【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于治疗病毒感染的化合物和方法
[0001]交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月27日提交的美国临时申请63/071,134、于2021年3月17日提交的美国临时申请63/162,283和于2021年6月25日提交的美国临时申请63/215,310的优先权,出于所有目的将这些临时申请中的每一者全文并入本文中。
技术介绍
[0003]需要用于治疗病毒感染例如副粘病毒科(paramyxoviridae)、肺病毒科(pneumoviridae)、小核糖核酸病毒科(picornaviridae)、黄病毒科(flaviviridae)、丝状病毒科(filoviridae)、沙粒病毒科(arenaviridae)、正粘病毒(orthomyxovirus)和冠状病毒科(coronaviridae)感染的化合物和方法。本公开解决了上述和其他需求。
技术实现思路
[0004]本公开提供了式I的化合物:
[0005][0006]或其药学上可接受的盐,其中:
[0007]R1是OH、OCOR4或OC(O)OR4;R2是OH、OCOR5或OC(O)OR5;或者
[0008]R1和R2一起形成
‑
OC(O)O
‑
或
‑
OCHR6O
‑
;其中
[0009]R6是H、C1‑
C6烷基或C6‑
C
10
芳基;
[0010]R3是H、COR7或COOR7;
[0011]R4、R5和 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种式I的化合物:或其药学上可接受的盐,其中:R1是OH、OCOR4或OC(O)OR4;R2是OH、OCOR5或OC(O)OR5;或者R1和R2一起形成
‑
OC(O)O
‑
或
‑
OCHR6O
‑
;其中R6是H、C1‑
C6烷基或C6‑
C
10
芳基;R3是H、COR7或COOR7;R4、R5和R7各自独立地是C1‑
C8烷基、C2‑
C8烯基、C2‑
C8炔基、C3‑
C8碳环基、C6‑
C
10
芳基,或含有1、2或3个选自N、O和S的杂原子的5至6元杂芳基;其中R4、R5和R7各自独立地任选地被一个、两个或三个取代基取代,所述取代基独立地选自由以下项组成的组:卤素、氰基、
‑
N3、
‑
OR8、
‑
NR9R
10
和任选地被一个、两个或三个独立地选自卤基、氰基和C1‑
C6烷基的取代基取代的苯基;并且每个R8独立地是H、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基和C3‑
C6环烷基;每个R9独立地是H、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基和C3‑
C6环烷基;每个R
10
独立地是H、C1‑
C6烷基、C1‑
C6卤代烷基和C3‑
C6环烷基;并且碱基是其中R
11
是被
‑
OP(O)(OH)2取代的C1‑
C6烷基;前提条件是当R3是H时,则R1是OCOR4或OC(O)OR4;或者R2是OCOR5或OC(O)OR5;或者R1和R2一起形成
‑
OC(O)O
‑
或
‑
OCHR6O
‑
。2.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R3是COR7或COOR7。3.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中碱基是4.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中碱基是5.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中碱基是
6.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中碱基是7.根据权利要求1至6中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1是OH、OCOR4或OC(O)OR4并且R2是OH、OCOR5或OC(O)OR5。8.根据权利要求1至7中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1是OH。9.根据权利要求1至8中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R2是OH。10.根据权利要求1至7中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1是OCOR4或OC(O)OR4。11.根据权利要求1至8和10中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R2是OCOR5或OC(O)OR5。12.根据权利要求1至7、10和11中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1是OCOR4。13.根据权利要求1至8和10至12中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R2是OCOR5。14.根据权利要求1至7、10和11中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1是OC(O)OR4。15.根据权利要求1至8和10至14中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R2是OC(O)OR5。16.根据权利要求1至15中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R4和R5各自独立地是C1‑
C8烷基。17.根据权利要求1至16中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R4和R5以及R7各自独立地是C1‑
C8烷基。18.根据权利要求1至17中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R4和R5各自独立地是C1‑
C6烷基。19.根据权利要求1至18中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R4和R5各自独立地是C1‑
C3烷基。20.根据权利要求1至19中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R4和R5各自独立地是甲基、乙基或异丙基。21.根据权利要求1至20中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R7是任选地被一个、两个或三个取代基取代的C1‑
C8烷基,所述取代基独立地选自由以下项组成的组:NR9R
10
和任选地被一个、两个或三个独立地选自卤基、氰基和C1‑
C6烷基的取代基取代的苯基。22.根据权利要求1至21中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R7是任选地被一个、两个或三个取代基取代的C1‑
C8烷基,所述取代基独立地选自由以下项组成的组:苯基和NR9R
10
。23.根据权利要求1至22中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R7是任选地被一个取代基取代的C1‑
C8烷基,所述取代基选自由以下项组成的组:苯基和NR9R
10
。24.根据权利要求1至23中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R7是任选
地被一个、两个或三个取代基取代的C1‑
C4烷基,所述取代基独立地选自由以下项组成的组:苯基和NR9R
10
。25.根据权利要求1至23中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R7选自由以下项组成的组:
‑
CH3、
‑
CH2CH3、、26.根据权利要求1至24中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R7选自由以下项组成的组:
‑
CH3、
‑
CH2CH3、、27.根据权利要求1至25中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中每个R9是H并且每个R
10
是H。28.根据权利要求1至6和16至26中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1和R2一起形成
‑
OC(O)O
‑
或
‑
OCHR6O
‑
。29.根据权利要求1至6和16至27中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1和R2一起形成
‑
OC(O)O
‑
。30.根据权利要求1至6和16至27中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R1和R2一起形成OCHR6O
‑
。31.根据权利要求1至29中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R6是C6‑
C
10
芳基。32.根据权利要求1至30中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R6是苯基。33.根据权利要求1至31中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R
11
是
‑
CH2OP(O)(OH)2。34.根据权利要求1至32中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R3是COR7。35.根据权利要求1至32中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R3是COOR7。36.根据权利要求1至32中任一项所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中R3是H。37.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中所述化合物选自由以下项组成的组:
38.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中所述化合物是39.根据权利要求1所述的化合物或其药学上可接受的盐,其中所述化合物选自由以下项组成的组:
40.一种下式的化合物的结晶形式:其中所述结晶形式的特征在于在约8.5
°
、22.1
°
和23.8
°
下具有度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)的XRPD图案。41.根据权利要求40所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在15.4
°
、16.9
°
和28.1
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。42.根据权利要求40或41所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在15.4
°
、16.9
°
和28.1
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。
43.根据权利要求40至42中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在15.4
°
、16.9
°
和28.1
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者。44.根据权利要求40或41所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在8.5
°
、15.4
°
、16.9
°
、22.1
°
、23.8
°
和28.1
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。45.根据权利要求40至44中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.5
°
、17.5
°
和27.5
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。46.根据权利要求40至45中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.5
°
、17.5
°
和27.5
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。47.根据权利要求40至45中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在8.5
°
、10.5
°
、15.4
°
、16.9
°
、17.5
°
、22.1
°
、23.8
°
、27.5
°
和28.1
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。48.根据权利要求40所述的结晶形式,其中所述XRPD图案基本上如图10所示。49.根据权利要求40至48中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图11所示的差示扫描量热法(DSC)图案。50.根据权利要求40至49中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图12中所示的热重量分析(TGA)图案。51.一种下式的化合物的结晶形式:其中所述结晶形式的特征在于在约6.4
°
、13.7
°
和16.3
°
下具有度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)的XRPD图案。52.根据权利要求51所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在18.4
°
、20.8
°
和23.3
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。53.根据权利要求51或52所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在18.4
°
、20.8
°
和23.3
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。54.根据权利要求51至53中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在18.4
°
、20.8
°
和23.3
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者。55.根据权利要求51或52所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在6.4
°
、13.7
°
、16.3
°
、18.4
°
、20.8
°
和23.3
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。56.根据权利要求51至55中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在25.4
°
下的度2θ反射。57.根据权利要求51所述的结晶形式,其中所述XRPD图案基本上如图13所示。58.根据权利要求51至57中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图14所示的差示扫描量热法(DSC)图案。59.根据权利要求51至58中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图15中所示的热重量分析(TGA)图案。60.一种下式的化合物的结晶形式:
其中所述结晶形式的特征在于在约9.8
°
、16.0
°
和25.4
°
下具有度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)的XRPD图案。61.根据权利要求60所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.2
°
、19.1
°
和26.9
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。62.根据权利要求60或61所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.2
°
、19.1
°
和26.9
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。63.根据权利要求60至62中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.2
°
、19.1
°
和26.9
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者。64.根据权利要求60或61所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在9.8
°
、10.2
°
、16.0
°
、19.1
°
、25.4
°
和26.9
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。65.根据权利要求60至64中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.4
°
、19.8
°
和20.7
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。66.根据权利要求60至65中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在10.4
°
、19.8
°
和20.7
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。67.根据权利要求60至65中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在9.8
°
、10.2
°
、10.4
°
、16.0
°
、19.1
°
、19.8
°
、20.7
°
、25.4
°
和26.9
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。68.根据权利要求60所述的结晶形式,其中所述XRPD图案基本上如图16所示。69.根据权利要求60至68中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图17所示的差示扫描量热法(DSC)图案。70.根据权利要求60至69中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图18中所示的热重量分析(TGA)图案。71.一种下式的化合物的昔萘酸盐:72.一种根据权利要求71所述的昔萘酸盐的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于在4.0
°
、12.2
°
和14.8
°
下具有度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)的XRPD图案。73.根据权利要求72所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在6.2
°
、12.9
°
和26.6
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。74.根据权利要求72或73所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在6.2
°
、12.9
°
和26.6
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。75.根据权利要求72至74中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在6.2
°
、12.9
°
和26.6
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者。76.根据权利要求72或73所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在4.0
°
、6.2
°
、
12.2
°
、12.9
°
、14.8
°
和26.6
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。77.根据权利要求72至76中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在7.8
°
、10.3
°
和15.7
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。78.根据权利要求72至77中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在7.8
°
、10.3
°
和15.7
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。79.根据权利要求72至77中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在4.0
°
、6.2
°
、7.8
°
、10.3
°
、12.2
°
、12.9
°
、14.8
°
、15.7
°
和26.6
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。80.根据权利要求72所述的结晶形式,其中所述XRPD图案基本上如图19所示。81.根据权利要求72至80中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图20所示的差示扫描量热法(DSC)图案。82.根据权利要求72至81中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图21中所示的热重量分析(TGA)图案。83.一种下式的化合物的HCl盐:84.一种根据权利要求83所述的HCl盐的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于在5.9
°
、14.0
°
和24.3
°
下具有度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)的XRPD图案。85.根据权利要求84所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在11.7
°
、16.7
°
和23.9
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。86.根据权利要求84或85所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在11.7
°
、16.7
°
和23.9
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。87.根据权利要求84至86中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在11.7
°
、16.7
°
和23.9
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者。88.根据权利要求84或85所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在5.9
°
、11.7
°
、14.0
°
、16.7
°
、23.9
°
和24.3
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。89.根据权利要求84至88中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在14.2
°
、19.7
°
和22.4
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者、两者或三者。90.根据权利要求84至89中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案还包括在14.2
°
、19.7
°
和22.4
°
下的所述度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)中的一者或两者。91.根据权利要求84至89中任一项所述的结晶形式,其中所述XRPD图案包括在5.9
°
、11.7
°
、14.0
°
、14.2
°
、16.7
°
、19.7
°
、22.4
°
、23.9
°
和24.3
°
下的度2θ反射(+/
‑
0.2度2θ)。92.根据权利要求84所述的结晶形式,其中所述XRPD图案基本上如图22所示。93.根据权利要求84至92中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上如图23所示的差示扫描量热法(DSC)图案。94.根据权利要求84至93中任一项所述的结晶形式,其中所述结晶形式的特征在于基本上...
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