一种功率器件的散热模块制造技术

本实用新型专利技术实施例涉及一种功率器件的散热模块。所述功率器件的散热模块包括：热导介质、散热片、散热风扇；功率器件的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板上；所述散热片通过热导介质层贴装在所述功率器件的正面；所述散热片于所述功率器件的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为呈等间距分布的多针状结构或立体的井字交叉结构的多间隙结构；所述散热风扇设置在所述散热片上。该散热模块的结构能够有效提高热传递效率，降低芯片温度，增强芯片稳定性和可靠性。定性和可靠性。定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件的散热模块


[0001]本技术涉及芯片散热
，尤其涉及一种功率器件的散热模块。

技术介绍

[0002]芯片散热是指通过散热技术将芯片产生的热量迅速散出，以保证芯片的正常工作温度，保障芯片的性能、稳定性和寿命。随着芯片集成度的不断提高和功率密度的不断增加，芯片散热问题变得越来越严重。
[0003]GaN芯片与传统的硅基芯片相比，具有更高的电子迁移率、更高的开关速度和更高的抗辐射能力等特点，这使得GaN芯片在高频、高功率应用中具有优势。但是，GaN芯片的散热问题也需要特别关注。由于GaN芯片的高功率和高温度特性，GaN芯片的工作温度对其性能和寿命影响较大，因此需要更加精确的散热效果更佳的散热系统设计来确保芯片的温度控制在安全范围内。

技术实现思路

[0004]本技术的目的是提供一种功率器件的散热模块，能够有效提高热传递效率，降低芯片温度，增强芯片稳定性和可靠性。
[0005]为此，本技术实施例提供了一种功率器件的散热模块包括：热导介质、散热片、散热风扇；
[0006]功率器件的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板上；
[0007]所述散热片通过热导介质层贴装在所述功率器件的正面；所述散热片于所述功率器件的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为呈等间距分布的多针状结构或立体的井字交叉结构的多间隙结构；
[0008]所述散热风扇设置在所述散热片上。
[0009]优选的，所述多间隙结构的间隙具体为：多针状结构的间隙或者井字交叉结构的间隙。
[0010]优选的，所述井字交叉结构具有从垂直所述功率器件的正面方向的交织结构以及从平行所述功率器件的正面方向的交织结构。
[0011]优选的，所述散热风扇为抽风式散热风扇，装设在所述散热片的上表面。
[0012]优选的，所述散热风扇为吹风式散热风扇，装设在所述散热片的侧面。
[0013]优选的，所述功率器件为GaN功率器件。
[0014]本技术实施例提供的功率器件的散热模块，通过热导介质将热量传导到散热片上，通过散热片的针状或井字交叉结构的大散热面积进行散热，同时通过散热风扇加速热量的释放。本申请提出的功率器件的散热模块能够提高热传递效率，降低芯片温度，增强芯片稳定性和可靠性，可以应用于高功率芯片的散热，如高频、高功率GaN芯片等。
附图说明
[0015]图1为本技术实施例1提供的功率器件的散热器的示意图；
[0016]图2为本技术实施例2提供的功率器件的散热器的示意图；
[0017]图3为本技术实施例3和实施例4提供的功率器件中散热器的散热片的示意图。
具体实施方式
[0018]下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。
[0019]本技术实施例提出的功率器件的散热器，适用于对功率器件进行散热，例如GaN功率器件等。
[0020]具体功率器件的散热器的结构可以至少包括以下两种，分别以实施例1和实施例2进行说明。
[0021]实施例1
[0022]本技术实施例提供了一种功率器件的散热器，结构如图1所示，包括：热导介质1、散热片2、散热风扇3。
[0023]功率器件芯片100的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板200上。
[0024]散热片2通过热导介质1贴装在功率器件芯片100的正面；散热片2的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为多间隙结构；多间隙结构为呈等间距分布的多个针状结构21。在多间隙结构中，相邻的针状结构21之间具有间隙。
[0025]散热风扇3为抽风式散热风扇，设置在散热片2的上表面上，通过散热风扇3抽风能迅速带走通过多间隙结构散发的热量。
[0026]实施例2
[0027]本技术实施例提供了一种功率器件的散热器，结构如图2所示，包括：热导介质1、散热片2、散热风扇3。
[0028]功率器件芯片100的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板200上。
[0029]散热片2通过热导介质1贴装在功率器件芯片100的正面；散热片2的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为多间隙结构；多间隙结构为呈等间距分布的多个针状结构21。在多间隙结构中，相邻的针状结构21之间具有间隙。
[0030]散热风扇3为吹风式散热风扇，设置在散热片2的侧面上，通过散热风扇3吹能迅速带走通过多间隙结构散发的热量。
[0031]实施例3
[0032]本技术实施例提供了一种功率器件的散热器，包括：热导介质1、散热片2、散热风扇3。实施例3与实施例1结构类似，因此在图3中仅单独对存在不同结构的散热片2进行图示，其余结合图1理解。
[0033]结合图1、图3可以看到：
[0034]功率器件芯片100的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板200上。
[0035]散热片2通过热导介质1贴装在功率器件芯片100的正面；散热片2的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为多间隙结构；多间隙结构具体为井字交叉结构22。井字交叉结构22具有从垂直功率器件芯片100的正面方向的交织结构以及从平行功率器件芯片100的正面
方向的交织结构。
[0036]散热风扇3为抽风式散热风扇，设置在散热片2的上表面上，通过散热风扇3抽风能迅速带走通过多间隙结构散发的热量。
[0037]实施例4
[0038]本技术实施例提供了一种功率器件的散热器，包括：热导介质1、散热片2、散热风扇3。实施例4与实施例2结构类似，仅存在不同结构的散热片2，散热片2的结构同实施例3，其余结合图2和图3理解。
[0039]结合图2、图3可以看到：
[0040]功率器件芯片100的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板200上。
[0041]散热片2通过热导介质1贴装在功率器件芯片100的正面；散热片2的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为多间隙结构；多间隙结构具体为井字交叉结构22。井字交叉结构22具有从垂直功率器件芯片100的正面方向的交织结构以及从平行功率器件芯片100的正面方向的交织结构。
[0042]散热风扇3为吹风式散热风扇，设置在散热片2的侧面上，通过散热风扇3吹能迅速带走通过多间隙结构散发的热量。
[0043]以上几种实施例提出的功率器件的散热器的工作原理是相似的。
[0044]散热片2使用高导热性材料制成以提高热传递效率，并通过使用高纯度、高导热性的热导介质1填充散热片2与功率器件芯片100之间的间隙，使散热片2和功率器件芯片100之间的热接触更紧密。对于GaN芯片来说，热导介质的选择尤为关键。由于GaN芯片的热导率较低，且容易出现温度梯度和热点现象，因此需要使用高导热性和高黏度的热导介质来填充芯片和散热片之间的间隙，以保证热量的快速传递和分散。同时，由于GaN芯片对介质的纯度和杂质含量要求较高，因此需要选择高纯度、低杂质的热导介质有。具体可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的散热模块，其特征在于，所述功率器件的散热模块包括：热导介质、散热片、散热风扇；功率器件的正面向上，焊接面向下，安装在集成电路板上；所述散热片通过热导介质层贴装在所述功率器件的正面；所述散热片于所述功率器件的贴装面为下表面，呈一平面，上表面为呈等间距分布的多针状结构或立体的井字交叉结构的多间隙结构；所述散热风扇设置在所述散热片上。2.根据权利要求1所述的功率器件的散热模块，其特征在于，所述多间隙结构的间隙具体为：多针状结构的间隙或者井字交叉结构的间隙。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：赵少峰，
申请(专利权)人：东科半导体安徽股份有限公司，
类型：新型
国别省市：