芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请公开了一种芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，涉及电子芯片领域，芯片测试方法先对芯片的双倍速率同步动态随机存储器进行异常检测，在检测到双倍速率同步动态随机存储器无异常时，将测试固件写入芯片的通用闪存存储器，根据预设数据长度和预设地址，从通用闪存存储器读取第一校验数据，根据预设数据长度和预设地址，从测试固件中确定第二校验数据；将第一校验数据与第二校验数据进行比对，若第一校验数据和第二校验数据一致，确定通用闪存存储器的烧录功能无异常。能够对芯片的双倍速率同步动态随机存储器和通用闪存存储器进行测试，并能降低测试时长，提高测试效率。高测试效率。高测试效率。

【技术实现步骤摘要】
芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质


[0001]本申请涉及电子芯片领域，特别涉及一种芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]通用多芯片封装存储器芯片(UFS
‑
based Multichip Package，UMCP)由通用闪存存储器(Universal Flash Storage，UFS)和双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate，DDR)两部分组成，是智能设备的重要元器件，其稳定性决定着设备和系统的工作性能，对UMCP芯片的要求很高，在生产UMCP芯片时，需要对UMCP芯片进行测试。
[0003]但是，相关技术中，由于UMCP芯片中的UFS容量较大，在进行固件烧录测试时，耗时较长，导致效率较低。

技术实现思路

[0004]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种芯片测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，能够对芯片的双倍速率同步动态随机存储器和通用闪存存储器进行测试，并能降低测试时长，提高测试效率。
[0005]本申请第一方面实施例的芯片测试方法，包括：
[0006]对所述芯片的双倍速率同步动态随机存储器进行异常检测；
[0007]在检测到所述双倍速率同步动态随机存储器无异常时，将测试固件写入所述芯片的通用闪存存储器；
[0008]根据预设数据长度和预设地址，从所述通用闪存存储器读取第一校验数据；
[0009]根据所述预设数据长度和所述预设地址，从所述测试固件中确定第二校验数据；
[0010]将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常。
[0011]根据本申请实施例的芯片测试方法，至少具有如下有益效果：本申请实施例的芯片测试方法先对芯片的双倍速率同步动态随机存储器进行异常检测，在检测到双倍速率同步动态随机存储器无异常时，将测试固件写入芯片的通用闪存存储器，根据预设数据长度和预设地址，从通用闪存存储器读取第一校验数据，根据预设数据长度和预设地址，从测试固件中确定第二校验数据；将第一校验数据与第二校验数据进行比对，若第一校验数据和第二校验数据一致，确定通用闪存存储器的烧录功能无异常。本申请只对通用闪存存储器内存中预设地址，且数据长度为预设数据长度的第一校验数据进行验证，若第一校验数据和第二校验数据一致，确定通用闪存存储器的烧录功能无异常，无需对测试固件中所有数据进行校验，能够降低测试时长。因此，本申请的芯片测试方法能够对芯片的双倍速率同步动态随机存储器和通用闪存存储器进行测试，并能降低测试时长，提高测试效率。
[0012]根据本申请第一方面的一些实施例，所述预设数据长度包括第一长度和第二长度，所述预设地址包括预设首地址和预设末尾地址，所述第一校验数据包括第一首地址数
据和第一末尾校验数据；
[0013]所述根据预设数据长度和预设地址，从所述通用闪存存储器读取第一校验数据，包括：
[0014]读取所述通用闪存存储器的第一存储数据；
[0015]从所述存储数据读取所述第一首地址数据和所述第一末尾地址数据，其中，所述第一首地址数据的首地址为所述预设首地址，所述第一首地址数据的数据长度为所述第一长度，所述第一末尾地址数据的末尾地址为所述预设末尾地址，所述第一末尾地址数据的数据长度为所述第二长度。
[0016]根据本申请第一方面的一些实施例，所述第二校验数据包括第二首地址数据和第二末尾地址数据；
[0017]所述根据所述预设数据长度和所述预设地址，从所述测试固件中确定第二校验数据，包括：
[0018]从所述测试固件中确定所述第二首地址数据和所述第二末尾地址数据；其中，所述第二首地址数据的首地址为所述预设首地址，所述第二首地址数据的数据长度为所述第一长度，所述第二末尾地址数据的末尾地址为所述预设末尾地址，所述第二末尾地址数据的数据长度为所述第二长度。
[0019]根据本申请第一方面的一些实施例，所述将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常，包括：
[0020]将所述第一首地址数据和所述第二首地址数据进行比对，将所述第一末尾地址数据和所述第二末尾地址数据进行比对，若所述第一首地址数据与所述第二首地址数据一致，且所述第一末尾地址数据与所述第二末尾地址数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常。
[0021]根据本申请第一方面的一些实施例，所述对所述芯片的双倍速率同步动态随机存储器进行异常检测，包括：
[0022]生成测试数据；
[0023]将所述测试数据写入所述双倍速率同步动态随机存储器；
[0024]读取所述双倍速率同步动态随机存储器的第二存储数据；
[0025]将所述测试数据与所述第二存储数据进行比对，若所述测试数据与所述第二存储数据一致，确定所述双倍速率同步动态随机存储器无异常，确定所述芯片无异常。
[0026]根据本申请第一方面的一些实施例，在所述将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常之后，还包括：
[0027]在第一预设时间内，每间隔第二预设时间向所述双倍速率同步动态随机存储器、所述通用闪存存储器写入数据并读取数据，若在所述第一预设时间内，所述双倍速率同步动态随机存储器与所述通用闪存存储器均无异常。
[0028]根据本申请第一方面的一些实施例，在所述将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常之后，还包括：
[0029]对所述双倍速率同步动态随机存储器与所述通用闪存存储器进行格式化处理。
[0030]第二方面，本申请实施例提供了一种芯片测试装置，包括：
[0031]检测单元，用于对所述芯片的双倍速率同步动态随机存储器进行异常检测；
[0032]写入单元，用于在检测到所述双倍速率同步动态随机存储器无异常时，将测试固件写入所述芯片的通用闪存存储器；
[0033]读取单元，用于根据预设数据长度和预设地址，从所述通用闪存存储器读取第一校验数据；
[0034]确定单元，用于根据所述预设数据长度和所述预设地址，从所述测试固件中确定第二校验数据；
[0035]比对单元，用于将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常。
[0036]第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现第一方面实施例任一项所述的芯片测试方法。
[0037]第四方面，本申请实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片测试方法，其特征在于，包括：对所述芯片的双倍速率同步动态随机存储器进行异常检测；在检测到所述双倍速率同步动态随机存储器无异常时，将测试固件写入所述芯片的通用闪存存储器；根据预设数据长度和预设地址，从所述通用闪存存储器读取第一校验数据；根据所述预设数据长度和所述预设地址，从所述测试固件中确定第二校验数据；将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常。2.根据权利要求1所述的芯片测试方法，其特征在于，所述预设数据长度包括第一长度和第二长度，所述预设地址包括预设首地址和预设末尾地址，所述第一校验数据包括第一首地址数据和第一末尾校验数据；所述根据预设数据长度和预设地址，从所述通用闪存存储器读取第一校验数据，包括：读取所述通用闪存存储器的第一存储数据；从所述存储数据读取所述第一首地址数据和所述第一末尾地址数据，其中，所述第一首地址数据的首地址为所述预设首地址，所述第一首地址数据的数据长度为所述第一长度，所述第一末尾地址数据的末尾地址为所述预设末尾地址，所述第一末尾地址数据的数据长度为所述第二长度。3.根据权利要求2所述的芯片测试方法，其特征在于，所述第二校验数据包括第二首地址数据和第二末尾地址数据；所述根据所述预设数据长度和所述预设地址，从所述测试固件中确定第二校验数据，包括：从所述测试固件中确定所述第二首地址数据和所述第二末尾地址数据；其中，所述第二首地址数据的首地址为所述预设首地址，所述第二首地址数据的数据长度为所述第一长度，所述第二末尾地址数据的末尾地址为所述预设末尾地址，所述第二末尾地址数据的数据长度为所述第二长度。4.根据权利要求3所述的芯片测试方法，其特征在于，所述将所述第一校验数据与所述第二校验数据进行比对，若所述第一校验数据和所述第二校验数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常，包括：将所述第一首地址数据和所述第二首地址数据进行比对，将所述第一末尾地址数据和所述第二末尾地址数据进行比对，若所述第一首地址数据与所述第二首地址数据一致，且所述第一末尾地址数据与所述第二末尾地址数据一致，确定所述通用闪存存储器的烧录功能无异常。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢登煌，
申请(专利权)人：深圳市晶存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：