介电基底及其形成方法技术

本公开涉及一种介电基底，该介电基底可包括第一基于含氟聚合物的粘合剂层、覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层和覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一填充聚合物层可包含树脂基质组分和第一陶瓷填料组分。该第一陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。均粒度。均粒度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】介电基底及其形成方法


[0001]本公开涉及一种介电基底及其形成方法。具体地，本公开涉及一种用于覆铜层压板结构的介电基底及其形成方法。

技术介绍

[0002]覆铜层压板(CCL)包括层压在两层导电铜箔上或之间的介电材料。随后的操作将此类CCL转变成印刷电路板(PCB)。当导电铜箔用于形成PCB时，该导电铜箔被选择性地蚀刻以形成具有通孔的电路，该通孔在层之间钻出并且被金属化(即，电镀)以在多层PCB中的层之间建立导电性。因此，CCL必须表现出优异的热机械稳定性。在制造操作(诸如焊接)期间以及在使用中，PCB通常也暴露于过高的温度。因此，它们必须在高于200℃的连续温度下起作用而不变形，并且承受剧烈的温度波动，同时抵抗水分吸收。CCL的介电层用作导电层之间的隔离物，并且可以通过阻断导电性来使电信号损失和串扰最小化。介电层的介电常数(电容率)越低，电信号通过该层的速度将越高。因此，取决于温度和频率以及材料的极化性的低耗散因数对于高频应用是非常关键的。因此，需要可用于PCB和其他高频应用的改进的介电材料和介电层。

技术实现思路

[0003]根据第一方面，介电基底可包括第一基于含氟聚合物的粘合剂层、覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层和覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一填充聚合物层可包含树脂基质组分和第一陶瓷填料组分。该第一陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。
[0004]根据另一个方面，覆铜层压板可包括铜箔层和覆盖该铜箔层的介电基底。该介电基底可包括第一基于含氟聚合物的粘合剂层、覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层和覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一填充聚合物层可包含树脂基质组分和第一陶瓷填料组分。该第一陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。
[0005]根据又另一个方面，印刷电路板可包括铜箔层和覆盖该铜箔层的介电基底。该介电基底可包括第一基于含氟聚合物的粘合剂层、覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层和覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一填充聚合物层可包含树脂基质组分和第一陶瓷填料组分。该第一陶瓷填料组分可包含第一填充材料。该第一填充材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。
[0006]根据另一个方面，一种形成介电基底的方法可包括：提供第一基于含氟聚合物的粘合剂层；提供覆盖该第一基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层；将第一树脂基质前体组分与第一陶瓷填料前体组分进行组合以形成第一成形混合物；以及将该第一成形混合物形成为覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一陶瓷填料前体组分可包含第一填料前体材料。该第一填料前体材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。
[0007]根据再另一个实施方案，一种形成覆铜层压板的方法可包括提供铜箔以及形成覆盖该铜箔的介电层。形成该介电层可包括：提供第一基于含氟聚合物的粘合剂层；提供覆盖该第一基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层；将第一树脂基质前体组分与第一陶瓷填料前体组分进行组合以形成第一成形混合物；以及将该第一成形混合物形成为覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一陶瓷填料前体组分可包含第一填充材料。该第一填料前体材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。
[0008]根据又另一个实施方案，一种形成印刷电路板的方法可包括提供铜箔和形成覆盖该铜箔的介电层。形成该介电层可包括：提供第一基于含氟聚合物的粘合剂层；提供覆盖该第一基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层；将第一树脂基质前体组分与第一陶瓷填料前体组分进行组合以形成第一成形混合物；以及将该第一成形混合物形成为覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层。该第一陶瓷填料前体组分可包含第一填充材料。该第一填料前体材料还可具有不大于约10微米的平均粒度。
附图说明
[0009]实施方案通过示例示出，并且不限于附图。
[0010]图1包括示出根据本文所述的实施方案的介电层形成方法的图；
[0011]图2a和图2b包括示出根据本文所述的实施方案形成的介电层的构型的图示；
[0012]图3包括示出根据本文所述的实施方案的覆铜层压板形成方法的图；
[0013]图4a和图4b包括示出根据本文所述的实施方案形成的覆铜层压板的构型的图示；
[0014]图5包括示出根据本文所述的实施方案的印刷电路板形成方法的图；并且
[0015]图6a和图6b包括示出根据本文所述的实施方案形成的印刷电路板的构型的图示。
[0016]技术人员应当理解，附图中的元件是为了简单和清楚而示出的，并且不必按比例绘制。
具体实施方式
[0017]以下讨论将集中于教导内容的具体实施方式和实施方案。提供详细描述以帮助描述某些实施方案，并且不应将其解释为对公开内容或教导内容的范围或适用性的限制。应当理解，可以基于本文提供的公开内容和教导内容使用其他实施方案。
[0018]术语“包含(comprises、comprising)”、“包括(includes、including)”、“具有(has、having)”或它们的任何其他变型形式旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或装置不必仅限于那些特征，而是可包括未明确列出的或此类方法、制品或装置固有的其他特征。此外，除非明确相反地陈述，否则“或”是指包含性的或，而不是排他性的或。例如，条件A或B由以下任一项满足：A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以及A和B两者均为真(或存在)。
[0019]另外，使用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这样做仅仅是为了方便和给出本专利技术范围的一般意义。该描述应被理解为包括一个、至少一个或单数，也包括复数，或反之亦然，除非清楚地表明其另有含义。例如，当在本文中描述单个项目时，可以使用多于一个项目来代替单个项目。类似地，在本文中描述多于一个项目的情况下，单个项目可替代该多于一个项目。
[0020]本文所述的实施方案一般涉及一种介电基底，该介电基底可包括第一基于含氟聚合物的粘合剂层、覆盖该基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层和覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层，其中该第一填充聚合物层可包含第一树脂基质组分和第一陶瓷填料组分。
[0021]首先参照形成介电基底的方法，图1包括示出根据本文所述的实施方案的用于形成介电基底的形成方法100的图。根据具体实施方案，形成方法100可包括提供第一基于含氟聚合物的粘合剂层的第一步骤110、提供覆盖该第一基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层的第二步骤120、将第一树脂基质前体组分与第一陶瓷填料前体组分进行组合以形成第一成形混合物的第三步骤130以及将该第一成形混合物形成为覆盖该聚酰亚胺层的第一填充聚合物层的第四步骤140。
[0022]根据再其他实施方案，该第一基于含氟聚合物的粘合剂层可具有特定的平均厚度。例如，该第一基于含氟聚合物的粘合剂层可以为至少约0.2微米，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种覆铜层压板，所述覆铜层压板包括铜箔层和覆盖所述铜箔层的介电基底，其中所述介电基底包括：第一基于含氟聚合物的粘合剂层、覆盖所述基于含氟聚合物的粘合剂层的聚酰亚胺层和覆盖所述聚酰亚胺层的第一填充聚合物层，其中所述第一填充聚合物层包含第一树脂基质组分；和第一陶瓷填料组分，其中所述第一陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中所述第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度。2.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一基于含氟聚合物的粘合剂层具有至少约0.2微米并且不大于约7微米的平均厚度。3.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一陶瓷填料组分的二氧化硅填充材料包含不大于约8的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D
90
‑
D
10
)/D
50
，其中D
90
等于所述二氧化硅填充材料的D
90
粒度分布测量值，D
10
等于所述第一填充材料的D
10
粒度分布测量值，并且D
50
等于所述第一填充材料的D
50
粒度分布测量值。4.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料还包含不大于约10m2/g的平均表面积。5.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料包含基于二氧化硅的化合物。6.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一填充材料包含二氧化硅。7.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中所述第一树脂基质组分包含全氟聚合物。8.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中相对于所述第一填充聚合物层的总体积，所述第一树脂基质组分的含量为至少约45体积％并且不大于约63体积％。9.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中相对于所述介电涂层的总体积，所述陶瓷填料组分的含量为至少约30体积％并且不大于约57体积％。10.根据权利要求1所述的覆铜层压板，其中相对于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美国圣戈班性能塑料公司，
类型：发明
国别省市：