载脂蛋白E的C端片段及其在抑制γ分泌酶酶活中的应用制造技术

本发明专利技术涉及载脂蛋白E的C端片段及其在抑制γ分泌酶酶活中的应用。本发明专利技术提供的分离的多肽选自：(1)SEQ ID NO:12所示氨基酸序列的片段，该片段N端第一个氨基酸残基为SEQ ID NO:12第215

【技术实现步骤摘要】
载脂蛋白E的C端片段及其在抑制
γ
分泌酶酶活中的应用


[0001]本专利技术涉及载脂蛋白E的C端片段及其抑制γ分泌酶酶活中的应用。

技术介绍

[0002]γ分泌酶是90多种I型跨膜蛋白的剪切酶，参与了多种生物学过程。T
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细胞和B
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细胞分化异常，出血性腹泻，皮肤和毛发缺陷，阿尔茨海默症(Alzheimer
’
s disease,AD)等都与γ分泌酶的异常相关。γ分泌酶是四个蛋白组成的复合物：NCT、APH1、PEN2和presenilin1(PS1)或者presenilin2(PS2)。γ分泌酶的酶切活性中心是PS1或者PS2。现在已经发现多种PS1和PS2的突变会导致AD，PS1和PS2都是AD的致病基因，因此γ分泌酶是非常重要的药物靶点，特别是用于治疗AD。
[0003]AD是人类最常见的一种神经退行性疾病。AD患者主要表现为渐进性记忆障碍、认知功能障碍、人格改变及语言障碍等症状，进一步发展为自理能力丧失，最终死亡。我国是世界上AD患者数量最多的国家。截至2019年，我国有1000多万AD患者，呈每年递增趋势。超过80岁的人群患AD的概率超过40％。并且AD的治疗费用也非常高昂，是家庭和社会的极大负担。
[0004]在过去的几十年里，人们对AD致病机理的研究已经取得了很大的进展，提出了Aβ级联假说。该假说认为大脑中Aβ的过度产生、异常聚集是一系列严重而缓慢病变的起始原因，引起大脑内一系列生物过程异常，导致神经元上突触退化和神经元死亡。Aβ是由淀粉样前体蛋白(amyloid precursor protein,APP)经过β和γ分泌酶依次剪切产生的。在大脑中APP由神经元表达，Aβ生成之后被释放到细胞外，这一过程被称为APP的淀粉样代谢途径。在正常的生理状态下，大脑中生成的Aβ多是可溶性的。但是发生病变后，大脑中的Aβ大量异常聚集，形成沉积在神经元周边的淀粉样斑块，引发神经元的损伤，进一步引起脑组织的衰竭，最终导致AD。此外，淀粉样蛋白在大脑血管中异常聚集和沉淀会引发淀粉样脑血管病。APP除了被β和γ分泌酶剪切生成有毒性的Aβ外，还可以被α和γ分泌酶依次酶切。由于α分泌酶的酶切位点位于Aβ内部，所以α酶切产物不会生成Aβ，剪切片段没有神经毒性，不会导致AD，是APP的非淀粉样代谢途径。α和β酶切相互竞争，增加α分泌酶的酶切，Aβ的生成下降；同样地，减少γ分泌酶的酶切，也会减少Aβ的生成，减缓淀粉样斑块的形成，最后减缓甚至预防AD和淀粉样脑血管病的发生。多种以γ分泌酶为靶点的药物已经做过临床试验。
[0005]载脂蛋白E(Apolipoprotein E,ApoE)是在人体中广泛分泌的蛋白，在脑中可以与APP共同表达在神经元中。人源ApoE有三种异构体ApoE2、ApoE3、ApoE4；它们在结构和功能上高度相似，大致分为三个功能域，分别是包含与受体结合位点的N端功能域，包含与脂质结合位点的C端功能域，以及连接两端功能域的中间柔性铰链区。ApoE2、ApoE3和ApoE4仅在N端功能域有两个氨基酸残基不同，在C端功能域上的氨基酸序列完全相同。其中ApoE2具有保护作用，可以降低AD的发病风险；ApoE4是AD的最主要的风险因子，不仅能够显著增加患AD的风险，还能够显著提前患AD的发病年龄，加重AD病情。
[0006]目前为止，人们依然不清楚ApoE2和ApoE4如何改变AD的患病风险。

技术实现思路

[0007]本专利技术第一方面提供一种分离的多肽，选自：
[0008](1)SEQ ID NO:12所示氨基酸序列的片段，该片段N端第一个氨基酸残基为SEQ ID NO:12第215位、第216位、第217位、第218位、第219位、第220位或第221位的氨基酸残基，C端最后一个氨基酸残基为SEQ ID NO:12第274
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299位、优选第279
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299位中的任意一个位置上的氨基酸残基；
[0009](2)在(1)所述片段的氨基酸序列中经过取代、缺失或添加一个或多个氨基酸，同时保留(1)所述该多肽抑制γ分泌酶的酶切活性的多肽，或其氨基酸序列与(1)所述片段具有至少70％序列同一性并保留(1)所述该多肽抑制γ分泌酶的酶切活性的多肽。
[0010]在一个或多个实施方案中，所述氨基酸序列至少包括SEQ ID NO:32所示的氨基酸序列。
[0011]在一个或多个实施方案中，所述多肽的氨基酸序列如SEQ ID NO:13和18
‑
33任一所述。
[0012]本专利技术第二方面提供一种融合蛋白，该融合蛋白包括以下元件(1)和元件(2)：
[0013]元件(1)：穿膜肽，和
[0014]元件(2)：ApoE2的全长序列或ApoE2的至少包括SEQ ID NO:12第221
‑
274位氨基酸残基的片段；
[0015]其中，所述元件(1)和元件(2)之间通过肽键直接连接，或通过接头序列连接。
[0016]在一个或多个实施方案中，所述穿膜肽选自：
[0017]RQIKIWFQNRRMKWKK(SEQ ID NO:35)；
[0018]YGRKKRRQRRR(SEQ ID NO:36)；
[0019]KQAIPVAK(SEQ ID NO:37)；
[0020]RRRRNRTRRNRRRVR(SEQ ID NO:38)；
[0021]寡精氨酸(R9－R
12
)；
[0022]KLTRAQRRAAARKNKRNTRGC(SEQ ID NO:39)；
[0023]ALWKTLLKKVLKAPKKKRKVC(SEQ ID NO:40)；
[0024]RKKRRQRRR(SEQ ID NO:41)；
[0025]DAATATRGRSAASRPTERPRAPARSASRPRRPVE(SEQ ID NO:42)；
[0026]GWTLNSAGYLLGKINLKALAALAKKIL(SEQ ID NO:43)；
[0027]AGYLLGKINLKALAALAKKIL(SEQ ID NO:44)；和
[0028]YTAIAWVKAFIRKLRK(SEQ ID NO:45)；
[0029]在一个或多个实施方案中，元件(2)所述的ApoE2的至少包括SEQ ID NO:12第221
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274位氨基酸残基的片段选自：本文任一实施方案所述的多肽，和含有ApoE2的N端和铰链区以及C端至少第221
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274位氨基酸残基的片段；优选地，所述含有ApoE2的N端和铰链区以及C端至少第221
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274位氨基酸残基的片段选自：SEQ ID NO:12第1
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274位氨基酸残基，第1
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279位氨基酸残基，以及第1位到第280位、第281位、第2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分离的多肽，选自：(1)SEQ ID NO:12所示氨基酸序列的片段，该片段N端第一个氨基酸残基为SEQ ID NO:12第215位、第216位、第217位、第218位、第219位、第220位或第221位的氨基酸残基，C端最后一个氨基酸残基为SEQ ID NO:12第274
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299位、优选第279
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299位中的任意一个位置上的氨基酸残基；(2)在(1)所述片段的氨基酸序列中经过取代、缺失或添加一个或多个氨基酸，同时保留(1)所述该多肽抑制γ分泌酶的酶切活性的多肽，或其氨基酸序列与(1)所述片段具有至少70％序列同一性并保留(1)所述该多肽抑制γ分泌酶的酶切活性的多肽。2.如权利要求1所述的分离的多肽，其特征在于，所述氨基酸序列至少包括SEQ ID NO:32所示的氨基酸序列；优选地，所述多肽的氨基酸序列如SEQ ID NO:13和18
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33中任一所述。3.一种融合蛋白，该融合蛋白包括以下元件(1)和元件(2)：元件(1)：穿膜肽，和元件(2)：ApoE2的全长序列或ApoE2的至少包括SEQ ID NO:12第221
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274位氨基酸残基的片段；其中，所述元件(1)和元件(2)之间通过肽键直接连接或通过接头序列连接；优选地，所述穿膜肽选自：RQIKIWFQNRRMKWKK(SEQ ID NO:35)；YGRKKRRQRRR(SEQ ID NO:36)；KQAIPVAK(SEQ ID NO:37)；RRRRNRTRRNRRRVR(SEQ ID NO:38)；寡精氨酸(R9－R
12
)；KLTRAQRRAAARKNKRNTRGC(SEQ ID NO:39)；ALWKTLLKKVLKAPKKKRKVC(SEQ ID NO:40)；RKKRRQRRR(SEQ ID NO:41)；DAATATRGRSAASRPTERPRAPARSASRPRRPVE(SEQ ID NO:42)；GWTLNSAGYLLGKINLKALAALAKKIL(SEQ ID NO:43)；AGYLLGKINLKALAALAKKIL(SEQ ID NO:44)；和YTAIAWVKAFIRKLRK(SEQ ID NO:45)；优选地，元件(2)所述的ApoE2的至少包括SEQ ID NO:12第221
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274位氨基酸残基的片段选自：权利要求1
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2中任一项所述的多肽，和含有ApoE2的N端和铰链区以及C端至少第221
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274位氨基酸残基的片段；优选地，所述含有ApoE2的N端和铰链区以及C端至少第221
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274位氨基酸残基的片段选自：SEQ ID NO:12第1
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274位氨基酸残基，第1<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈椰林，侯祥龙，耿泱，张雪馨，
申请(专利权)人：斯莱普泰上海生物医药科技有限公司，
类型：发明
国别省市：