发射辐射的激光构件和制造发射辐射的激光构件的方法技术

本发明专利技术提出了一种发射辐射的激光构件(1)，具有：

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发射辐射的激光构件和制造发射辐射的激光构件的方法


[0001]本专利技术提出了一种发射辐射的激光构件。此外，本专利技术提出了一种用于制造发射辐射的激光构件的方法。

技术实现思路

[0002]本专利技术的目的在于，提出一种特别可靠的发射辐射的激光构件。另外的待解决的目的在于，提出一种用于制造这种发射辐射的激光构件的方法。
[0003]根据至少一个实施方式，发射辐射的激光构件包括边缘发射激光二极管，所述边缘发射激光二极管被构造用于产生电磁激光辐射。例如，边缘发射激光二极管被构造用于从棱面发出电磁激光辐射。
[0004]边缘发射激光二极管例如具有主延伸平面。垂直方向垂直于主延伸平面伸展并且横向方向平行于主延伸平面伸展。此外，边缘发射激光二极管例如沿着主延伸方向延伸，该主延伸方向平行于横向方向中的一个横向方向定向。
[0005]例如，棱面布置在基本垂直于主延伸方向延伸的平面中。基本垂直意味着，侧面相对于主延伸方向的法线倾斜最多5
°
、尤其最多1
°
。电磁激光辐射尤其是单色的和相干的激光。电磁激光辐射例如是红外线(IR)辐射、可见光辐射或紫外线(UV)辐射。
[0006]根据至少一个实施方式，发射辐射的激光构件包括基底，在该基底上布置有边缘发射激光二极管。例如，基底尤其包括基板。基板具有在横向方向上延伸的主延伸平面。此外，基底例如具有主延伸方向，该主延伸方向平行于边缘发射激光二极管的主延伸方向伸展。
[0007]基底例如是边缘发射激光二极管的连接载体。通过基底，例如能够对边缘发射激光二极管通电。此外，边缘发射激光二极管例如能够通过基底散热。
[0008]基底例如利用金属的和/或陶瓷的材料形成或者由其构成。特别地，基板利用陶瓷材料形成或者由其构成。
[0009]根据发射辐射的激光构件的至少一个实施方式，边缘发射激光二极管包括接触层。通过接触层例如能够为边缘发射激光二极管的半导体主体通电。此外，边缘发射激光二极管的半导体主体例如能够通过基底散热。
[0010]接触层例如具有在垂直方向上的至少0.05微米并且最高5微米、例如大约1微米的高度。接触层例如包括下述金属中的一种或多种金属或者由以下金属构成：Cu、Ti、Pt、Au、Ni、Rh、Pd、Cr。
[0011]根据发射辐射的激光构件的至少一个实施方式，基底具有基底接片。特别地，基底包括基板和基底接片。基底接片例如布置在基板上。例如，基底接片与基板直接接触。
[0012]基底接片例如包括顶面和与顶面邻接的侧面。顶面尤其朝向边缘发射激光二极管。基底接片在横向方向上例如沿着边缘发射激光二极管的主延伸方向延伸。
[0013]基底接片的顶面例如经由侧面与基底接片的凹陷的外表面连接。例如，基底接片的凹陷的外表面仅局部地覆盖基板。基板的边缘区域例如没有基底接片的凹陷的外表面。
[0014]基底接片例如包括金属或由金属构成。例如，基底接片由与基板不同的材料形成。
[0015]根据发射辐射的激光构件的至少一个实施方式，接触层与基底接片借助于焊接层机械稳定地连接。特别地，边缘发射激光二极管和基底借助于焊接层机械稳定地连接。
[0016]焊接层例如具有在垂直方向上的至少0.5微米并且最高5微米、例如大约2微米的高度。焊接层例如包括金属或由金属构成。焊接层例如由AuSn形成，其中，Au的质量份额尤其为70％
±
5％。
[0017]在至少一个实施方式中，发射辐射的激光构件包括边缘发射激光二极管和基底，该边缘发射激光二极管被构造用于产生电磁激光辐射，边缘发射激光二极管布置在该基底上。边缘发射激光二极管包括接触层并且基底具有基底接片，其中，该接触层与该基底接片借助于焊接层机械稳定地连接。
[0018]例如可行的是，由晶片复合件组成的边缘发射激光二极管通过激光划线分离。激光二极管的半导体主体尤其基于GaN。在激光划线中，例如激光二极管的半导体主体的GaN材料分解成金属Ga和N2。在此，所产生的氮尤其是挥发性的，从而所产生的镓作为炉渣保留在该半导体主体的侧面上。
[0019]例如边缘发射激光二极管在施加到基底上时被加热到大约300℃。由于纯镓例如具有29.76℃的液相线温度，因此在分离时留下的、尤其是可移动的镓剩余物能够导致激光二极管与没有基底接片的基底之间的直接接触。这例如导致了短路和分流。
[0020]在此描述的发射辐射的激光构件的构思特别地在于，边缘发射激光二极管与基板之间的距离与没有基底接片的基底相比有利地提高。通过边缘发射激光二极管与基底、尤其是基板的这种类型的空间分离，镓剩余物不能够建立激光二极管与基底、尤其是基板之间的直接的导电接触。这种发射辐射的激光构件有利地是特别可靠的。
[0021]根据发射辐射的激光构件的至少一个实施方式，边缘发射激光二极管具有带有接片的半导体主体。
[0022]例如半导体主体包括第一传导类型的第一半导体层序列和与第一传导类型不同的第二传导类型的第二半导体层序列。半导体主体例如包括半导体基底，在该半导体基底上布置有第一半导体层序列和第二半导体层序列。
[0023]例如第一半导体层序列是p型掺杂的并且因此p型导电地构造。此外，第二半导体层序列例如是n型掺杂的并且因此n型导电地构造。因此，第一传导类型例如是p型传导类型，并且第二传导类型例如是n型传导类型。替代地，第一传导类型例如是n型传导类型，并且第二传导类型例如是p型传导类型。
[0024]半导体主体例如外延地生长。也就是说，例如第一半导体层序列和第二半导体层序列外延地在垂直方向上彼此重叠地生长并且在半导体基底上生长。
[0025]在第一半导体层序列与第二半导体层序列之间例如布置有有源区域，该有源区域被构造用于产生电磁辐射。例如，在有源区域中产生的电磁辐射在半导体主体中被转换成电磁激光辐射。与仅仅通过自发发射产生的电磁辐射相反，电磁激光辐射典型地具有非常高的相干长度、非常窄的发射谱和/或高的偏振度。
[0026]半导体主体优选地由III/V化合物半导体形成或者具有III/V化合物半导体。III/V化合物半导体能够是砷化物化合物半导体、氮化物化合物半导体或磷化物化合物半导体。
[0027]例如半导体基底背离基底。也就是说，第一半导体层序列和第二半导体层序列例
如朝向基底。
[0028]根据发射辐射的激光构件的至少一个实施方式，半导体主体的接片具有顶面和与顶面邻接的侧面。例如半导体主体的接片通过半导体主体的接片形升高的区域形成。半导体主体的接片例如作为凸起部从半导体主体的凹陷的外表面伸出。半导体主体的接片在横向方向上例如沿着边缘发射激光二极管的主延伸方向延伸。
[0029]凹陷的外表面例如布置在半导体主体的接片的侧边。例如半导体主体的接片的顶面经由半导体主体的接片的与顶面邻接的侧面与凹陷的外表面直接连接。特别地，顶面和侧面以及凹陷的外表面形成阶梯轮廓。
[0030]根据发射辐射的激光构件的至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发射辐射的激光构件(1)，具有：
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边缘发射激光二极管(2)，所述边缘发射激光二极管被构造用于产生电磁激光辐射，以及
‑
基底(3)，在所述基底上布置有所述边缘发射激光二极管(2)，其中，
‑
所述边缘发射激光二极管(2)包括接触层(6)，
‑
所述基底(3)具有基底接片，
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所述接触层(6)借助于焊接层(7)与所述基底接片(5)机械稳定地连接，
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所述边缘发射激光二极管(2)具有带接片的半导体主体(8)，
‑
所述半导体主体的所述接片(12)和所述基底接片(5)朝向彼此，并且
‑
所述基底接片(5)的宽度小于所述半导体主体(8)的宽度。2.根据前一项权利要求所述的发射辐射的激光构件(1)，其中，
‑
所述半导体主体的所述接片(12)具有顶面和与所述顶面邻接的侧面，并且
‑
所述接触层(6)覆盖所述半导体主体的所述接片(12)的所述顶面和所述侧面以及所述半导体主体(8)的凹陷的外表面。3.根据权利要求1或2中任一项所述的发射辐射的激光构件(1)，其中，所述半导体主体的所述接片(12)在横向方向上不对称地布置在所述接触层(6)中。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发射辐射的激光构件(1)，其中，
‑
所述半导体主体(8)包括第一传导类型的第一半导体层(9)和与所述第一传导类型不同的第二传导类型的第二半导体层(10)，并且
‑
所述第一半导体层(9)朝向所述基底(3)。5.根据前一项权利要求所述的发射辐射的激光构件(1)，其中，所述第一传导类型是p型传导类型。6.根据前述权利要求中任一项所述的发射辐射的激光构件(1)，其中，所述基底接片(5)和所述接触层(6)在平面图中在横向方向上彼此重叠。7.根据前述权利要求中任一项所述的发射辐射的激光构件(1)，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：约尔格，
申请(专利权)人：艾迈斯欧司朗国际有限责任公司，
类型：发明
国别省市：