半导体装置、显示装置、显示模块及电子设备制造方法及图纸

降低显示装置的布线的寄生电容。提供一种同时实现高分辨率及高帧频的显示装置。提供一种高清晰度的显示装置。应用于显示装置的半导体装置在第一布线与晶体管之间包括第一树脂层，在第一树脂层与晶体管之间包括第一绝缘层，在晶体管与第二布线之间包括第二树脂层，在第二树脂层与晶体管之间包括第二绝缘层。第一绝缘层及第二绝缘层具有包含氮的无机绝缘膜。再者，第一树脂层及第二树脂层的介电常数分别低于第一绝缘层及第二绝缘层，并且第一树脂层及第二树脂层的厚度分别为第一绝缘层及第二绝缘层的5倍以上且100倍以下。第二绝缘层的5倍以上且100倍以下。第二绝缘层的5倍以上且100倍以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、显示装置、显示模块及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及其制造方法。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来，对高分辨率的显示装置有需求。例如，现在家用电视装置(也称为电视或电视接收器)的主流为全高清(Full High
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Definition，像素数为1920
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1080)，但是可以预料以后电视装置趋于高分辨率化，诸如4K(像素数为3840
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2160)或8K(像素数为7680
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4320)等。
[0004]并且，在移动电话、智能手机、平板终端及笔记本型PC等便携式信息终端设备中，用于器件的显示部的显示面板也趋于高分辨率化。
[0005]作为可用于显示装置中的晶体管的半导体材料，使用金属氧化物的氧化物半导体受到瞩目。例如，专利文献1公开了如下半导体装置：层叠有多个氧化物半导体层，在该多个氧化物半导体层中，用作沟道的氧化物半导体层包含铟及镓，并且通过使铟的比率比镓的比率高从而使场效应迁移率得到提高的半导体装置。[先行技术文献][专利文献][0006][专利文献1]日本专利申请公开第2014
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7399号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0007]在显示装置的屏幕尺寸相同的情况下，由于分辨率越高像素密度越高，所以布线间的寄生电容变大。并且，随着分辨率提高一个布线交叉的布线的数量也增加，所以寄生电容也变大。布线的寄生电容大时，布线的时间常数变大，因此很难以高帧频进行显示图像。
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种降低布线的寄生电容的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可以同时实现高分辨率及高帧频的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰度的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置或半导体装置。
[0009]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖的结构的半导体装置、显示装置、显示模块或电子设备等。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造上述显示装置或半导体装置的方法。本专利技术的一个方式的目的之一是至少改善现有技术的问题中的至少一个。
[0010]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的目的。解决技术问题的手段
[0011]本专利技术的一个方式是一种半导体装置，包括：第一布线；第二布线；以及晶体管。半导体装置在第一布线与晶体管之间包括第一树脂层。半导体装置在第一树脂层与晶体管之间包括第一绝缘层。半导体装置在晶体管与第二布线之间包括第二树脂层。半导体装置在第二树脂层与晶体管之间包括第二绝缘层。第一绝缘层及第二绝缘层包括包含氮的无机绝缘膜。第一树脂层及第二树脂层的介电常数分别低于第一绝缘层及第二绝缘层的介电常数。另外，第一树脂层及第二树脂层的厚度分别为第一绝缘层及第二绝缘层的5倍以上且100倍以下。
[0012]另外，优选的是，第一树脂层及第二树脂层包含相同的材料，并且，第一树脂层及第二树脂层的厚度为彼此相等。或者，第二树脂层的厚度优选为第一树脂层的厚度的80％以上且120％以下。并且，第一树脂层及第二树脂层优选使用相同的材料及相同的沉积方法形成。
[0013]另外，优选的是，第一绝缘层及第二绝缘层包含相同的材料，并且，第一绝缘层及第二绝缘层的厚度为彼此相等。或者，第二绝缘层的厚度优选为第一绝缘层的厚度的80％以上且120％以下。并且，第一绝缘层及第二绝缘层优选使用相同的材料及相同的沉积方法形成。
[0014]在上述中，晶体管优选包括第一栅电极、第二栅电极、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层及半导体层。此时，第一栅极绝缘层位于半导体层与第一栅电极之间。第二栅极绝缘层位于半导体层与第二栅电极之间。第一栅电极与第二栅电极具有隔着半导体层重叠的区域。第一栅电极通过在第一绝缘层及第一树脂层中设置的开口部与第一布线电连接。
[0015]在上述中，第二布线优选在第二树脂层及第二绝缘层中设置的开口部与半导体层电连接。
[0016]或者，在上述中，晶体管优选在第二树脂层与第二绝缘层之间包括第一电极。并且，第一电极优选在第二绝缘层中设置的开口部与半导体层的一部分电连接。另外，第二布线优选在第二树脂层中设置的开口部与第一电极电连接。
[0017]在上述任一个中，第二栅电极优选在第一栅极绝缘层及第二栅极绝缘层中设置的开口部与第一栅电极电连接。
[0018]在上述任一个中，半导体层优选包含铟和锌中的任一方或双方及氧。此时，更优选的是，半导体层包含铟、镓及锌，并且半导体层的铟的原子数比为镓的原子数比的两倍以上且锌的原子数比为镓的原子数比的两倍以上。
[0019]在上述任一个中，第一树脂层及第二树脂层优选分别包含丙烯酸或聚酰亚胺。
[0020]另外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括：上述任一个半导体装置；像素电极；源极驱动电路；以及栅极驱动电路。另外，显示装置在像素电极与晶体管之间优选包括第三树脂层。另外，优选的是，第一布线与源极驱动电路电连接，并且第二布线与栅极驱动电路电连接。
[0021]在上述中，优选还包括有机EL元件。此时，上述像素电极优选为有机EL元件的电极。
[0022]另外，本专利技术的一个方式是一种显示模块，包括：上述任一个显示装置；以及连接器或集成电路。
[0023]另外，本专利技术的一个方式是一种电子设备，包括：上述显示模块；以及天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风、触摸传感器和操作按钮中的至少一个。专利技术效果
[0024]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种降低布线的寄生电容的显示装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可以同时实现高分辨率及高帧频的显示装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种高清晰度的显示装置。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种可靠性高的显示装置或半导体装置。
[0025]根据本专利技术的一个方式，可以提供一种具有新颖的结构的半导体装置、显示装置、显示模块或电子设备等。根据本专利技术的一个方式，可以提供一种以高成品率制造上述显示装置或半导体装置的方法。根据本专利技术的一个方式，可以至少改善现有技术的问题中的至少一个。
[0026]注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽出上述以外的效果。附图简要说明
[0027]图1A至图1C是示出半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：第一布线；第二布线；以及晶体管,其中，所述第一布线与所述晶体管之间包括第一树脂层，所述第一树脂层与所述晶体管之间包括第一绝缘层，所述晶体管与所述第二布线之间包括第二树脂层，所述第二树脂层与所述晶体管之间包括第二绝缘层，所述第一绝缘层及所述第二绝缘层具有包含氮的无机绝缘膜，所述第一树脂层及所述第二树脂层的介电常数分别低于所述第一绝缘层及所述第二绝缘层，并且，所述第一树脂层及所述第二树脂层的厚度分别为所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的5倍以上且100倍以下。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一树脂层及所述第二树脂层包含相同的材料，并且，所述第二树脂层的厚度为所述第一树脂层的厚度的80％以上且120％以下。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中所述第一绝缘层及所述第二绝缘层包含相同的材料，并且，所述第二绝缘层的厚度为所述第一绝缘层的厚度的80％以上且120％以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中所述晶体管包括第一栅电极、第二栅电极、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层及半导体层，所述第一栅极绝缘层位于所述半导体层与所述第一栅电极之间，所述第二栅极绝缘层位于所述半导体层与所述第二栅电极之间，所述第一栅电极具有隔着所述半导体层与所述第二栅电极重叠的区域，并且，所述第一栅电极通过在所述第一绝缘层及所述第一树脂层中设置的开口部与所述第一布线电连接。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述第二布线通过在所述第二树脂层及所述第二绝缘层中设置的开口部与所述半导体层电连接。6.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，冈崎健一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：