本发明专利技术公开了一种带补偿结构的激光器芯片载体，载体包括第一载体层和第二载体层，第一载体层设置在第二载体层上；第一载体层的第一预设位置上设置有贴装区，贴装区用于贴装芯片；贴装区一端延伸出至少两个第一金属区，第一金属区延伸的末端设置有矩形金属区，便于对地平产生载体寄生电容；第一载体层上表面还设置有集成电阻和集成电容，第二载体层上表面第二预设位置设置有集成电感；激光器芯片的一极与集成电感的一端连接，形成串接关系；载体寄生电容的一端与集成电阻的一端连接，形成串接关系，集成电容的一端和集成电阻的另一端分别与集成电感的另一端连接，集成电容和载体寄生电容的另一端分别与激光器芯片另一极连接，形成补偿带宽的电路。成补偿带宽的电路。成补偿带宽的电路。
【技术实现步骤摘要】
一种带补偿结构的激光器芯片载体
[0001]本专利技术涉及整形及光通讯有源封装领域，尤其涉及一种带补偿结构的激光器芯片载体。
技术介绍
[0002]近年受疫情及复杂社会环境的影响，社会数字化、网络化、智能化进程加速发展。新环境下的远程办公、远程教育等模式对网络的速率、带宽的需求日益增多；多种ICT(Information and Communications Technology，信息通信领域技术)技术融合发展和各行各业加快数字化转型，都在促使全球数据流量迎来新一轮爆发式增长，传统增加光电激光器芯片带宽的方法，通常对光电激光器芯片自身进行更新升级，以获取更高的带宽。
[0003]光电激光器芯片通常设置在载体上，当光电激光器芯片的带宽提升到一定程度，并且此时光电激光器芯片的带宽无法通过自身更新进行提升时，对于光电激光器芯片的使用往往会受到制约，使得光电激光器芯片的使用很难满足市场的需求。
[0004]鉴于此，如何克服现有技术所存在的缺陷，解决上述技术问题，是本
待解决的难题。
技术实现思路
[0005]本专利技术所要解决的技术问题是当光电激光器芯片无法通过自身更新升级提升带宽时，如何解决光电激光器芯片受带宽制约的问题。
[0006]本专利技术是这样实现的：
[0007]第一方面，本专利技术提供一种带补偿结构的激光器芯片载体，包括第一载体层1和第二载体层2，其中，所述第一载体层1设置在所述第二载体层2上；
[0008]所述第一载体层1的上表面第一预设位置上设置有贴装区11，所述贴装区11用于贴装激光器芯片；
[0009]所述贴装区11的一端延伸出至少两个第一金属区12，所述第一金属区12延伸的末端设置有矩形金属区13，所述第二载体层2上设置有地平区21，以便于所述矩形金属区13对所述地平区21产生载体寄生电容3；
[0010]所述第一载体层1上表面还设置有集成电阻14和集成电容15，所述第二载体层2上表面第二预设位置设置有集成电感4；
[0011]所述激光器芯片、集成电感4、载体寄生电容3和集成电阻14依次串接为电性互连关系；所述集成电感4与所述载体寄生电容3连接处引出金丝与所述集成电容15的一极电性连接，所述集成电阻14与所述激光器芯片对应电极的连接处引出金丝与所述集成电容15的另一极电性连接，以形成补偿激光器芯片带宽的补偿电路。
[0012]优选的，所述第一金属区12与所述贴装区11连接的一端设置为倒立漏斗形，以减少射频信号传输到激光器芯片时的发射。
[0013]优选的，所述第一载体层1和所述第二载体层2之间设置有绝缘层，以避免产生电
串扰。
[0014]优选的，所述第一载体层1上设置有至少一个与所述第一金属区12并行的金属化层16，所述金属化层16上设置有贯穿绝缘层并朝向第二载体层2延伸的金属化孔17，所述金属化孔17的一端与所述金属化层16连接，所述金属化孔17的另一端与所述集成电感4的一端连接。
[0015]优选的，所述至少两个第一金属12区沿所述贴装区11呈中心对称分布设置。
[0016]优选的，所述矩形金属区13的尺寸大于等于0.15mm
×
0.15mm，且小于等于0.25mm
×
0.25mm。
[0017]优选的，所述第一载体层1和第二载体层2均采用氮化铝陶瓷或硅基材料制成。
[0018]第二方面，本专利技术还提供了一种带补偿结构的激光器芯片载体，包括第一载体层1和第二载体层2，其中，所述第一载体层1设置在所述第二载体层2上；
[0019]所述第一载体层1的上表面第一预设位置上设置有贴装区11，所述贴装区11用于贴装激光器芯片；
[0020]所述贴装区11的一端延伸出至少两个第一金属区12，所述第一金属区12延伸的末端设置有矩形金属区13，所述第二载体层2上设置有地平区21，以便于对所述地平产生载体寄生电容3；
[0021]所述第一载体层1上表面还设置有集成电阻14、集成电容15和集成电感4；
[0022]所述激光器芯片的一极与所述集成电感4的一端连接，以便于将所述激光器芯片与所述集成电4形成串接的电性互连关系；所述载体寄生电容3的一端与所述集成电阻14的一端连接，形成串接的电性互连关系，所述集成电容15的一端和所述集成电阻14的另一端分别与所述集成电感4的另一端电性连接，所述集成电容15的另一端和载体寄生电容3的另一端分别与所述激光器芯片的另一极电性连接，以形成补偿激光器芯片带宽的补偿电路。
[0023]优选的，所述第一金属区12与所述贴装区11连接的一端设置为倒立漏斗形，以减少射频信号传输到激光器芯片时的发射。
[0024]优选的，所述第一载体层1采用氮化铝陶瓷或硅基材料制成。
[0025]本专利技术所采取的以上技术方案与现有技术相比，具有如下有益效果：
[0026]本专利技术实施例的带补偿结构的激光器芯片载体包括第一载体层1和第二载体层2，通过在载体的第一载体层1和第二载体层2的对应位置上设置的集成电感4、集成电容15、载体寄生电容3和集成电阻14，利用激光器芯片本身的寄生参数(如：寄生电容、光电流感应等效电阻、结寄生电容及金丝带来的寄生电感等)，在高频处产生额外的谐振，对激光器芯片带宽产生补偿，以增加激光器芯片的带宽。
附图说明
[0027]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0028]图1为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体的整体结构示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体的第一载体层的结构示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体的第二载体层的结构示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体对激光器芯片进行增益的电路图；
[0032]图5为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体的整体结构示意图；
[0033]图6为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体的第一载体层的结构示意图；
[0034]图7为本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体的第二载体层的结构示意图；
[0035]图8为本专利技术实施例提供的现有技术中未使用载体对激光器芯片进行增益的电路图；
[0036]图9为现有技术未对激光器芯片进行增益与本专利技术实施例提供的一种带补偿结构的激光器芯片载体对激光器芯片进行增益的效果比对图；
[0037]其中，附图标记为：
[0038]1‑
第一载体层；11
‑
贴装区；12
‑
第一金属区；13
‑
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种带补偿结构的激光器芯片载体，其特征在于，包括第一载体层(1)和第二载体层(2)，其中，所述第一载体层(1)设置在所述第二载体层(2)上；所述第一载体层(1)的上表面第一预设位置上设置有贴装区(11)，所述贴装区(11)用于贴装激光器芯片；所述贴装区(11)的一端延伸出至少两个第一金属区(12)，所述第一金属区(12)延伸的末端设置有矩形金属区(13)，所述第二载体层(2)上设置有地平区(21)，以便于所述矩形金属区(13)对所述地平区(21)产生载体寄生电容(3)；所述第一载体层(1)上表面还设置有集成电阻(14)和集成电容(15)，所述第二载体层(2)上表面第二预设位置设置有集成电感(4)；所述激光器芯片的一极与所述集成电感(4)的一端连接，以便于将所述激光器芯片与所述集成电(4)形成串接的电性互连关系；所述载体寄生电容(3)的一端与所述集成电阻(14)的一端连接，形成串接的电性互连关系，所述集成电容(15)的一端和所述集成电阻(14)的另一端分别与所述集成电感(4)的另一端电性连接，所述集成电容(15)的另一端和载体寄生电容(3)的另一端分别与所述激光器芯片的另一极电性连接，以形成补偿激光器芯片带宽的补偿电路。2.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体，其特征在于，所述第一金属区(12)与所述贴装区(11)连接的一端设置为倒立漏斗形，以减少射频信号传输到激光器芯片时的发射。3.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体，其特征在于，所述第一载体层(1)和所述第二载体层(2)之间设置有绝缘层，以避免产生电串扰。4.根据权利要求3所述的带补偿结构的激光器芯片载体，其特征在于，所述第一载体层(1)上设置有至少一个与所述第一金属区(12)并行的金属化层(16)，所述金属化层(16)上设置有贯穿绝缘层并朝向第二载体层(2)延伸的金属化孔(17)，所述金属化孔(17)的一端与所述金属化层(16)连接，所述金属化孔(17)的另一端与所述集成电感(4)的一端连接。5.根据权利要求1所述的带补偿结构的激光器芯片载体，其特征在于，所述至少两个第一金属(12)区沿所述贴装区...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋小平，刘成刚，湛红波，
申请(专利权)人：武汉光迅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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