本申请涉及一种抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数；将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光。采用本方法能够实现基于定盘的初始盘型进行分析，确定可以在初始盘型上研磨达到目标平整度的加压策略，解除定盘盘型对抛光的限制，在实现待抛光物的平整度的同时，达到减少加工耗时和降低加工成本的效果。达到减少加工耗时和降低加工成本的效果。达到减少加工耗时和降低加工成本的效果。
【技术实现步骤摘要】
抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质
[0001]本申请涉及抛光机
，特别是涉及一种抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质。
技术介绍
[0002]单晶硅为电子信息材料中最为基础的半导体材料，在硅片的生产过程中，对硅片的切片和研磨可能会使硅片表面形成损伤层，从而存在一定的粗糙度。硅片抛光即在硅片生产过程中通过机械或化学的方法提高硅片表面的平整度。随着科学技术的发展，人们对硅片的平整度要求越来越高，抛光则对硅片平整度起到至关作用。
[0003]目前的抛光技术是通过加工完成的定盘对硅片进行研磨，然而定盘的盘型难以控制，当需要调整盘型时则需要重新拆卸并研磨，调整困难。传统技术提供了一种方法，通过调整定盘的温度使得用于抛光的一面产生形变，从而实现盘型的调整，然而定盘受热形变的不确定性较大、对温度的准确度要求高、形变耗时长，还可能存在盘型不易恢复原状的情形，在硅片产出需求量上升的情况下，该方法则可能无法满足大批量快速生产且品质达标率高的要求。
[0004]由此可见，现有技术仍存在抛光受制于定盘盘型，加工耗时长、成本高的问题。
技术实现思路
[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够解除定盘盘型限制、减少加工耗时和成本的抛光压力调节方法、装置、计算机设备和计算机可读存储介质。
[0006]第一个方面，本实施例提供了一种抛光压力调节方法，应用于抛光装置，所述抛光装置包括加压板、陶瓷盘和定盘，所述方法包括：获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数；将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光。
[0007]在其中一个实施例中，所述获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数包括：获取所述定盘的初始盘型以及与所述初始盘型对应的定盘形态参数；基于所述初始盘型和所述定盘形态参数，确定与所述定盘相吻合的陶瓷盘和加压板；获取所述陶瓷盘和所述加压板的形态参数。
[0008]在其中一个实施例中，所述加压板包括至少两个加压区域；所述基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光包括：基于所述预测压力数据对所述加压板对应的至少两个所述加压区域对待抛光物
施加压力进行抛光。
[0009]在其中一个实施例中，所述加压区域包括初始压力值，所述基于所述预测压力数据对所述加压板对应的至少两个所述加压区域对待抛光物施加压力进行抛光包括：基于所述预测压力数据和初始压力值调整所述加压板对应的至少两个所述加压区域的加压值；基于调整后的加压值对所述加压区域进行加压。
[0010]在其中一个实施例中，所述加压板包括内加压板和外加压板，所述内加压板对应第一加压区域；所述外加压板对应第二加压区域；所述基于所述预测压力数据对所述加压板对应的至少两个所述加压区域对待抛光物施加压力进行抛光包括：对所述预测压力数据进行PCA逆变换，得到原始维度数据，所述原始维度数据包括所述内加压板的内加压值和所述外加压板的外加压值；基于所述内加压值和所述外加压值控制所述内加压板和外加压板加压。
[0011]在其中一个实施例中，所述获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数之前包括：获取形态参数样本和对应的加压数据，所述形态参数样本包括所述定盘的上表面凹凸参数、所述陶瓷盘的上表面和下表面的凹凸参数、所述加压板的下表面的凹凸参数、以及所述加压板的厚度；基于所述形态参数样本确定输入特征；基于所述加压数据确定输出结果；基于所述输入特征和所述输出结果构建并训练高斯回归模型，得到所述压力预测模型。
[0012]在其中一个实施例中，所述加压数据包括所述加压板的内加压值和外加压值，所述基于所述加压数据确定输出结果包括：基于所述内加压值和外加压值生成矩阵数据；通过PCA算法将所述矩阵数据降维为一维数据，将所述一维数据作为所述输出结果。
[0013]第二个方面，本实施例提供了一种抛光压力调节装置，应用于抛光装置，所述抛光装置包括加压板、陶瓷盘和定盘，所述装置包括：参数获取模块，用于获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数；压力预测模块，用于将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；加压控制模块，用于基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光。
[0014]第三个方面，本实施例提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述方法的步骤。
[0015]第四个方面，本实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上述方法的步骤。
[0016]上述抛光压力调节方法、装置、计算机设备和存储介质，通过获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表
面的凹凸参数；将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光，可以实现基于定盘的初始盘型进行分析，确定可以在初始盘型上研磨达到目标平整度的加压策略，可以解除定盘盘型对抛光的限制，在实现待抛光物的平整度的同时，达到减少加工耗时和降低加工成本的效果。
附图说明
[0017]图1为一个实施例中抛光压力调节方法的应用环境图；图2为一个实施例中抛光压力调节方法的流程示意图；图3为一个实施例中抛光压力调节方法中抛光装置的结构图；图4为一个实施例中抛光压力调节装置的结构框图；图5为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0018]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0019]本申请实施例提供的抛光压力调节方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。其中，数据处理终端102通过网络与抛光装置104进行通信，抛光装置104位于抛光机中，数据处理终端102可以是设置于抛光机中，也可以是设置在抛光机外。其中，数据处理终端102可以但不限于是各种个人计算机、笔记本电脑、智能手机、平板电脑、物联网设备和便携式可穿戴设备。
[0020]在一个实施例中，如图2所示，提供了一种抛光压力调节方法，应用于抛光装置，所述抛光装置包括加压板、陶瓷盘和定盘，包括以下步骤：步骤S100，获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数。
[0021]如图3所述为抛光装置的一个示例结构，其中，加压板1设置于陶瓷盘2之上，抛光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抛光压力调节方法，应用于抛光装置，其特征在于，所述抛光装置包括加压板、陶瓷盘和定盘，所述方法包括：获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数，所述形态参数包括所述加压板、陶瓷盘和定盘的上表面和/或下表面的凹凸参数；将所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数输入至预先训练的压力预测模型，得到预测压力数据；基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光。2.根据权利要求1所述的抛光压力调节方法，其特征在于，所述获取所述加压板、陶瓷盘和定盘的形态参数包括：获取所述定盘的初始盘型以及与所述初始盘型对应的定盘形态参数；基于所述初始盘型和所述定盘形态参数，确定与所述定盘相吻合的陶瓷盘和加压板；获取所述陶瓷盘和所述加压板的形态参数。3.根据权利要求1所述的抛光压力调节方法，其特征在于，所述加压板包括至少两个加压区域；所述基于所述预测压力数据，控制所述抛光装置的所述加压板对待抛光物施加压力进行抛光包括：基于所述预测压力数据对所述加压板对应的至少两个所述加压区域对待抛光物施加压力进行抛光。4.根据权利要求3所述的抛光压力调节方法，其特征在于，所述加压区域包括初始压力值，所述基于所述预测压力数据对所述加压板对应的至少两个所述加压区域对待抛光物施加压力进行抛光包括：基于所述预测压力数据和初始压力值调整所述加压板对应的至少两个所述加压区域的加压值；基于调整后的加压值对所述加压区域进行加压。5.根据权利要求3所述的抛光压力调节方法，其特征在于，所述加压板包括内加压板和外加压板，所述内加压板对应第一加压区域；所述外加压板对应第二加压区域；所述基于所述预测压力数据对所述加压板对应的至少两个所述加压区域对待抛光物施加压力进行抛光包括：对所述预测压力数据进行PCA逆变换，得到原始维度数据，所述原始维度数据包括所述内加压...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱亮，李阳健，张涛，王润秋，
申请(专利权)人：浙江晶盛创芯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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