一种用于超低负载加热的SGT-MOS器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于超低负载加热的SGT

【技术实现步骤摘要】
一种用于超低负载加热的SGT
‑
MOS器件


[0001]本技术涉及SGT
‑
MOS器件
，尤其涉及一种用于超低负载加热的SGT
‑
MOS器件。

技术介绍

[0002]SGT MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFET的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFET作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域的电机驱动系统、逆变器系统及电源管理系统，是核心功率控制部件。SGT MOSFET会被用到具备超低负载加热功能设备的电路系统中，SGT MOSFET在焊接于电路板上的过程中，其若受外界碰撞后，引脚容易受到损坏。
[0003]现有技术CN218351448U公开了一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件,包括器件本体，所述器件本体表面的两侧均固定连接有固定板，且两个固定板之间固定连接有若干散热鳍片，可以对MOSFET器件和引脚进行保护，避免受到外界因素而发生破损，同时还可以对其进行散热处理，并提高其的使用寿命，解决了目前的MOSFET器件不方便进行散热，且无法对MOSFET器件和其的引脚进行保护的问题。
[0004]但上述现有技术存在以下问题：
[0005](1)在将防护壳与连接板之间进行固定时，限位球需要时刻用手指挤压，而手指的位置会阻碍限位球进入防护壳内部，并且在拆卸时，还需要借助到细杆或其它辅助工具才能按压到限位球，人员操作费时费力，比较繁琐。
[0006](2)防护壳与MOS器件之间使用多个螺栓进行固定，固定和拆卸都需多次操作，比较费时费力，并且螺栓较小，容易掉落，影响工作进程。
[0007]因此，有必要提供一种用于超低负载加热的SGT
‑
MOS器件，以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0008]本技术克服了现有技术的不足，提供一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件。
[0009]为达到上述目的，本技术采用的技术方案为：一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，包括：MOS器件本体，设置于所述MOS器件本体外部的防护壳，以及设置于所述防护壳下侧的引脚保护套；
[0010]所述引脚保护套的上表面固定设置有连接板，所述防护壳套装于所述连接板的外部，所述防护壳的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽和半圆限位槽，所述连接板靠近所述椭圆活动槽的一侧设置有连接机构；
[0011]所述连接机构包括：固定设置于所述连接板外表面的横杆，以及套装于所述连接板外部的活动套筒；所述活动套筒靠近所述连接板的一侧设置有弹簧套筒，所述弹簧套筒的外表面设置有定位板，所述定位板的下表面与所述半圆限位槽的内底面抵接。
[0012]本技术一个较佳实施例中，所述连接板的外表面设置有第一压缩弹簧，所述第一压缩弹簧的另一端为自由端，且与活动套筒的外表面抵接。
[0013]本技术一个较佳实施例中，所述第一压缩弹簧套装于所述横杆的外部，且活动设置于所述弹簧套筒的内侧。
[0014]本技术一个较佳实施例中，所述活动套筒的内侧壁开设有限位槽，所述横杆的外端固定设置有限位板，所述限位板的外表面与所述限位槽的内侧壁滑动连接。
[0015]本技术一个较佳实施例中，所述椭圆活动槽贯穿所述防护壳的侧壁，所述活动套筒设置于所述椭圆活动槽的内部，且沿所述椭圆活动槽的长度方向活动，所述活动套筒的外端固定设置有转动部。
[0016]本技术一个较佳实施例中，所述半圆限位槽设置于所述椭圆活动槽的内侧，所述半圆限位槽从所述防护壳的内侧壁往外延伸，且不贯穿所述防护壳的侧壁，所述活动套筒转动设置于所述半圆限位槽内部。
[0017]本技术一个较佳实施例中，所述防护壳的两侧面均开设有方槽，所述方槽的内部设置有固定机构。
[0018]本技术一个较佳实施例中，所述固定机构包括：安装板，以及活动设置于所述方槽内部的拉杆；所述安装板固定在所述方槽的外侧，所述安装板的外表面开设有通孔，所述拉杆插接于所述通孔的内部，所述拉杆的外端设置有拉拽部。
[0019]本技术一个较佳实施例中，所述MOS器件本体靠近所述方槽的一侧开设有固定槽，所述拉杆的一端固定设置有固定板，所述固定板卡接于所述固定槽的内部。
[0020]本技术一个较佳实施例中，所述安装板的一侧固定设置有第二压缩弹簧，所述第二压缩弹簧的另一端与所述固定板的外表面固定连接。
[0021]本技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷，本技术具备以下有益效果：
[0022](1)防护壳与引脚保护套的设置，可以对MOS器件本体及其引脚进行保护，避免因误碰造成损伤，设置的连接机构，方便对引脚保护套的安装与拆卸，操作简单，相对于现有技术，解决了对引脚保护套进行安装和拆卸的时候，操作较为繁琐，费时费力的问题。
[0023](2)固定机构的设置，将防护壳与MOS器件本体之间的固定操作得到了简化，防护壳的安装和拆卸更加的方便，操作更加容易，省时省力，工作进程得到了加快。
附图说明
[0024]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明；
[0025]图1是本技术的优选实施例的立体结构图；
[0026]图2是本技术的优选实施例的MOS器件本体立体结构图；
[0027]图3是本技术的优选实施例的正式剖面结构图；
[0028]图4是本技术的优选实施例的定位板与半圆限位槽连接结构图；
[0029]图5是本技术的优选实施例的局部A放大结构图；
[0030]图6是本技术的优选实施例的局部B放大结构图。
[0031]图中：1、MOS器件本体；11、固定槽；2、防护壳；21、椭圆活动槽；22、半圆限位槽；23、方槽；3、引脚保护套；31、连接板；4、连接机构；41、横杆；42、活动套筒；43、限位槽；44、限位板；45、弹簧套筒；46、第一压缩弹簧；47、定位板；48、转动部；5、固定机构；51、安装板；52、拉杆；53、固定板；54、第二压缩弹簧；55、拉拽部。
具体实施方式
[0032]现在结合附图和实施例对本技术作进一步详细的说明，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。
[0033]实施例1
[0034]如图1和图2所示，一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，包括：MOS器件本体1，设置于MOS器件本体1外部的防护壳2，以及设置于防护壳2下侧的引脚保护套3；
[0035]本实施例中的防护壳2及引脚保护套3分别用于保护MOS器件本体1和其引脚。
[0036]如图3所示，引脚保护套3的上表面固定设置有连接板31，防护壳2套装于连接板31的外部，防护壳2的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽21和半圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，包括：MOS器件本体(1)，设置于所述MOS器件本体(1)外部的防护壳(2)，以及设置于所述防护壳(2)下侧的引脚保护套(3)，其特征在于：所述引脚保护套(3)的上表面固定设置有连接板(31)，所述防护壳(2)套装于所述连接板(31)的外部，所述防护壳(2)的两个短边的下表面均开设有椭圆活动槽(21)和半圆限位槽(22)，所述连接板(31)靠近所述椭圆活动槽(21)的一侧设置有连接机构(4)；所述连接机构(4)包括：固定设置于所述连接板(31)外表面的横杆(41)，以及套装于所述连接板(31)外部的活动套筒(42)；所述活动套筒(42)靠近所述连接板(31)的一侧设置有弹簧套筒(45)，所述弹簧套筒(45)的外表面设置有定位板(47)，所述定位板(47)的下表面与所述半圆限位槽(22)的底面抵接。2.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，其特征在于：所述连接板(31)的外表面设置有第一压缩弹簧(46)，所述第一压缩弹簧(46)的另一端为自由端，且与活动套筒(42)的外表面抵接。3.根据权利要求2所述的一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，其特征在于：所述第一压缩弹簧(46)套装于所述横杆(41)的外部，且活动设置于所述弹簧套筒(45)的内侧。4.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，其特征在于：所述活动套筒(42)的内侧壁开设有限位槽(43)，所述横杆(41)的外端固定设置有限位板(44)，所述限位板(44)的外表面与所述限位槽(43)的内侧壁滑动连接。5.根据权利要求1所述的一种用于超低负载加热的SGT
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MOS器件，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：余嫚玲，
申请(专利权)人：深圳市芯歌电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：