一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法技术

技术编号:38393394 阅读:13 留言:0更新日期:2023-08-05 17:46
本发明专利技术提供一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,包括ITO阳极玻璃板,所述ITO阳极玻璃板表面蒸镀轻薄空穴注入层,所述轻薄空穴注入层表面真空蒸镀空穴传输层,所述空穴传输层表面真空蒸镀掺杂型蓝光主客体共发光层,所述掺杂型蓝光主客共发光层表面真空蒸镀两层不同电子传输层,所述电子传输层表面真空蒸镀金属阴极;发明专利技术采用具有反向系间窜越特点的热活化延迟荧光材料作为发光层材料,组成元素安全无污染;较小的能极差可以使TADF材料在室温热能活化下发生反向系间窜越现象,实现激子从三重态到单重态能级反向跃迁,达到更高的量子效率,有效的改善了器件的发光亮度和效率。有效的改善了器件的发光亮度和效率。有效的改善了器件的发光亮度和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法


[0001]本专利技术涉及发光材料领域,尤其涉及一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]蓝光OLED目前主要采用荧光材料和磷光材料,并且发光层多为单层发光层,主要存在两个不足之处,第一个是采用荧光材料和磷光材料制备器件的发光层分别存在效率低和价格贵的问题,其中磷光材料中还含有有毒重金属元素,大量使用会造成环境污染;第二个是单层蓝色发光层材料的电子传输和注入能力较弱,导致开启电压、亮度和量子效率等光电性能较差,需要在传输层材料能级匹配及结构上进行改动。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于针对上述现有技术的不足,提供了一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,实现激子从三重态到单重态能级反向跃迁,达到更高的量子效率,有效的改善了器件的发光亮度和效率。
[0004]为实现上述目的,本专利技术采用了如下技术方案:
[0005]本专利技术提供了一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,包括ITO阳极玻璃板,所述ITO阳极玻璃板表面蒸镀轻薄空穴注入层,所述轻薄空穴注入层表面真空蒸镀空穴传输层,所述空穴传输层表面真空蒸镀掺杂型蓝光主客共发光层,所述掺杂型蓝光主客共发光层表面真空蒸镀两层不同电子传输层,所述电子传输层表面真空蒸镀金属阴极。
[0006]进一步,所述ITO阳极玻璃板用清洗剂超声清洗,所述清洗剂为丙酮、乙醇、去离子水、依次超声清洗15分钟。
[0007]进一步,所述轻薄空穴注入层的材料为三氧化钼。/>[0008]进一步,所述空穴传输层的材料为4,4'

环己基二[N,N

二(4

甲基苯基)苯胺]和1,3


‑9‑
咔唑基苯。
[0009]进一步,掺杂型蓝光主客共发光层包括主体发光层和客体发光层,所述客体发光层的材料为[4

(9,9

二甲基

9,10

二氢吖啶)苯基]硫砜;所述主体发光层的材料为二[2

((氧代)二苯基膦基)苯基]醚。
[0010]进一步,所述电子传输层的材料为2,8

双(二苯基膦氧基)二苯并呋喃和1,3,5

三(1

苯基

1H

苯并咪唑
‑2‑
基)苯。
[0011]进一步,金属阴极的材料为纯铝。
[0012]进一步,所述轻薄空穴注入层的三氧化钼的厚度为1nm。
[0013]进一步,所述主体发光层和所述客体发光层的浓度比为7:3。
[0014]本专利技术的有益效果为:专利技术采用具有反向系间窜越特点的热活化延迟荧光材料作为发光层材料,该材料价格低廉,量子效率高,组成元素安全无污染。新一代的TADF材料还具有比较小的单三重态能极差ΔEST,较小的能极差可以使TADF材料在室温热能活化下发
生反向系间窜越现象,实现激子从三重态到单重态能级反向跃迁,达到更高的量子效率,有效的改善了器件的发光亮度和效率;
[0015]专利技术采用主客体掺杂发光层和能级匹配的载流子传输层,有效的促进电子和空穴的注入和传输,更多的激子产生,更少的激子湮灭,有效的改善了器件的发光亮度和效率。
附图说明
[0016]图1为本专利技术一种掺杂型蓝光有机发光二极管的器件结构图;
[0017]图2为本专利技术一种掺杂型蓝光有机发光二极管的器件材料能级图;
[0018]图3为器件A的光电性能测试图之一;
[0019]图4为器件A的光电性能测试图之二;
[0020]图5为器件B的光电性能测试图之一;
[0021]图6为器件B的光电性能测试图之二;
[0022]图7为主客体发光层的发光机理
[0023]图8为器件B中掺杂浓度30%的器件电致发光性能图;
具体实施方式
[0024]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,下面结合附图,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。
[0025]请参阅图1,一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,包括ITO阳极玻璃板,所述ITO阳极玻璃板表面蒸镀轻薄空穴注入层,所述轻薄空穴注入层表面真空蒸镀空穴传输层,所述空穴传输层表面真空蒸镀掺杂型蓝光主客共发光层,所述掺杂型蓝光主客共发光层表面真空蒸镀两层不同电子传输层,所述电子传输层表面真空蒸镀金属阴极。
[0026]所述ITO阳极玻璃板用清洗剂超声清洗,所述清洗剂为丙酮、乙醇、去离子水、依次超声清洗15分钟。
[0027]所述轻薄空穴注入层的材料为三氧化钼。
[0028]MoO3的HOMO能级低于mCP和DPEPO的HOMO能级,可以有效降低器件的开启电压及提高空穴注入能力。其次,MoO3层的厚度不能太厚,器件内阻与材料层厚度呈正比,内阻过大,器件性能越差。
[0029]所述空穴传输层的材料为4,4'

环己基二[N,N

二(4

甲基苯基)苯胺](TAPC)和1,3


‑9‑
咔唑基苯(mCP)。
[0030]掺杂型蓝光主客共发光层包括主体发光层和客体发光层,所述客体发光层的材料为[4

(9,9

二甲基

9,10

二氢吖啶)苯基]硫砜(DMAC

DPS);所述主体发光层的材料为二[2

((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO)。
[0031]蓝色发光层中主体材料为二[2

((氧代)二苯基膦基)苯基]醚(DPEPO),DPEPO具有宽带隙特征,较宽的带隙寄予激子更大的复合空间,减少激子发生湮灭的机率;客体材料为DMAC

DPS,该材料为热活化延迟荧光材料,DMAC

DPS的单重态能量约为2.9eV,ΔEST=0.1eV,DMAC

DPS既可以通过自身的RISC效应发光,让三重态激子逆转变为单重态激子,单重态激子再通过辐射发光,也可以通过能量传递原理,从DPEPO的激子中获得能量,
这样主客体材料共同参与发光,促使DMAC

DPS的发光效率提升。
[0032]所述电子传输层的材料为2,8

双(二苯基膦氧基)二苯并呋喃和1,3,5

三(1

苯基

1H

苯并咪唑
‑2‑
基)苯(TPBi)。
[0033]金属阴极的材料为纯铝。
[0034]所述轻薄空穴注入层的三氧化钼的厚度为1nm。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,其特征在于:包括ITO阳极玻璃板,所述ITO阳极玻璃板表面蒸镀轻薄空穴注入层,所述轻薄空穴注入层表面真空蒸镀空穴传输层,所述空穴传输层表面真空蒸镀掺杂型蓝光主客共发光层,所述掺杂型蓝光主客体共发光层表面真空蒸镀两层不同电子传输层,所述电子传输层表面真空蒸镀金属阴极。2.根据权利要求1所述的一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,其特征在于:所述ITO阳极玻璃板用清洗剂超声清洗,所述清洗剂为丙酮、乙醇、去离子水、依次超声清洗15分钟。3.根据权利要求2所述的一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,其特征在于:所述轻薄空穴注入层的材料为三氧化钼。4.根据权利要求3所述的一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,其特征在于:所述空穴传输层的材料为4,4'

环己基二[N,N

二(4

甲基苯基)苯胺]和1,3


‑9‑
咔唑基苯。5.根据权利要求4所述的一种掺杂型蓝光有机发光二极管的制备方法,其特征在于:掺杂型蓝光主客共发光层包括主...

【专利技术属性】
技术研发人员:王豪杰童世成袁倩祝友成路成东陈博
申请(专利权)人:国网湖北省电力有限公司超高压公司
类型:发明
国别省市:

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