MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。本发明专利技术能够快速地分离MOSFET的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体制备
中，成品的MOSFET通常会存在接口态缺陷，其主要是指MOSFET器件界面处的能带结构上发生的局部扰动，例如SiC MOSFET中接口层的缺陷，该缺陷会引起瞬时电性飘移，例如阈值电压Vth的漂移，使得Vth在不同的时间点或操作状态下不一致，导致MOSFET的工作不稳定。
[0003]在MOSFET老化测试过程中，由于接口态引起的瞬时电性飘移会对老化测试造成干扰，而该现象在固定频率开关中更为严重，原因是对接口缺陷快速充电，但是放电时间不够，其瞬时电性飘移在短时间内无法恢复，而该瞬时电性飘移会掩盖接口老化所造成的Vth负偏移现象，因此无法快速准确地得到老化测试结果。

技术实现思路

[0004]为了解决上述提出的至少一个技术问题，本专利技术提供一种MOSFET老化测试方法、装置、电子设备及存储介质，能够快速地分离MOSFET的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种MOSFET老化测试方法，所述方法包括：
[0006]设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；
[0007]利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
[0008]根据所述第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。
[0009]在一种可能实现的方式中，在所述利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值之后，还包括：
[0010]获取MOSFET在第二时段动作结束后的第二阈值电压函数；
[0011]根据所述第一阈值电压函数和所述第二阈值电压函数，确定阈值电压的偏压迟滞结果。
[0012]在一种可能实现的方式中，在所述确定阈值电压的偏压迟滞结果之后，还包括：
[0013]根据所述第一阈值电压函数和所述阈值电压的偏压迟滞结果，对所述MOSFET老化测试结果进行更新。
[0014]在一种可能实现的方式中，所述设置驱动电压信号，还包括：
[0015]在驱动电压信号的第一时段和第二时段之间增设第四时段，使得所述驱动电压信号在第四时段输出第四电压；所述第四电压与所述第三电压的大小相同。
[0016]在一种可能实现的方式中，在所述利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值之后，还包括：
[0017]获取MOSFET在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数；
[0018]根据所述第一阈值电压函数和所述第三阈值电压函数，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。
[0019]在一种可能实现的方式中，所述设置驱动电压信号，还包括：
[0020]控制所述驱动电压信号在所述第一时段后，以第一时段为周期，每间隔t时间输出所述第一电压；所述t时间为所述第二时段和所述第三时段之和。
[0021]在一种可能实现的方式中，所述设置驱动电压信号，还包括：
[0022]控制所述驱动电压信号在所述第二时段后，每间隔第三时段输出第二电压，以及在所述第三时段后，每间隔第二时段输出第三电压。
[0023]第二方面，本专利技术还提供了一种MOSFET老化测试装置，所述装置包括：
[0024]驱动电压信号设置单元，用于设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；
[0025]第一阈值电压函数获取单元，用于利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；
[0026]老化测试结果生成单元，用于根据所述第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。
[0027]第三方面，本专利技术还提供了一种电子设备，包括：处理器、发送装置、输入装置、输出装置和存储器，所述存储器用于存储计算机程序代码，所述计算机程序代码包括计算机指令，当所述处理器执行所述计算机指令时，所述电子设备执行如上述第一方面及其任意一种可能实现的方式的方法。
[0028]第四方面，本专利技术还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，所述程序指令当被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上述第一方面及其任意一种可能实现的方式的方法。
[0029]与传统的MOSFET老化测试方法相比，本专利技术首先设置驱动电压信号，使得驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中第三电压小于第一电压，且为正值，第二电压为负值；然后利用驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；最后根据第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。本专利技术能够快速地分离MOSFET的瞬时电性飘移与稳态电性漂移，从而快速准确地得到MOSFET器件的老化测试结果。
[0030]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本公开。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或
技术介绍
中的技术方案，下面将对本专利技术实施例或
技术介绍
中所需要使用的附图进行说明。
[0032]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，这些附图示出了符合本公
开的实施例，并与说明书一起用于说明本公开的技术方案。
[0033]图1为本专利技术实施例提供的一种MOSFET老化测试方法的流程示意图；
[0034]图2为一种传统高压老化测试中的栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0035]图3(a)为本专利技术某一实施例提供的老化测试中栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0036]图3(b)为在图3(a)的栅极驱动电压信号动作下获取Vth的原理示意图；
[0037]图4(a)为本专利技术另一实施例提供的老化测试中栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0038]图4(b)为在图4(a)的栅极驱动电压信号动作下获取Vth的原理示意图；
[0039]图5为本专利技术实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0040]图6为本专利技术另一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0041]图7为本专利技术又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0042]图8为本专利技术又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；
[0043]图9为本专利技术又一实施例提供的一种栅极驱动电压信号的波形示意图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET老化测试方法，其特征在于，所述方法包括：设置驱动电压信号，使得所述驱动电压信号在第一时段输出第一电压，在第二时段输出第二电压，在第三时段输出第三电压；其中，所述第三电压小于所述第一电压，且为正值，所述第二电压为负值；利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值，获取MOSFET在第三时段动作结束后的第一阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数确定MOSFET老化测试结果。2.根据权利要求1所述的MOSFET老化测试方法，其特征在于，在所述利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值之后，还包括：获取MOSFET在第二时段动作结束后的第二阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数和所述第二阈值电压函数，确定阈值电压的偏压迟滞结果。3.根据权利要求2所述的MOSFET老化测试方法，其特征在于，在所述确定阈值电压的偏压迟滞结果之后，还包括：根据所述第一阈值电压函数和所述阈值电压的偏压迟滞结果，对所述MOSFET老化测试结果进行更新。4.根据权利要求1所述的MOSFET老化测试方法，其特征在于，所述设置驱动电压信号，还包括：在驱动电压信号的第一时段和第二时段之间增设第四时段，使得所述驱动电压信号在第四时段输出第四电压；所述第四电压与所述第三电压的大小相同。5.根据权利要求4所述的MOSFET老化测试方法，其特征在于，在所述利用所述驱动电压信号为MOSFET的栅极电压赋值之后，还包括：获取MOSFET在第四时段动作结束后的第三阈值电压函数；根据所述第一阈值电压函数和所述第三阈值电压函数，确定阈值电压的瞬时电性正漂移结果。6.根据权利要求1或4任一项所述的M...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：