本申请提供一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法，涉及电子技术领域。该等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元；射频电源通过调节装置连接射频匹配器，射频匹配器还连接等离子体处理单元的上电极，等离子体处理单元的下电极接地；检测单元连接等离子体处理单元的上电极，控制单元连接检测单元，控制单元还连接调节装置。从而，减少了等离子体的点火时间，提高了薄膜工艺的精度，减少了微粒的污染。少了微粒的污染。少了微粒的污染。
【技术实现步骤摘要】
一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法
[0001]本专利技术涉及电子
，具体而言，涉及一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法。
技术介绍
[0002]随着等离子技术的应用越来越广泛。等离子技术已经大面积应用在薄膜工艺中。薄膜工艺中，选择合适的气体作为刻蚀气体，通过能量源如射频源激发腔室内的气体，使其从气态转化为等离子状态。
[0003]薄膜工艺的膜厚会受到等离子体点火时间的影响，而液态源工艺的点火时间比较慢，也会造成微粒的污染。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，本申请提供了一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法，以解决现有技术中等离子体点火时间过长等问题。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种等离子体点火装置，所述等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元；
[0007]所述射频电源通过所述调节装置连接所述射频匹配器，所述射频匹配器还连接所述等离子体处理单元的上电极，所述等离子体处理单元的下电极接地；
[0008]所述检测单元连接所述等离子体处理单元的上电极，所述控制单元连接所述检测单元，所述控制单元还连接所述调节装置。
[0009]可选地，所述调节装置包括：电压调节模块，所述射频电源连接所述电压调节模块的射频输入端，所述电压调节模块的射频输出端连接所述射频匹配器，所述电压调节模块的控制端还连接所述控制单元。
[0010]可选地，所述电压调节模块包括：依次串联的多级电压调节单元和射频开关；所述多级电压调节单元中第一级电压调节单元的射频输入端为所述电压调节模块的射频输入端，以连接所述射频电源；所述多级电压调节单元的射频输出端均连接所述射频开关的多个第一端，所述射频开关的第二端为所述电压调节模块的射频输出端，以连接所述射频匹配器；
[0011]所述射频开关的控制端为所述电压调节模块的控制端，以连接所述控制单元。
[0012]可选地，每级电压调节单元包括：第一感性器件和第一容性器件；其中，所述第一感性器件的一端为所述每级电压调节单元的射频输入端，所述第一感性器件的另一端为所述每级电压调节单元的射频输出端，所述第一感性器件的另一端还通过所述第一容性器件接地。
[0013]可选地，所述电压调节模块包括：一级电压调节单元，所述一级电压调节单元的射
频输入端为所述电压调节模块的射频输入端，以连接所述射频电源；所述一级电压调节单元的射频输出端为所述电压调节模块的射频输出端，以连接所述等离子体处理单元的上电极；
[0014]所述一级电压调节单元至少包括：可调器件，所述可调器件的调节端为所述电压调节模块的控制端，以连接所述控制单元。
[0015]可选地，所述电压调节单元包括：第二感性器件和第二容性器件；其中，所述第二感性器件的一端为所述电压调节单元的射频输入端，所述第二感性器件的另一端为所述电压调节单元的射频输出端，所述第二感性器件的另一端还通过所述第二容性器件接地；
[0016]所述第二感性器件和所述第二容性器件中存在至少一个器件为可调器件。
[0017]可选地，所述射频匹配器通过预设导电金属器件连接所述等离子体处理单元的上电极。
[0018]可选地，所述预设导电金属器件设置在所述射频匹配器和所述等离子体处理单元之间的预设屏蔽罩内。
[0019]可选地，所述检测单元为电压检测探针，所述电压检测探针的探头接触设置靠近所述等离子体处理单元的上电极的预设位置，以连接所述等离子体处理单元的上电极。
[0020]第二方面，本申请实施例提供一种半导体薄膜设备，包括：上述第一方面中任一所述的等离子体点火装置。
[0021]第三方面，本申请实施例提供一种等离子体点火控制方法，应用于上述第一方面中任一所述的等离子体点火装置中的控制单元，所述方法包括：
[0022]获取等离子体处理单元的上电极的检测电压；
[0023]根据所述检测电压与预设的电压和调节参数的对应关系，确定目标调节参数；
[0024]根据所述目标调节参数，控制调节装置对射频电源通过射频匹配器输出至所述等离子体处理单元的上电极的电压进行调节。
[0025]可选地，若所述调节装置包括：依次串联的多级电压调节单元和射频开关，则所述电压和调节参数的对应关系为：电压和级数的对应关系；
[0026]所述根据所述检测电压与预设的电压和调节参数的对应关系，确定目标调节参数，包括：
[0027]根据所述检测电压与所述电压和级数的对应关系，确定目标级数，所述目标调节参数为所述目标级数；
[0028]所述根据所述目标调节参数，控制调节装置对射频电源通过射频匹配器输出至所述等离子体处理单元的上电极的电压进行调节，包括：
[0029]根据所述目标级数，控制所述射频开关导通所述目标级数的电压调节单元，以对所述上电极的电压进行调节。
[0030]可选地，若所述调节装置包括：一级电压调节单元，则所述电压和调节参数的对应关系为：电压和电路参数的对应关系；
[0031]所述根据所述检测电压与预设的电压和调节参数的对应关系，确定目标调节参数，包括：
[0032]根据所述检测电压与所述电压和电路参数的对应关系，确定目标电路参数，所述目标调节参数为所述目标电路参数；
[0033]所述根据所述目标调节参数，控制调节装置对射频电源通过射频匹配器输出至所述等离子体处理单元的上电极的电压进行调节，包括：
[0034]根据所述目标电路参数，控制所述一级电压调节单元的电路参数为所述目标电路参数，以对所述上电极的电压进行调节。
[0035]相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：
[0036]本申请提供一种等离子体点火装置、半导体薄膜设备及点火控制方法。该等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元；射频电源通过调节装置连接射频匹配器，射频匹配器还连接等离子体处理单元的上电极，等离子体处理单元的下电极接地；检测单元连接等离子体处理单元的上电极，控制单元连接检测单元，控制单元还连接调节装置。从而，减少了等离子体的点火时间，提高了薄膜工艺的精度，减少了微粒的污染。
附图说明
[0037]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0038]图1为本申请提供的一种等离子体点火装置的结构示意图；
[0039]图2为本申请实施例提供的一种电压调节模块的结构示意图；
[0040]图3为本申请实施例提供的一种电压调节本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体点火装置，其特征在于，所述等离子体点火装置包括：射频电源、调节装置、射频匹配器、等离子体处理单元、控制单元、检测单元；所述射频电源通过所述调节装置连接所述射频匹配器，所述射频匹配器还连接所述等离子体处理单元的上电极，所述等离子体处理单元的下电极接地；所述检测单元连接所述等离子体处理单元的上电极，所述控制单元连接所述检测单元，所述控制单元还连接所述调节装置。2.根据权利要求1所述的等离子体点火装置，其特征在于，所述调节装置包括：电压调节模块，所述射频电源连接所述电压调节模块的射频输入端，所述电压调节模块的射频输出端连接所述射频匹配器，所述电压调节模块的控制端还连接所述控制单元。3.根据权利要求2所述的等离子体点火装置，其特征在于，所述电压调节模块包括：依次串联的多级电压调节单元和射频开关；所述多级电压调节单元中第一级电压调节单元的射频输入端为所述电压调节模块的射频输入端，以连接所述射频电源；所述多级电压调节单元的射频输出端均连接所述射频开关的多个第一端，所述射频开关的第二端为所述电压调节模块的射频输出端，以连接所述射频匹配器；所述射频开关的控制端为所述电压调节模块的控制端，以连接所述控制单元。4.根据权利要求3所述的等离子体点火装置，其特征在于，每级电压调节单元包括：第一感性器件和第一容性器件；其中，所述第一感性器件的一端为所述每级电压调节单元的射频输入端，所述第一感性器件的另一端为所述每级电压调节单元的射频输出端，所述第一感性器件的另一端还通过所述第一容性器件接地。5.根据权利要求2所述的等离子体点火装置，其特征在于，所述电压调节模块包括：一级电压调节单元，所述一级电压调节单元的射频输入端为所述电压调节模块的射频输入端，以连接所述射频电源；所述一级电压调节单元的射频输出端为所述电压调节模块的射频输出端，以连接所述等离子体处理单元的上电极；所述一级电压调节单元至少包括：可调器件，所述可调器件的调节端为所述电压调节模块的控制端，以连接所述控制单元。6.根据权利要求5所述的等离子体点火装置，其特征在于，所述电压调节单元包括：第二感性器件和第二容性器件；其中，所述第二感性器件的一端为所述电压调节单元的射频输入端，所述第二感性器件的另一端为所述电压调节单元的射频输出端，所述第二感性器件的另一端还通过所述第二容性器件接地；所述第二感性器件和所述第二容性器件中存在至少一个器件为可调器件。7.根据权利要求1所述的等离子体点...
【专利技术属性】
技术研发人员：王佳航，张赛谦，郭东，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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