太阳能电池制备方法技术

本公开实施例中提供太阳能电池制备方法，在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极，对所述发射极表面刻蚀目标结深，以使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度达到设定值，在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层，在所述正面钝化层上形成正面电极，所述正面电极穿过所述正面钝化层与刻蚀后的发射极表面形成接触电连接。使用本实施例，通过对发射极表面进行刻蚀，去除掺杂浓度较低的表面结深区域，使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度较高，例如达到设定值，那么电极与发射极表面形成稳定电接触，提供稳定的电信号传输，提升太阳能电池的性能。提升太阳能电池的性能。提升太阳能电池的性能。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池制备方法


[0001]本公开涉及太阳能电池
，尤其涉及太阳能电池制备方法。

技术介绍

[0002]近几年，全世界都在大力发展可再生能源，比较热门的可再生能源有太阳能、风能、潮汐能等。太阳能相比传统能源有着利用简单、安全、无污染等特点，成为可再生新能源领域研究的焦点。太阳能电池发电的基本原理是光生伏打效应，太阳能电池是将太阳光转化为电能的新能源器件。
[0003]在制备太阳能电池的过程中，通过对硅片正面继续宁掺杂以形成基于PN结的发射极，发射极表面用于与后续电极进行接触点电连接，因此发射极表面的掺杂浓度的高低影响太阳能电池的电信号性能。

技术实现思路

[0004]鉴于以上相关技术的缺点，本公开的目的在于提供太阳能电池制备方法，以解决相关技术中太阳能电池电信号性能低的技术问题。
[0005]本公开第一方面提供一种太阳能电池制备方法，其包括：
[0006]在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极；
[0007]对发射极表面刻蚀目标结深，以使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度达到设定值；
[0008]在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层；
[0009]在正面钝化层上形成正面电极，正面电极穿过正面钝化层与刻蚀后的发射极表面形成接触电连接。
[0010]可选地，太阳能电池制备方法还包括：
[0011]在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极时，还在发射极上形成带掺杂的硅玻璃；
[0012]在对发射极表面刻蚀目标结深之前，去除带掺杂的硅玻璃，以露出发射极表面。
[0013]可选地，掺杂源为硼源，带掺杂的硅玻璃为硼硅玻璃。
[0014]可选地，太阳能电池制备方法还包括：
[0015]在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极时，还在发射极上形成氧化硅层，硼硅玻璃覆盖氧化硅层；
[0016]在去除带掺杂的硅玻璃时，还去除氧化硅层，以露出发射极表面。
[0017]可选地，去除带掺杂的硅玻璃，以露出发射极表面，包括：
[0018]使用酸性溶液去除带掺杂的硅玻璃，以露出发射极表面。
[0019]可选地，使用酸性溶液去除带掺杂的硅玻璃，以露出发射极表面，包括：
[0020]将硅片在氢氟酸溶液里反应至带掺杂的硅玻璃去除，以露出发射极表面。
[0021]可选地，对发射极表面刻蚀目标结深，包括：
[0022]使用碱性溶液对发射极表面刻蚀目标结深。
[0023]可选地，碱性溶液为氢氧化钾溶液、氨水或氢氧化钠溶液。
[0024]可选地，在对发射极表面刻蚀目标结深之前，太阳能电池制备方法还包括：
[0025]采集发射极表面的电化学掺杂浓度检测曲线；
[0026]根据的电化学掺杂浓度检测曲线确定目标结深和设定值；
[0027]根据目标结深和设定值确定对发射极表面刻蚀目标结深过程的刻蚀工艺参数。
[0028]可选地，太阳能电池制备方法还包括：
[0029]在硅片背面依次形成掺杂多晶硅层及隧穿氧化层；
[0030]在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层时，还在隧穿氧化层背离硅片的一侧形成背面钝化层；
[0031]在正面钝化层上形成正面电极时，还在背面钝化层背离隧穿氧化层的一侧形成背面电极，背面电极穿过背面钝化层及隧穿氧化层与掺杂多晶硅层形成接触电连接。
[0032]如上，本公开实施例中提供太阳能电池制备方法，在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极，对发射极表面刻蚀目标结深，以使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度达到设定值，在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层，在正面钝化层上形成正面电极，正面电极穿过正面钝化层与刻蚀后的发射极表面形成接触电连接。使用本实施例，通过对发射极表面进行刻蚀，去除掺杂浓度较低的表面结深区域，使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度较高，例如达到设定值，那么电极与发射极表面形成稳定电接触，提供稳定的电信号传输，提升太阳能电池的性能。
附图说明
[0033]图1展示本公开一种实施例的太阳能电池制备方法的流程图。
[0034]图2
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图5、图8
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9展示本公开实施例的太阳能电池在制备过程中各个阶段的结构图。
[0035]图6和图7展示发射极表面的掺杂浓度与结深之间的ECV曲线。
[0036]图10
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11展示本公开另一实施例的太阳能电池在制备过程中的结构图。
具体实施方式
[0037]以下通过特定的具体实例说明本公开的实施方式，本领域技术人员可由本公开所揭露的消息轻易地了解本公开的其他优点与功效。本公开还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用系统，本公开中的各项细节也可以根据不同观点与应用系统，在没有背离本公开的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0038]下面以附图为参考，针对本公开的实施例进行详细说明，以便本公开所属
的技术人员能够容易地实施。本公开可以以多种不同形态体现，并不限定于此处说明的实施例。
[0039]在本公开的表示中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的表示意指结合该实施例或示例表示的具体特征、结构、材料或者特点包括于本公开的至少一个实施例或示例中。而且，表示的具体特征、结构、材料或者特点可以
在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本公开中表示的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0040]此外，术语“第一”、“第二”仅用于表示目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本公开的表示中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0041]虽然未不同地定义，但包括此处使用的技术术语及科学术语，所有术语均具有与本公开所属
的技术人员一般理解的意义相同的意义。普通使用的字典中定义的术语追加解释为具有与相关技术文献和当前提示的消息相符的意义，只要未进行定义，不得过度解释为理想的或非常公式性的意义。
[0042]图1展示本公开实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图，如图1所示，该太阳能电池制备方法包括：
[0043]步骤110：在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极；
[0044]步骤120：对发射极表面刻蚀目标结深，以使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度达到设定值；
[0045]步骤130：在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层；
[0046]步骤140：在正面钝化层上形成正面电极，正面电极穿过正面钝化层与刻蚀后的发射极表面形成接触电连接。
[0047]在掺杂源扩散过程形成发射极过程中，发射极表面的掺杂浓度可能较低，使用本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极；对发射极表面刻蚀目标结深，以使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度达到设定值；在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层；在所述正面钝化层上形成正面电极，所述正面电极穿过所述正面钝化层与刻蚀后的发射极表面形成接触电连接。2.根据权利要求1所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述太阳能电池制备方法还包括：在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极时，还在所述发射极上形成带掺杂的硅玻璃；在对所述发射极表面刻蚀目标结深之前，去除所述带掺杂的硅玻璃，以露出所述发射极表面。3.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述掺杂源为硼源，所述带掺杂的硅玻璃为硼硅玻璃。4.根据权利要求3所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述太阳能电池制备方法还包括：在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极时，还在所述发射极上形成氧化硅层，所述硼硅玻璃覆盖所述氧化硅层；在去除所述带掺杂的硅玻璃时，还去除所述氧化硅层，以露出发射极表面。5.根据权利要求2所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，去除所述带掺杂的硅玻璃，以露出发射极表面，包括：使用酸性溶液去除所述带掺杂的硅玻璃，以露出发射极表面。6.根据权利要求5所述的太阳能电池制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：高纪凡，陈姝，徐冠超，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能常州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：