【技术实现步骤摘要】
一种MOS管温度冗余保护方法
[0001]本专利技术涉及直流电机检测
，具体涉及一种MOS管温度冗余保护方法。
技术介绍
[0002]在直流电机使用的过程中，为了检测MOS管温度进行热保护时，通常将NTC温度传感器放置在MOS管附近进行测温,如图1所示；使用NTC对MOS进行测温，NTC测量温度传感器检测的MOS管的温度与放置位置有关，且温度采样有一定滞后性，且采集温度的准确性不高，存在一定的误差。
[0003]因此，提供一种利用MOS管的温度特性进行温度冗余保护的MOS管温度冗余保护方法，已是一个值得研究的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种用MOS管的温度特性进行温度冗余保护的MOS管温度冗余保护方法。
[0005]本专利技术的目的是这样实现的：一种MOS管温度冗余保护方法，包括以下步骤：步骤1：确定需要检测的电流，根据实际工况需求设定需要检测的电流，比如工作时电流为10A，可根据实际工况设置检测电流为10A。目的是利用MOS管温度特性获得温度数据；步骤2：实验室对步骤1中的电流在不同温度下MOS管的电压VSD进行标定，由步骤1确定电流，对该电流不同温度下MOS管的电压V
SD
进行标定，以获得温度，电流，电压V
SD 三者关系；步骤3：设置自由续流时间并检测电压V
SD
，根据电流和电压V
SD
得出当前MOS管温度，以对MOS管进行保护；开关Q2和开关Q4的PWM暂停发波，进入自由续流时间，检...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MOS管温度冗余保护方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1：确定需要检测的电流，根据实际工况需求设定需要检测的电流，目的是利用MOS管温度特性获得温度数据；步骤2：实验室对步骤1中的电流在不同温度下MOS管的电压V
SD
进行标定，由步骤1确定电流，对该电流不同温度下MOS管的电压V
SD
进行标定，以获得温度，电流，电压V
SD 三者关系；步骤3：设置自由续流时间并检测电压V
SD
，根据电流和电压V
SD
得出当前MOS管温度，以对MOS管进行热保护；开关Q2和开关Q4的...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙宇，李飞，姚欣，
申请(专利权)人：河南嘉晨智能控制股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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