确定装置在磁共振治疗系统内的位置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于确定装置在磁共振治疗系统的成像容腔内的位置的方法，其中，所述成像容腔被所述磁共振治疗系统的场磁体和梯度线圈围绕，所述场磁体用于沿纵轴线产生基本静磁场，并且所述装置具有至少一个在第一环路平面内延伸的第一导体环路，并且借助所述梯度线圈在所述成像容腔中产生交变磁场。借助所述至少一个第一导体环路确定与第一感应电压相关的至少一个第一测量值，所述第一感应电压由交变场的垂直于纵轴线的第一分量在至少一个第一导体环路中感应产生。根据所述至少一个第一测量值和针对所述梯度线圈预设的磁场模型至少部分地确定所述装置在所述成像容腔内的位置。本发明专利技术还涉及一种相应的磁共振治疗系统。统。统。

【技术实现步骤摘要】
确定装置在磁共振治疗系统内的位置


[0001]本专利技术涉及一种用于确定装置在磁共振治疗系统的成像容腔内的位置的方法，其中，所述成像容腔被所述磁共振治疗系统的场磁体和梯度线圈围绕，所述场磁体用于沿纵轴线产生基本静磁场。本专利技术还涉及一种相应的磁共振治疗系统。

技术介绍

[0002]磁共振治疗系统、简称MRT系统是用于成像的设备，其使用较强的外部磁场，以使待检查的物体的核自旋定向，并且通过施加高频激励脉冲激发核自旋围绕相应的定向进动。自旋从该激发状态到具有较低能量的状态的进动或者过度产生交变电磁场作为响应，该交变电磁场可以通过接收天线检测为磁共振信号。
[0003]借助磁场梯度场，可以在信号上留下位置编码，该位置编码使得能够将接收到的信号与检查对象的体积元素对应。所接受的信号随即能够被分析，以例如提供检查对象的图像。
[0004]在许多磁共振治疗应用中有利的是，了解装置在由梯度线圈定义的成像容腔内的位置、尤其是例如相对于患者的解剖结构方位和/或定向。患者在成像容腔中的位置例如可以通过视觉的标记或者类似手段来定义或者确定，从而期望尽可能准确地确定装置的位置。该装置例如可以是直接布置在患者身上的局部磁共振接收线圈、例如头部线圈、膝部线圈等。然而，该装置也可以是用于对患者进行医疗治疗的装置、例如导管、手术器械、活检针、机械臂等。
[0005]患者在磁共振治疗检查期间、尤其在需要较长时间的磁共振治疗检查中的移动是已知的问题。患者的移动可能改变测量的信号并且导致图像伪影，这些图像伪影会遮挡或阻碍重要特征即尤其是放射学检测结果的识别。特别是在这种背景下有利的是，确定装置的位置。
[0006]识别接收线圈位置的一种方法是使用集成到线圈电子设备中的霍尔传感器，该霍尔传感器测量静磁场的局部强度。在成像容腔之外，静磁场非常不均匀并且具有强烈的静场梯度。当接收线圈和患者从患者床移动到成像容腔中时，霍尔传感器的测量值可以用于确定接收线圈的位置。然而，一旦接收线圈位于以非常均匀的磁场为特征的成像容腔内，那么即使线圈位置在成像容腔内发生变化，来自霍尔传感器的信号仍基本上保持恒定。结果是，由于患者移动而导致的接收线圈的位置变化可能保持未被识别。
[0007]在其他方法中，在患者被与患者台进入成像容腔之前，使用摄像机检测接收线圈在患者身体上的位置。成像容腔中的另一个相机可以在检查期间检测接收线圈的移动。然而，这必须需要相机和接收线圈之间的自由的视野，然而该视野可能会被覆盖物、其他附件、支撑元件或用于改善高频环境的介电的垫或患者的四肢等阻挡。

技术实现思路

[0008]本专利技术所要解决的技术问题是，可靠地确定装置在磁共振治疗系统的成像容腔内
的位置。
[0009]所述技术问题按照本专利技术通过一种用于确定装置在磁共振治疗系统的成像容腔内的位置的方法解决，其中，
[0010]‑
所述成像容腔被所述磁共振治疗系统的场磁体和梯度线圈围绕，所述场磁体用于沿纵轴线产生基本静磁场；
[0011]‑
所述装置具有至少一个在第一环路平面内延伸的第一导体环路；
[0012]‑
借助所述梯度线圈在所述成像容腔中产生交变磁场；
[0013]‑
借助所述至少一个第一导体环路确定与第一感应电压相关的至少一个第一测量值，所述第一感应电压由交变场的垂直于纵轴线的第一分量在至少一个第一导体环路中感应产生；
[0014]‑
根据所述至少一个第一测量值和针对所述梯度线圈预设的磁场模型至少部分地确定所述装置在所述成像容腔内的位置，
[0015]其中规定，借助所述至少一个第一导体环路在所述成像容腔内检测来自待检查的对象的磁共振信号，并且根据所述磁共振信号产生磁共振图像。
[0016]所述技术问题按照本专利技术还通过一种磁共振治疗系统解决，所述磁共振治疗系统具有
[0017]‑
用于沿纵轴线(z)产生基本静磁场的场磁体和梯度线圈，其中，所述场磁体和所述梯度线圈围绕所述磁共振治疗系统的成像容腔；
[0018]‑
具备至少一个第一导体环路的装置，所述至少一个第一导体环路在第一环路平面内延伸；
[0019]‑
控制单元，所述控制单元设置用于控制所述梯度线圈在所述成像容腔中生成交变磁场；
[0020]‑
测量单元，所述测量单元与所述至少一个第一导体环路相连接并且设置用于根据由交变场的垂直于纵轴线的分量在所述至少一个第一导体环路中感应产生的第一感应电压来确定至少一个第一测量值；和
[0021]‑
至少一个分析单元，所述至少一个分析单元设置用于根据所述至少一个第一测量值和针对梯度线圈预设的磁场模型至少部分地确定所述装置在所述成像容腔内的位置，
[0022]其中规定，所述至少一个分析单元设置用于，根据来自所述成像容腔中的待检查对象的磁共振信号产生磁共振图像。
[0023]本专利技术基于的认知是，梯度线圈在梯度线圈内部并因此在成像容腔内部产生磁场，该磁场除了平行于基本磁场的分量之外始终具有与该基本磁场垂直的重要的分量。按照本专利技术，这些分量由至少一个导体环路探测并且用于对导体环路和因此对装置进行位置确定。
[0024]根据本专利技术的一个方面，提供一种用于在磁共振治疗系统的成像容腔内对装置进行位置确定的方法。磁共振治疗系统在此具有围绕成像容腔的用于沿着磁共振治疗系统的纵轴线产生基本静磁场的场磁体和梯度线圈。该装置具有至少一个第一导体环路，该第一导体环路在第一环路平面内延伸。借助梯度线圈在成像容腔中产生交变磁场，并且借助至少一个与第一感应电压相关的第一导体环路确定至少一个第一测量值，该第一感应电压由交变磁场的垂直于纵轴线的第一分量在至少一个第一导体环路中感应产生。根据至少一个
第一测量值和针对梯度线圈预设的磁场模型至少部分地确定装置在成像容腔的内部中的位置。
[0025]成像容腔尤其是磁共振治疗系统的磁共振扫描装置内的区域、尤其也被称为孔的所谓的患者通道内的区域，该区域基本上由梯度线圈和必要时的用于发送高频交变场的高频发射线圈定义。因此，成像容腔尤其应被理解为下述体积区域，例如在高频发射线圈也被用作接收线圈时，在该体积区域中对象原则上可以被成像。如果使用局部磁共振接收线圈，则该局部磁共振接收线圈尤其位于成像容腔内。这意味着局部磁共振接收线圈不定义所述成像容腔，但可能定义局部磁共振接收线圈内的另外的成像容腔。
[0026]至少一个导体环路例如可以是局部磁共振接收线圈的部件，换言之，所述装置则可以对应于局部磁共振接收线圈。然而，在其他实施方式中，所述装置被设计为专用的传感器装置，即尤其是独立于可能的局部磁共振接收线圈。在这种情况下，通过确定装置的位置能够推断出其他对象、例如患者或患者的身体部分或医疗工具的位置，前提是所述其它对象相对于装置的相对位置相应地被预设或确定。
[0027]为了至少部分地确定装置的位置，尤其根据至少一个测量值和磁场模型至少部分地确定至少一个导体环路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于确定装置在磁共振治疗系统(1)的成像容腔(3)内的位置的方法，其中，
‑
所述成像容腔(3)被所述磁共振治疗系统(1)的场磁体和梯度线圈(2)围绕，所述场磁体用于沿纵轴线(z)产生基本静磁场；
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所述装置具有至少一个在第一环路平面内延伸的第一导体环路(4)；
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借助所述梯度线圈(2)在所述成像容腔(3)中产生交变磁场；
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借助所述至少一个第一导体环路(4)确定与第一感应电压相关的至少一个第一测量值，所述第一感应电压由交变场的垂直于纵轴线(z)的第一分量在至少一个第一导体环路(4)中感应产生；
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根据所述至少一个第一测量值和针对所述梯度线圈(2)预设的磁场模型至少部分地确定所述装置在所述成像容腔(3)内的位置，其特征在于，借助所述至少一个第一导体环路(4)在所述成像容腔(3)内检测来自待检查的对象的磁共振信号，并且根据所述磁共振信号产生磁共振图像。2.根据权利要求1所述的方法，其中，抑制所述磁共振信号，以便确定所述至少一个第一测量值。3.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，所述装置定位在所述成像容腔(3)中，使得所述第一环路平面至少近似地平行于所述纵轴线(z)。4.根据前述权利要求之一所述的方法，
‑
其中，所述装置具有至少一个在第二环路平面内延伸的第二导体环路；
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借助所述至少一个第二导体环路确定与第二感应电压相关的至少一个第二测量值，所述第二感应电压由交变场的垂直于纵轴线(z)的第二分量在至少一个第二导体环路中感应产生；并且
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根据所述至少一个第一测量值、至少一个第二测量值和针对梯度线圈(2)的磁场模型至少部分地确定所述装置的位置。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述装置定位在所述成像容腔(3)中，使得所述第二环路平面至少近似地平行于所述纵轴线(z)。6.根据前述权利要求之一所述的方法，
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其中，所述装置具有至少一个在第三环路平面内延伸的第三导体环路；
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借助所述至少一个第三导体环路确定与第三感应电压相关的至少一个第三测量值，所述第三感应电压由交变场的垂直于纵轴线(z)的第三分量在至少一个第三导体环路中感应产生；并且
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根据所述至少一个第一测量值和所述磁场模型至少部分地确定所述至少一个第一导体环路(4)在所述成像容腔(3)内的第一位置；
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根据所述至少一个第三测量值和所述磁场模型至少部分地确定所述至少一个第三导体环路在所述成像容腔(3)内的第三位置；并且
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根据所述第一位置和所述第三位置确定所述至少一个第...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：西门子医疗有限公司，
类型：发明
国别省市：