搭载非线性芯板的横电磁波室制造技术

本申请涉及一种搭载非线性芯板的横电磁波室，包括外导体、内导体和射频连接头。外导体和内导体均包括一个主传输段和两个过渡段。内导体置于外导体围成的小室中，射频连接头包括两个且分别连接于内导体的两端。内导体的任一过渡段均由侧边为圆弧线段构型且段宽度渐变的N段结构一体化组成，且沿主传输段至射频连接头方向上各段结构的段宽度逐级减小；外导体的内壁和内导体周侧的各转角处形状均为弧形结构；N为不小于2的正整数。通过前述结构形状的改进，有效提高了TEM小室的性能。有效提高了TEM小室的性能。有效提高了TEM小室的性能。

【技术实现步骤摘要】
搭载非线性芯板的横电磁波室


[0001]本申请涉及电磁兼容测试
，特别是涉及一种搭载非线性芯板的横电磁波室。

技术介绍

[0002]随着集成电路朝着小型化和高频化的方向发展，其自身的电磁兼容问题变得越来越严重。因此需要及时对集成电路的电磁兼容进行定性分析，深入了解集成电路芯片的底层框架结构，以便在源头改善电磁兼容问题。TEM小室(横电磁波室)具有结构封闭、操作简单和成本低廉等特点，因而被广泛应用于集成电路电磁兼容测试、电磁发射测试和电磁波生物效应测试等领域。
[0003]TEM小室由外导体、内导体和两个射频连接头组成，整个小室可以分为一个主传输段和两个渐变段(过渡段)。TEM小室是一个典型的50Ω系统，主传输段、过渡段以及射频连接头的阻抗不匹配会产生反射和驻波，进而影响TEM小室内部横向电磁波的场均匀性，而一个阻抗匹配良好的TEM小室，场强的变化通常小于2dB。因此，良好的阻抗匹配对于驻波比VSWR至关重要。然而，在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现传统TEM小室仍存在着性能不高的技术问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种搭载非线性芯板的横电磁波室。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术实施例采用以下技术方案：
[0006]一种搭载非线性芯板的横电磁波室，包括外导体、内导体和射频连接头，外导体和内导体均包括一个主传输段和两个过渡段，内导体置于外导体围成的小室中，射频连接头包括两个且分别连接于内导体的两端；
[0007]内导体的任一过渡段均由侧边为圆弧线段构型且段宽度渐变的N段结构一体化组成，且沿主传输段至射频连接头方向上各段结构的段宽度逐级减小；外导体的内壁和内导体周侧的各转角处形状均为弧形结构；N为不小于2的正整数。
[0008]在其中一个实施例中，内导体的任一过渡段均为侧边采用圆弧线段构型的四段结构。
[0009]在其中一个实施例中，内导体的主传输段上沿传输通路方向开设有M条狭缝结构；M为不小于1的正整数。
[0010]在其中一个实施例中，内导体的主传输段上沿传输通路方向开设有四条狭缝结构。
[0011]在其中一个实施例中，内导体为黄铜芯板。
[0012]在其中一个实施例中，内导体的两端分别开设有与射频连接头的铜针形状尺寸匹配的连接缝，连接缝用于卡接射频连接头的铜针。
[0013]在其中一个实施例中，还包括磁性损耗材料层，磁性损耗材料层贴附在外导体的
主传输段和过渡段的内壁上，磁性损耗材料层所在内壁为测试板在小室中的放置位置相对的一侧内壁。
[0014]在其中一个实施例中，外导体为2mm厚度的铝合金外导体，铝合金外导体包括分别整块铣出的第一外导体和第二外导体。
[0015]在其中一个实施例中，铝合金外导体的外壁周侧设有法兰且法兰上开设多个螺钉孔，法兰连接处设有导电泡棉。
[0016]在其中一个实施例中，外导体的屏蔽门内侧开设有与测试板的形状尺寸匹配的凹槽，凹槽用于嵌入测试板；
[0017]屏蔽门外侧沿凹槽附近设定位置处铺设有I组弹簧铜片及快速夹；I为不小于2的正整数。
[0018]上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
[0019]上述搭载非线性芯板的横电磁波室，通过在传统的横电磁波室的常用结构形式的基础上，对小室内的内导体主传输段两侧的过渡段进行结构形状的改进，将内导体的过渡段从以往的线性渐变结构改为非线性渐变的N段结构，并且沿主传输段至射频连接头方向上各段结构的宽度逐级减小，使内导体过渡段的形状相比于传统的线性过渡段的形状更加趋于平缓，从而更有效地降低驻波比VSWR；并且外导体的内壁和内导体周侧的各转角处形状也进行了改进，使其变为非线性的弧形结构，消除外导体内壁和内导体的各个锐利转角结构，使之变为平滑过渡的结构形状，从而更有效地减少小室内部的反射波和驻波。如此，通过前述结构形状的改进，有效提高了TEM小室的性能。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为一个实施例中搭载非线性芯板的横电磁波室的内导体结构示意图；
[0022]图2为一个实施例中搭载非线性芯板的横电磁波室的外导体结构示意图；
[0023]图3为内导体任一非线性渐变过渡段的侧边圆弧结构设计原理示意图；
[0024]图4为一个实施例中内导体任一非线性渐变过渡段的一种结构设计示意图；
[0025]图5为一个实施例中内导体任一非线性渐变过渡段的另一种结构设计示意图；
[0026]图6为一个实施例中分别搭载非线性过渡段结构和传统过渡结构的TEM小室的VSWR对比结果；
[0027]图7为一个实施例中分别搭载非线性过渡段结构和传统过渡结构的TEM小室的回波损耗对比结果；
[0028]图8为另一个实施例中搭载非线性芯板的横电磁波室的内导体结构示意图；
[0029]图9为一个实施例中搭载非线性芯板的横电磁波室的结构示意图；
[0030]图10为一个实施例中加入磁性损耗材料的VSWR图；
[0031]图11为一个实施例中加入磁性损耗材料的回波损耗图；
[0032]图12为一个实施例中距离内导体20mm处的场均匀性结果图；
[0033]图13为一个实施例中距离内导体25mm处的场均匀性结果图；
[0034]图14为一个实施例中距离内导体30mm处的场均匀性结果图；
[0035]图15为一个实施例中距离内导体35mm处的场均匀性结果图。
具体实施方式
[0036]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0037]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
[0038]需要说明的是，在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置展示该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。
[0039]本领域技术人员可以理解，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。在本专利技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
[0040]IEC 61967
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2和IEC 62132
‑
2测试标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种搭载非线性芯板的横电磁波室，其特征在于，包括外导体、内导体和射频连接头，所述外导体和所述内导体均包括一个主传输段和两个过渡段，所述内导体置于所述外导体围成的小室中，所述射频连接头包括两个且分别连接于所述内导体的两端；所述内导体的任一过渡段均由侧边为圆弧线段构型且段宽度渐变的N段结构一体化组成，且沿主传输段至所述射频连接头方向上各段结构的段宽度逐级减小；所述外导体的内壁和所述内导体周侧的各转角处形状均为弧形结构；N为不小于2的正整数。2.根据权利要求1所述的搭载非线性芯板的横电磁波室，其特征在于，所述内导体的任一过渡段均为侧边采用圆弧线段构型的四段结构。3.根据权利要求1或2所述的搭载非线性芯板的横电磁波室，其特征在于，所述内导体的主传输段上沿传输通路方向开设有M条狭缝结构；M为不小于1的正整数。4.根据权利要求3所述的搭载非线性芯板的横电磁波室，其特征在于，所述内导体的主传输段上沿传输通路方向开设有四条狭缝结构。5.根据权利要求3所述的搭载非线性芯板的横电磁波室，其特征在于，所述内导体为黄铜芯板。6.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建飞，李阳，卢彦芳，张红丽，郑亦菲，陈乐东，朱伟，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：