存储器老化测试方法技术

本公开提供一种存储器老化测试方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：对m组字线组并行的执行n次老化测试，其中每次老化测试包括：在预定时长内，通过第一目标子字线向每组字线组中与第一目标子字线耦接的第一目标偶数字线施加字线开启电压，通过第一剩余子字线向每组字线组中与第一剩余子字线耦接的第一剩余偶数字线施加字线关闭电压；通过第二目标子字线向每组字线组中与第二目标子字线耦接的第二目标奇数字线施加字线开启电压，通过第二剩余子字线向每组字线组中与第二剩余子字线耦接的第二剩余奇数字线施加字线关闭电压。本公开能够在满足测试时长的前提下，暴露出更多的weak的失效单元。多的weak的失效单元。多的weak的失效单元。

【技术实现步骤摘要】
存储器老化测试方法


[0001]本公开涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种存储器老化测试方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造技术中，老化测试是通过高温高压来加速产品的老化，已达到让轻微（weak）的失效单元（Fail Bit，FB）提前暴露出来的目的。然而老化测试因测试时长的限制导致压差（又称应力，stress）次数不够，从而失效单元无法被抓干净，也就是说，有些weak的失效单元无法通过老化测试暴露出来。

技术实现思路

[0003]本公开的目的在于提供一种存储器老化测试方法，能够在满足测试时长的前提下，暴露出更多的weak的失效单元。
[0004]本公开实施例提供了一种存储器老化测试方法，所述存储器包括阵列区域和子字线控制区域，所述子字线控制区域包括第一子字线控制区域和第二子字线控制区域，所述第一子字线控制区域中的第一子字线与所述阵列区域中的偶数字线耦接，所述第二子字线控制区域的第二子字线与所述阵列区域中的奇数字线耦接，所述阵列区域包括m个字线组，每个字线组包括n条字线，n和m均为大于1的正整数，该方法包括：对m组字线组并行的执行n次老化测试，以使得在n次老化测试中，每组字线组中的每根字线通过与其耦接的第一子字线或第二子字线施加的字线开启电压开启预定时长的2倍时长，其中每次老化测试包括：在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线；在所述预定时长内，通过所述第一目标子字线向每组字线组中与所述第一目标子字线耦接的第一目标偶数字线施加所述字线开启电压，通过所述第一剩余子字线向每组字线组中与所述第一剩余子字线耦接的第一剩余偶数字线施加字线关闭电压；通过所述第二目标子字线向每组字线组中与所述第二目标子字线耦接的第二目标奇数字线施加所述字线开启电压，通过所述第二剩余子字线向每组字线组中与所述第二剩余子字线耦接的第二剩余奇数字线施加所述字线关闭电压。
[0005]在本公开的一些示例性实施例中，所述第一子字线控制区域和所述第二子字线控制区域分别设置在所述阵列区域的相对两侧。
[0006]在本公开的一些示例性实施例中，在第一次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第1条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0007]在本公开的一些示例性实施例中，在第二次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第2条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0008]在本公开的一些示例性实施例中，在第三次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第2条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第2条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0009]在本公开的一些示例性实施例中，在第n次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第1条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的最后1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0010]在本公开的一些示例性实施例中，在第一次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第1条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第2条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0011]在本公开的一些示例性实施例中，在第二次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第2条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0012]在本公开的一些示例性实施例中，在第三次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第2条第一子字线为
所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第2条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0013]在本公开的一些示例性实施例中，在第n次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第1条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。
[0014]根据本公开的另一个方面，提供一种存储器老本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器老化测试方法，其特征在于，所述存储器包括阵列区域和子字线控制区域，所述子字线控制区域包括第一子字线控制区域和第二子字线控制区域，所述第一子字线控制区域中的第一子字线与所述阵列区域中的偶数字线耦接，所述第二子字线控制区域的第二子字线与所述阵列区域中的奇数字线耦接，所述阵列区域包括m个字线组，每个字线组包括n条字线，n和m均为大于1的正整数，所述方法包括：对m组字线组并行的执行n次老化测试，以使得在n次老化测试中，每组字线组中的每根字线通过与其耦接的第一子字线或第二子字线施加的字线开启电压开启预定时长的2倍时长，其中每次老化测试包括：在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线；在所述预定时长内，通过所述第一目标子字线向每组字线组中与所述第一目标子字线耦接的第一目标偶数字线施加所述字线开启电压，通过所述第一剩余子字线向每组字线组中与所述第一剩余子字线耦接的第一剩余偶数字线施加字线关闭电压；通过所述第二目标子字线向每组字线组中与所述第二目标子字线耦接的第二目标奇数字线施加所述字线开启电压，通过所述第二剩余子字线向每组字线组中与所述第二剩余子字线耦接的第二剩余奇数字线施加所述字线关闭电压。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一子字线控制区域和所述第二子字线控制区域分别设置在所述阵列区域的相对两侧。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第1条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在第二次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第2条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述第一剩余子字线；确定每组字线组对应的所述第二子字线控制区域中的第1条第二子字线为所述第二目标子字线，其它第二子字线为所述第二剩余子字线。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在第三次老化测试中，在每组字线组对应的所述第一子字线控制区域的第一子字线中确定出第一目标子字线及第一剩余子字线，在每组字线组对应的所述第二子字线控制区域的第二子字线中确定出第二目标子字线及第二剩余子字线，包括：
确定每组字线组对应的所述第一子字线控制区域中的第2条第一子字线为所述第一目标子字线，其它第一子字线为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：代宇，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：