硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器，包括熔丝结构(1)和反熔丝结构(2)，所述熔丝结构(1)串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构(2)连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构(1)和/或反熔丝结构(2)来实现对于像素点的修复。本实用新型专利技术的优点在于：结构简单、实现方便，通过熔丝结构和反熔丝结构来实现对于硅基微显示器的像素点进行修复，修复准确可靠且不会影响周边其他像素的正常工作；可以修复像素点中的暗点和亮点等不良缺陷，提高显示屏的合格率。提高显示屏的合格率。提高显示屏的合格率。

【技术实现步骤摘要】
硅基微显示器的像素点修复电路及硅基微显示器


[0001]本技术涉及硅基微显示器领域，特别涉及一种硅基微显示器的像素点修复电路。

技术介绍

[0002]AMOELD有诸多优点，所以微显示领域，硅基OLED已在近眼显示领域取代LCOS，随着元宇宙概念的提出，AR/VR领域市场成长快速，成为近眼显示的主流技术。硅基微显示在生产过程中，不可避免的会产生各种缺陷，不良，比如亮暗线，亮暗点等。对于亮暗点等点缺陷，一般大尺寸的显示，比如pad，电视等可以通过激光将缺陷的像素点烧蚀成死点，由于人眼对黑点的敏感程度比对亮点的敏感程度要低，所以处理亮点等的缺陷的方法是通过激光将缺陷像素的电路烧蚀断线，成为死点；一般激光的尺寸在微米量级；这种方式对显示不会造成太大的影响，同时可以比较大幅度的提升产品的良率，成为显示行业标准的处理方式。
[0003]如专利202111590346.8OLED显示面板及其激光修复方法中，其就采用激光修复方法对像素亮点进行修改，但是硅基微显示一般ppi在3000左右，甚至4000，像素尺寸在2～3um，采用的CMOS工艺节点一般在0.18um，或0.11um，甚至更小，激光烧蚀的方法难以实现，也容易对旁边的像素造成不良的影响；无法对硅基微显示器的像素点进行修复。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种硅基微显示器的像素点修复电路，用于采用熔丝结构和反熔丝结构进行像素点的修复从而解决现有技术中激光无法对硅基微显示器的像素点进行修复的缺陷。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为：一种硅基微显示器的像素点修复电路，包括熔丝结构1和反熔丝结构2，所述熔丝结构1串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构2连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构1和/或反熔丝结构2来实现对于像素点的修复。
[0006]所述修复电路还包括可控开关SW1、SW2；高电位VH经可控开关SW1连接至像素点阳极；所述可控开关SW2的一端连接在熔丝结构1和Pixel电路之间，另一端连接至低电位VL；通过控制可控开关SW1、SW2的通断来控制熔丝结构1的断开。
[0007]所述备用电路为低电位VL母线；所述像素点阳极经反熔丝结构2连接至低电位VL。
[0008]所述备用电路为备用Pixel电路，所述备用Pixel电路经反熔丝结构2连接至像素点的阳极。
[0009]在修复像素点时，所述可控开关SW1、SW2的控制端分别连接至修复设备，用于控制SW1、SW2的开闭状态。
[0010]所述可控开关SW1、SW2为MOS管。
[0011]一种硅基微显示器，所述显示器采用所述的像素点修复电路进行故障点修复。
[0012]本技术的优点在于：结构简单、实现方便，通过熔丝结构和反熔丝结构来实现
对于硅基微显示器的像素点进行修复，修复准确可靠且不会影响周边其他像素的正常工作；可以修复像素点中的暗点和亮点等不良缺陷，提高显示屏的合格率。
附图说明
[0013]下面对本专利技术说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0014]图1为本技术修复电路基本原理图；
[0015]图2为本技术修复电路采用备用Pixel电路修复的原理图；
[0016]图3为本技术修复电路采用高低电平修复像素点原理图.
具体实施方式
[0017]下面对照附图，通过对最优实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0018]本申请提供了一种可以修复AA区像素点缺陷不良的设计方案；通过OTP/MTP器件的熔丝或反熔丝方式，隔离出坏点像素，同时设计时将阳极与地电位存在反熔丝结构连接点，通过高电压将阳极电位与地连接，从而将坏点修复成死点，可修复特别是亮点的点缺陷。使得点缺陷的修复可以通过模组OTP的方式实现，提升了点缺陷的修复能力，也避免了激光修复对周边像素的影响。
[0019]如图1所示，本申请利用OTP通过熔丝和反熔丝方式实现；熔丝为正常状态时线路导通，否则为断开状态；同理反熔丝在正常状态时断开的，在大电流变成后为闭合状态。
[0020]硅基微显示器的像素点修复电路，包括熔丝结构1和反熔丝结构2，熔丝结构1串接在Pixel电路和像素点阳极之间，Pixel电路为像素点的驱动电路，其可以控制输入到像素点OLED中的电流大小，从而控制像素点OLED的发光状态；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构2连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构1和或反熔丝结构2来实现对于像素点的修复。
[0021]在本申请中备用电路可以为低电位母线VL，也可以为备用的Pixel电路，下面具体说明：
[0022]当备用电路为低电位母线VL时，像素点阳极经反熔丝结构连接至VL；如图1所示，当该像素点异常时，通过大电流将区域1熔断，同时区域2连接，使得阳极与VL低电位相连，像素始终不发光，从而可以修复亮点异常。Pixel电路部分是能够单独控制输入到OLED器件电流的电路结构，属于像素点的驱动控制电路。这里只需要在像素点故障时，控制大电流流经熔丝结构1和反熔丝结构2即可实现功能。
[0023]如图3所示，本申请提供一种可以控制熔丝结构1和反熔丝结构2的状态的电路结构，包括MOS管SW1、SW2；MOS管SW1的漏极连接至高电位VH，其源极连接至像素点阳极；MOS管SW2的漏极连接在熔丝结构1和Pixel电路之间，其源极连接至低电位VL；通过控制MOS管SW1、SW2的栅极来控制熔丝结构1的断开。SW1和SW2开关可以使得区域1有足够的大电流熔断，也可以使得区域2有足够电压熔接在一起，SW1和SW2的MOS管可以pixel电路的一部分。在需要修复像素点时，通过修复设备控制SW1、SW2的开闭状态，如OTP设备或专用设备等，只有能够输出控制MOS管栅极电压进而控制MOS管导通的控制信号的器件即可，当控制SW1、SW2导通后，VH高电位经熔丝结构1连接至VL，这样就可以实现熔丝结构1断开；当仅打开
SW1、断开SW2时，可以让反熔丝结构2动作闭合，这样就可以将像素点OLED阳极接低电压VL，这样像素点就始终处于不发光状态。
[0024]当然，为了更好的设计，将像素点修复为正常工作，备用电路为备用Pixel电路，备用Pixel电路经反熔丝结构2连接至像素点的阳极。备用Pixel电路部分是能够单独控制输入到OLED器件电流的电路结构，可以通过备用Poxel电路输出大电流来实现反熔丝结构的闭合，从而实现将备用Pixel电路替换原先Pixel电路来控制像素点发光，但是此时要将原先的Pixel电路切换出去，所以要将熔丝结构1断开切除原先的pixel电路，因此，本申请可以用到SW1、SW2，MOS管SW1的漏极连接至高电位VH，其源极连接至像素点阳极；MOS管SW2的漏极连接在熔丝结构1和Pixel电路之间，其源极连接至低电位VL；在此方案中备用电路相对于VL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基微显示器的像素点修复电路，其特征在于：包括熔丝结构(1)和反熔丝结构(2)，所述熔丝结构(1)串接在Pixel电路和像素点阳极之间；在像素点阳极引出端子经反熔丝结构(2)连接至备用电路；通过大电流流过熔丝结构(1)和/或反熔丝结构(2)来实现对于像素点的修复。2.如权利要求1所述的一种硅基微显示器的像素点修复电路，其特征在于：所述修复电路还包括可控开关SW1、SW2；高电位VH经可控开关SW1连接至像素点阳极；所述可控开关SW2的一端连接在熔丝结构(1)和Pixel电路之间，另一端连接至低电位VL；通过控制可控开关SW1、SW2的通断来控制熔丝结构(1)的断开。3.如权利要求1所述的一种硅基微显示器的像素点修复电路，其特征在于：所述备用电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李光，刘胜芳，赵铮涛，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：