一种粗糙铜面的电镀方法及其基板技术

本发明专利技术提出了一种粗糙铜面的电镀方法及其基板，包括：准备目标基板，其中，所述目标基板的表面附着有第一基础铜层；将所述目标基板放入烘烤机进行发料烤板；通过蚀铜安定剂将所述第一基础铜层减薄后，在所述目标基板中钻出目标孔；通过水平喷砂设备对所述目标基板的表面进行喷砂处理，其中，所述喷砂设备的喷砂材料为金刚砂；对所述目标基板的表面进行高压水洗后，在所述目标基板的表面电镀出目标铜层。根据本实施例的技术方案，能够在镀铜之前，利用喷砂处理的金刚砂与目标基板的不平整的铜面发生摩擦，使得不平整的铜面下降，提高第一基础铜层表面的平整程度，提高目标基板的电镀效果，提高基板的铜面的结晶等级。提高基板的铜面的结晶等级。提高基板的铜面的结晶等级。

【技术实现步骤摘要】
一种粗糙铜面的电镀方法及其基板


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，特别涉及一种粗糙铜面的电镀方法及其基板。

技术介绍

[0002]在基板的制作过程中，电镀铜是重要的步骤，但是不同供应商提供的基板质量有一定的差异，尤其是基板表面的基础铜层的粗糙程度各不相同，若基础铜层较为粗糙，电镀铜层的表面与基础铜层的表面并不平整，导致基板铜面的结晶等级达不到要求。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种粗糙铜面的电镀方法及其基板，能够在减少基础铜层的粗糙程度对电镀的影响，提高基板铜面的结晶等级。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种粗糙铜面的电镀方法，包括：
[0005]准备目标基板，其中，所述目标基板的表面附着有第一基础铜层；
[0006]将所述目标基板放入烘烤机进行发料烤板；
[0007]通过蚀铜安定剂将所述第一基础铜层减薄后，在所述目标基板中钻出目标孔；
[0008]通过水平喷砂设备对所述目标基板的表面进行喷砂处理，其中，所述喷砂设备的喷砂材料为金刚砂；
[0009]对所述目标基板的表面进行高压水洗后，在所述目标基板的表面电镀出目标铜层。
[0010]根据本专利技术的一些实施例，在所述目标基板中钻出目标孔后，所述方法还包括：
[0011]对所述目标基板表面以及所述目标孔的孔壁进行除油；
[0012]去除所述第一基础铜层表面的氧化层后，对所述目标基板进行预浸；
[0013]在所述目标孔的孔壁吸附镀铜催化物后沉积一层孔铜；
[0014]对所述目标孔的孔壁与所述目标基板的表面之间制备一层有机导电膜。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述目标基板的数量为多个，所述目标基板的表面电镀出目标铜层，包括：
[0016]从多个所述目标基板中确定至少一个电镀测试基板；
[0017]对所述电镀测试基板进行电镀DOE测试后，检测所述电镀测试基板的镀铜晶格；
[0018]当所述镀铜晶格满足预设的结晶等级，根据电镀DOE测试的电镀工艺参数在所述目标基板的表面电镀出所述目标铜层。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，在所述目标基板中钻出目标孔之后，所述方法还包括：
[0020]通过检测所述目标基板的表面粗糙程度确定第一铜颗粒高度，所述第一铜颗粒高度为所述第一基础铜层的表面铜颗粒在喷砂处理前的高度，所述表面铜颗粒的数量为多个；
[0021]当所述第一铜颗粒高度的最大值大于预设的高度阈值，对所述目标基板依次进行
喷砂处理和高压水洗后电镀出所述目标铜层；
[0022]或者，当所述第一铜颗粒高度的最大值小于所述高度阈值，在所述目标基板的表面电镀出所述目标铜层。
[0023]根据本专利技术的一些实施例，在所述通过水平喷砂设备对所述目标基板的表面进行喷砂处理之前，所述方法还包括：
[0024]准备喷砂测试基板，所述喷砂测试基板的表面附着有第二基础铜层；
[0025]通过检测所述喷砂测试基板的表面粗糙程度确定第二铜颗粒高度，所述第二铜颗粒高度为所述第二基础铜层的表面铜颗粒在喷砂处理前的高度；
[0026]通过所述水平喷砂设备对所述喷砂测试基板的表面进行喷砂处理，根据喷砂结果确定所述水平喷砂设备进行所述目标基板的喷砂处理的目标运行参数。
[0027]根据本专利技术的一些实施例，所述根据喷砂结果确定所述水平喷砂设备进行所述目标基板的喷砂处理的目标运行参数，包括：
[0028]通过再次检测所述喷砂测试基板的表面粗糙程度确定第三铜颗粒高度，所述第三铜颗粒高度为所述第二基础铜层的表面铜颗粒在喷砂处理后的高度；
[0029]确定所述第二铜颗粒高度和所述第三铜颗粒高度之间的铜颗粒高度下降值，根据所述铜颗粒高度下降值、所述第一铜颗粒高度和所述高度阈值确定所述目标运行参数。
[0030]根据本专利技术的一些实施例，所述通过所述水平喷砂设备对所述喷砂测试基板的表面进行喷砂处理，根据喷砂结果确定所述水平喷砂设备进行所述目标基板的喷砂处理的目标运行参数，包括：
[0031]根据第一运行参数控制所述水平喷砂设备对所述喷砂测试基板的第一区域进行喷砂处理，根据第二运行参数控制所述水平喷砂设备对所述喷砂测试基板的第二区域进行喷砂处理，其中，所述水平喷砂设备在所述第一运行参数下的喷砂强度大于在所述第二运行参数下的喷砂强度，所述第一区域和所述第二区域互不重叠；
[0032]确定所述第一区域的所述铜颗粒高度下降值和所述第二区域的所述铜颗粒高度下降值，根据所述第一区域的所述铜颗粒高度下降值、所述第二区域的所述铜颗粒高度下降值、所述第一铜颗粒高度和所述高度阈值确定所述目标运行参数。
[0033]根据本专利技术的一些实施例，所述目标运行参数包括目标喷砂压力值和目标喷砂线速，所述目标喷砂线速为所述金刚砂过水平线线速。
[0034]第二方面，本专利技术实施例提供了一种基板，所述基板的表面包括第一基础铜层和目标铜层，所述目标铜层通过如第一方面所述的粗糙铜面的电镀方法电镀得到。
[0035]根据本专利技术的一些实施例，所述第一基础铜层和目标铜层所构成铜层表面的镀铜晶格满足预设的结晶等级，所述结晶等级用于指示所述铜层表面的粗糙程度。
[0036]本专利技术的实施例包括：准备目标基板，其中，所述目标基板的表面附着有第一基础铜层；将所述目标基板放入烘烤机进行发料烤板；通过蚀铜安定剂将所述第一基础铜层减薄后，在所述目标基板中钻出目标孔；通过水平喷砂设备对所述目标基板的表面进行喷砂处理，其中，所述喷砂设备的喷砂材料为金刚砂；对所述目标基板的表面进行高压水洗后，在所述目标基板的表面电镀出目标铜层。根据本实施例的技术方案，能够在镀铜之前，利用喷砂处理的金刚砂与目标基板的不平整的铜面发生摩擦，使得不平整的铜面下降，提高第一基础铜层表面的平整程度，提高目标基板的电镀效果，提高基板的铜面的结晶等级。
附图说明
[0037]图1是本专利技术一个实施例提供的粗糙铜面的电镀方法的流程图；
[0038]图2是本专利技术另一个实施例提供的基板进行喷砂处理的示意图；
[0039]图3是本专利技术另一个实施例提供的基板进行喷砂处理的效果图；
[0040]图4是本专利技术另一个实施例提供的电镀目标铜层后的结构示意图；
[0041]图5是本专利技术另一个实施例提供的沉积化学铜和孔化的流程图；
[0042]图6是本专利技术另一个实施例提供的电镀目标铜层的流程图；
[0043]图7是本专利技术另一个实施例提供的确定电镀目标铜层流程的流程图；
[0044]图8是本专利技术另一个实施例提供的确定喷砂设备的目标运行参数的流程图；
[0045]图9是本专利技术另一个实施例提供的确定目标运行参数的流程图；
[0046]图10是本专利技术另一个实施例提供的根据不同运行参数的结果确定目标运行参数的流程图。
具体实施方式...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种粗糙铜面的电镀方法，其特征在于，包括，准备目标基板，其中，所述目标基板的表面附着有第一基础铜层；将所述目标基板放入烘烤机进行发料烤板；通过蚀铜安定剂将所述第一基础铜层减薄后，在所述目标基板中钻出目标孔；通过水平喷砂设备对所述目标基板的表面进行喷砂处理，其中，所述喷砂设备的喷砂材料为金刚砂；对所述目标基板的表面进行高压水洗后，在所述目标基板的表面电镀出目标铜层。2.根据权利要求1所述的粗糙铜面的电镀方法，其特征在于，在所述目标基板中钻出目标孔后，所述方法还包括：对所述目标基板表面以及所述目标孔的孔壁进行除油；去除所述第一基础铜层表面的氧化层后，对所述目标基板进行预浸；在所述目标孔的孔壁吸附镀铜催化物后沉积一层孔铜；对所述目标孔的孔壁与所述目标基板的表面之间制备一层有机导电膜。3.根据权利要求1所述的粗糙铜面的电镀方法，其特征在于，所述目标基板的数量为多个，所述目标基板的表面电镀出目标铜层，包括：从多个所述目标基板中确定至少一个电镀测试基板；对所述电镀测试基板进行电镀DOE测试后，检测所述电镀测试基板的镀铜晶格；当所述镀铜晶格满足预设的结晶等级，根据电镀DOE测试的电镀工艺参数在所述目标基板的表面电镀出所述目标铜层。4.根据权利要求1所述的粗糙铜面的电镀方法，其特征在于，在所述目标基板中钻出目标孔之后，所述方法还包括：通过检测所述目标基板的表面粗糙程度确定第一铜颗粒高度，所述第一铜颗粒高度为所述第一基础铜层的表面铜颗粒在喷砂处理前的高度，所述表面铜颗粒的数量为多个；当所述第一铜颗粒高度的最大值大于预设的高度阈值，对所述目标基板依次进行喷砂处理和高压水洗后电镀出所述目标铜层；或者，当所述第一铜颗粒高度的最大值小于所述高度阈值，在所述目标基板的表面电镀出所述目标铜层。5.根据权利要求4所述的粗糙铜面的电镀方法，其特征在于，在所述通过水平喷砂设备对所述目标基板的表面进行喷砂处理之前，所述方法还包括：准备喷砂测试基板，所述喷砂测试基板的表面附着有第二基础铜层；通过检测所述喷砂测试基板的表面粗糙程度确定第二铜颗粒高度，所述第二铜颗粒高度为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳长来，
申请(专利权)人：深圳和美精艺半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：