学计算。
[0026]最低能量单重态称为S0，通常也称为基态。
[0027]此处描述的方法与所使用的软件包无关，并且总是给出相同的结果。为此目的经常使用的程序实例是“Gaussian09W”(Gaussian Inc.)和Q
‑
Chem 4.1(Q
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Chem,Inc.)。在当前情况下，使用软件包“Gaussian16”(Gaussian Inc.)。
[0028]TGA(热重分析)测量在此使用源自Netzsch的TG 209F1 Libra来进行，它在真空下按照ASTM E1582
‑
10“热重测量用温标校准的标准实践(Standard Practice for Calibration of Temperature Scale for Thermogravimetry)”中描述的居里(Curie)标准来进行温度校准。在下面的实例中给出了关于用于TGA测量的方法的更多细节。
[0029]优选地，化合物A具有≥230℃的温度TGA
A
，在该温度下通过热重分析测得5％的重量损失，更优选TGA
A
≥235℃，特别优选≥240℃，非常特别优选≥245℃。
[0030]根据一个优选实施方式，化合物A是在第一子像素的发光层EMLA中具有最高T1态的化合物。
[0031]根据一个优选实施方式，发光层EMLA包含主体化合物HA和发光化合物EA，其中化合物A是主体化合物HA或发光化合物EA。
[0032]根据本专利技术，当发光层同时包含主体化合物和发光化合物时，则发光化合物通常是体系中比例较小的化合物(＝掺杂剂)，而主体化合物是体系中比例较大的化合物。然而，在个别情况下，体系中单一基质材料的比例可能小于单一发光化合物的比例。
[0033]优选地，化合物A的分子量MwA≥520g/mol，更优选≥530g/mol，特别优选≥540g/mol，更特别优选≥550g/mol。
[0034]优选主体化合物A的分子量MwA≤5000g/mol，更优选≤3000g/mol，特别优选≤2000g/mol。
[0035]根据一个优选的实施方式，化合物B是聚合物，其分子量MwB优选在10,00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种包含至少一个像素的电致发光器件，所述像素包含：
‑
第一子像素，所述第一子像素包含含有化合物A的发光层EMLA；
‑
第二子像素，所述第二子像素包含含有化合物B的发光层EMLB，其中所述化合物B是所述第二子像素的发光层中具有最低T1态的化合物；其特征在于：T1‑
A
<T1‑
B
TGA
A
≥225℃其中T1‑
A
、T1‑
B
是所述化合物A和B的能量最低的三重态；并且TGA
A
是通过热重分析测得5％重量损失时的温度。2.根据权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述化合物A具有≥230℃的温度TGA
A
，在所述温度下通过热重分析测得5％重量损失。3.根据权利要求1或2所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层EMLA包含主体化合物HA和发光化合物EA，其中所述化合物A是所述主体化合物HA或所述发光化合物EA。4.一种包含至少一个像素的电致发光器件，所述像素包含：
‑
第一子像素，所述第一子像素包含发光层EML1，所述发光层EML1包含主体化合物H1和发光化合物E1；
‑
第二子像素，所述第二子像素包含发光层EML2，所述发光层EML2包含主体化合物H2和发光化合物E2；其特征在于：T1‑
H1
<T1‑
E2
TGA
H1
≥225℃其中T1‑
H1
、T1‑
E2
是所述主体化合物H1和所述发光化合物E2的能量最低的三重态；并且TGA
H1
是在通过热重分析测得5％重量损失时的温度。5.根据权利要求4所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体化合物H1具有≥230℃的温度TGA
H1
，在所述温度下通过热重分析测得5％重量损失。6.根据权利要求4或5所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光化合物E1具有发光最大波长λ1，所述发光化合物E2具有发光最大波长λ2，并且：λ1<λ2。7.根据权利要求4至6中的任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光化合物E1具有430nm至480nm的发光波长λ1。8.根据权利要求4至7中的任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体化合物H1具有≥520g/mol的分子量Mw1。9.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层EMLA和EMLB或EML1和EML2是从溶液法得到的。10.根据前述权利要求4至9中的任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包含第三子像素，所述第三子像素包含发光层EML3，所述发光层EML3包含具有发光最大波长λ3的发光化合物E3，其中：
1)λ1<λ2<λ3；或者2)λ1<λ3<λ2。11.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电致发光器件，其特征在于，存在于所述电致发光器件中的所述子像素以并排几何形状放置。12.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电致发光器件，其特征在于，所述子像素通过疏水像素隔离斜面构造结构以并排几何形状横向分开。13.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电致发光器件，其特征在于，每个子像素对应于包含至少一个其它有机层的发光叠层。14.根据权利要求13所述的电致发光器件，其特征在于，所述其它层选自空穴传输性层。15.根据前述权利要求中的一项或多项所述的电致发光器件，其特征在于，每个子像素按如下顺序包含：
‑
基底；
‑
阳极；
‑
任选的空穴注入层，
‑
空穴传输层；
‑
发光层；
‑
任选的空穴阻挡层；
‑
电子传输性层；
‑
任选的电子注入层；和
‑
阴极。16.根据权利要求15所述的电致发光器件，其特征在于，所述任选的空穴注入层、所述空穴传输层和所述发光层是从溶液法得到的。17.根据权利要求4至16中的任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体化合物H1包含至少一个蒽基。18.根据权利要求4至17中的任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述主体化合物H1是式(1)的化合物，
其中Ar1、Ar2、Ar3在每种情况下相同或不同地为具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，所述芳族或杂芳族环系在每种情况下也可被一个或多个基团R9取代；R1至R9在每种情况下相同或...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁文，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：