芯片的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片的加工方法，包括：对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片；使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片；其中，所述第一镀膜材料为硅或钛；使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片；其中，所述第二镀膜材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种。采用本发明专利技术实施例，能够在芯片表面形成导热性良好的镀膜层，制造成本低，且对芯片整体厚度的影响较低。且对芯片整体厚度的影响较低。且对芯片整体厚度的影响较低。

【技术实现步骤摘要】
芯片的加工方法


[0001]本专利技术涉及微电子加工
，尤其涉及一种芯片的加工方法。

技术介绍

[0002]集成电路不断地改进发展，体积不断变小，价格不断下降，其核心部分半导体芯片也在不断地提升性能。芯片在如此小的情况下进行运算，必然会产生很大热量，如果不将热量合理地散出，必将会影响其工作性能，也会缩短其使用寿命。传统的散热方式主要是在芯片背面布满冷却管或在芯片背面粘贴散热片，但是，制造成本较高，且会对芯片整体厚度造成较大影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种芯片的加工方法，能够在芯片表面形成导热性良好的镀膜层，制造成本低，且对芯片整体厚度的影响较低。
[0004]本专利技术一实施例提供一种芯片的加工方法，包括：
[0005]对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片；
[0006]使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片；其中，所述第一镀膜材料为硅或钛；
[0007]使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片；其中，所述第二镀膜材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种。
[0008]作为上述方案的改进，所述对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片，包括：
[0009]将芯片放入等离子清洗设备的第一真空室中；
[0010]控制所述等离子清洗设备对所述第一真空室进行抽真空，使得所述第一真空室内达到第一真空度；
[0011]向所述第一真空室内通入氩气，使所述第一真空室中的气压达到预设气压；
[0012]在所述芯片上施加第一偏压，控制所述等离子清洗设备生成氩等离子体，并对所述芯片进行氩等离子体溅射，得到清洗后的芯片。
[0013]作为上述方案的改进，所述第一真空度为2.5
×
10
‑3‑
3.5
×
10
‑3pa，所述预设气压为2
‑
3Pa，所述第一偏压为
‑
90至
‑
110V，所述氩等离子体的溅射时间为9
‑
11min。
[0014]作为上述方案的改进，所述使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片，包括：
[0015]将所述清洗后的芯片放入镀膜设备的第二真空室中；
[0016]控制所述镀膜设备对所述第二真空室进行抽真空，使得所述第二真空室内达到第二真空度；
[0017]向所述第二真空室内通入氩气；
[0018]控制所述镀膜设备对由第一镀膜材料构成的第一靶材进行预溅射；
[0019]控制所述镀膜设备使用所述第一靶材对所述清洗后的芯片进行第一次溅射镀膜，
以在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片。
[0020]作为上述方案的改进，所述第二真空度为1
×
10
‑5‑1×
10
‑3Pa，所述氩气的流量为90
‑
110sccm。
[0021]作为上述方案的改进，所述第一次溅射镀膜的工艺参数包括：电源功率为450
‑
550W，负偏压为
‑
450至
‑
550V，基体加热温度为100
‑
120℃。
[0022]作为上述方案的改进，所述预镀层的厚度为80
‑
100nm，所述镀膜层的厚度为85
‑
95nm。
[0023]作为上述方案的改进，所述使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片，包括：
[0024]将所述预镀后的芯片放入镀膜设备的第二真空室中；
[0025]控制所述镀膜设备对所述第二真空室进行抽真空，使得所述第二真空室内达到第三真空度；
[0026]向所述第二真空室内通入氩气和氧气；
[0027]控制所述镀膜设备使用由第二镀膜材料构成的第二靶材对所述预镀后的芯片进行第二次溅射镀膜，以在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片。
[0028]作为上述方案的改进，所述第三真空度为4.1
×
10
‑1‑
4.3
×
10
‑1Pa，所述氩气的流量为290
‑
310sccm，氩气和氧气的比率为85：15。
[0029]作为上述方案的改进，所述第二次溅射镀膜的工艺参数包括：靶面功率为4.1
‑
4.3W，靶表面电压为460
‑
480V，基体加热温度为100
‑
120℃。
[0030]实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：
[0031]通过对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片，能够去除芯片表面的杂质，以提高镀膜质量；再使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片，所述第一镀膜材料为硅或钛，能够改善后续的镀膜层与芯片表面的结合力，以提高镀膜质量；然后使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片，所述第二镀膜材料为具有二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种，从而使得芯片表面具有导热性良好的镀膜层，并且，镀膜的成本较低，且对芯片整体厚度的影响较低。
附图说明
[0032]图1是本专利技术一实施例提供的一种芯片的加工方法的流程示意图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]参见图1，是本专利技术一实施例提供的一种芯片的加工方法的流程示意图，包括：
[0035]S11、对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片；
[0036]S12、使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片；其中，所述第一镀膜材料为硅或钛；
[0037]S13、使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片；其中，所述第二镀膜材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种。
[0038]需要说明的是，形成预镀层和镀膜层的镀膜方式有多种，例如真空镀膜、蒸发镀膜、溅射镀膜等，在具体实施时可以是任意选择，在此不做限定。
[0039]在本实施例中，通过对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片，能够去除芯片表面的杂质，以提高镀膜质量；再使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片，所述第一镀膜材料为硅或钛，能够改善后续的镀膜层与芯片表面的结合力，以提高镀膜质量；然后使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片，所述第二镀膜材料为具有二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种，从而使得芯片表面具有导热性良本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的加工方法，其特征在于，包括：对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片；使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片；其中，所述第一镀膜材料为硅或钛；使用第二镀膜材料在所述预镀后的芯片上形成镀膜层，得到镀膜后的芯片；其中，所述第二镀膜材料为二氧化硅、二氧化钛、氧化铝中的一种或多种。2.如权利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述对芯片进行等离子清洗，得到清洗后的芯片，包括：将芯片放入等离子清洗设备的第一真空室中；控制所述等离子清洗设备对所述第一真空室进行抽真空，使得所述第一真空室内达到第一真空度；向所述第一真空室内通入氩气，使所述第一真空室中的气压达到预设气压；在所述芯片上施加第一偏压，控制所述等离子清洗设备生成氩等离子体，并对所述芯片进行氩等离子体溅射，得到清洗后的芯片。3.如权利要求2所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述第一真空度为2.5
×
10
‑3‑
3.5
×
10
‑3pa，所述预设气压为2
‑
3Pa，所述第一偏压为
‑
90至
‑
110V，所述氩等离子体的溅射时间为9
‑
11min。4.如权利要求1所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述使用第一镀膜材料在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片，包括：将所述清洗后的芯片放入镀膜设备的第二真空室中；控制所述镀膜设备对所述第二真空室进行抽真空，使得所述第二真空室内达到第二真空度；向所述第二真空室内通入氩气；控制所述镀膜设备对由第一镀膜材料构成的第一靶材进行预溅射；控制所述镀膜设备使用所述第一靶材对所述清洗后的芯片进行第一次溅射镀膜，以在所述清洗后的芯片上形成预镀层，得到预镀后的芯片。5.如权利要求4所述的芯片的加工方法，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：何小麟，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：