RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路技术

本申请提供一种RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路，其中，RDL积层线路的制作方法包括：制作基板；在基板上旋涂第一光刻胶；将第一光刻胶曝光显影，以在基板上制备出用作连接的盲孔；基于电镀铜柱工艺在基板上电镀，以形成铜柱；去除剩余的第一光刻胶，以得到带铜柱的基板；向基板上喷涂满足预设性能条件的材料，其中，满足预设性能条件的材料固化后形成介质层；基于磁控溅射工艺在基板的表面形成种子层；在种子层的上表面旋涂第二光刻胶；基于第二光刻胶曝光显影出焊盘及线路；电镀焊盘和线路；去除剩余的第二光刻胶和蚀刻多余的种子层。本申请具有可提高制作RDL积层线所需介质层的材料选择范围等优点。层的材料选择范围等优点。层的材料选择范围等优点。

【技术实现步骤摘要】
RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路


[0001]本申请涉及线路板领域，具体而言，涉及一种RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路。

技术介绍

[0002]随着终端电子产品多功能及低功耗的需求，从28nm到5nm的制程，高阶封装的成本也在增加，能减少封装成本的晶圆探针卡技术越发重要。
[0003]作为晶圆探针卡技术，垂直式探针卡测试时，垂直接触到晶粒上的测试板，在测试板上的滑行距离较小，不受尺寸和封装类型的影响，因此适用于各类型的封装。相应地，MLO或MLC的连接方式是在垂直探针卡中的探针与PCB电路板连接方式中性能最好的选择，其通过一片MLO或MLC作为信号传输的媒介，将主PCB板和探针头针尾连通。
[0004]当前常规MLO/MLC能力难以匹配晶元测试需求，需要进一步采用RDL技术缩小MLO/MLC间距，进一步地，如图1所示，现有RDL流程是：旋涂光敏PI胶作为介质层，接着用光刻技术曝光显影出连接孔，然后固化定型，接着采用磁控溅射技术溅镀种子层，然后旋涂光刻胶，曝光显影出图形，电镀加厚铜，然后去胶，蚀刻种子层，最终形成一层RDL积层线路。
[0005]然而，针对现有的RDL流程，由于基板MLO/MLC本身的物理特性要求，作为介质层的光敏PI胶需要同时满足高解析度、低CTE、低固化温度，耐酸碱等特性，还需要满足产品本身要求的介电常数等要求，这样一来随着精度的增加和叠层次数的增多，很难找到满足上述需求的光敏PI胶，产品的可靠性难以满足。

技术实现思路

[0006]本申请的目的在于提供一种RDL积层线路的制作方法和RDL积层线路，用以制作RDL积层线路，并至少提高制作RDL积层线所需介质层的材料选择范围，从而满足可靠性要求。
[0007]第一方面，本申请提供一种RDL积层线路的制作方法，所述方法包括：
[0008]制作基板；
[0009]在所述基板上旋涂第一光刻胶；
[0010]将所述第一光刻胶曝光显影，以在所述基板上制备出用作连接的盲孔；
[0011]基于电镀铜柱工艺在所述基板上电镀，以形成铜柱；
[0012]去除剩余的所述第一光刻胶，以得到带所述铜柱的所述基板；
[0013]向所述基板上喷涂满足预设性能条件的材料，其中，所述满足预设性能条件的材料固化后形成介质层；
[0014]基于磁控溅射工艺在所述基板的表面形成种子层；
[0015]在所述种子层的上表面旋涂第二光刻胶；
[0016]基于所述第二光刻胶曝光显影出焊盘及线路；
[0017]电镀所述焊盘和所述线路；
[0018]去除剩余的所述第二光刻胶和蚀刻多余的所述种子层。
[0019]本申请第一方面的方法能够先制作基板，进而在所述基板上旋涂第一光刻胶，进而将所述第一光刻胶曝光显影，以在所述基板上制备出用作连接的盲孔，进而能够基于电镀铜柱工艺在所述基板上电镀，以形成铜柱，进而能够去除剩余的所述第一光刻胶，以得到带所述铜柱的所述基板，进而能够向所述基板上喷涂满足预设性能条件的材料，其中，所述满足预设性能条件的材料固化后形成介质层，进而能够基于磁控溅射工艺在所述基板的表面形成种子层，进而能够在所述种子层的上表面旋涂第二光刻胶，进而能够基于所述第二光刻胶曝光显影出焊盘及线路，进而能够电镀所述焊盘和所述线路，进而能够去除剩余的所述第二光刻胶和蚀刻多余的所述种子层，最终实现制作RDL积层线路。
[0020]与现有技术相比，本申请采用了先电镀铜柱，后喷涂固化介质层的工艺，令介质层不在需求光敏性能，进而扩宽了介质层的材料选择范围，以满足可靠性要求。另一方面，本申请采用了光刻胶，其中，光刻胶比光敏PI具备更好的解析度，因此本申请可以制作出更精密的图形连接，最终在满足可靠性的要求的同时，满足精度要求。
[0021]在可选的实施方式中，所述基板为PCB基板或陶瓷基板。本可选的实施方式可将PCB基板或陶瓷基板作为制作基板。
[0022]在可选的实施方式中，基于所述电镀铜柱工艺形成的铜柱的高度为8
‑
20μm。本可选实施方式形成的8
‑
20μm铜柱，能够在去除第一光刻胶后，确保连接两个线路层。
[0023]在可选的实施方式中，去除剩余的所述第一光刻胶后，所述铜柱的高度为10
‑
15μm。本可选实施方式的10
‑
15μm的铜柱能够连接两个线路层。
[0024]在可选的实施方式中，在所述基板上旋涂光刻胶的厚度为8
‑
20μm。
[0025]在可选的实施方式中，所述盲孔的深度为15μm。本可选的实施方式将盲孔的深度设置为15μm，能够确保盲孔容纳10
‑
15μm的铜柱。
[0026]在可选的实施方式中，在所述向所述基板上喷涂满足预设性能条件的材料之后，所述基于磁控溅射工艺在所述介质层表面形成种子层之前，所述方法还包括：
[0027]将所述基板的表面研磨至平整。
[0028]本可选的实施方式可将所述基板的表面研磨至平整，以保证每层线路层的平整度。
[0029]在可选的实施方式中，所述种子层包括80
‑
250nm的钛和350
‑
800nm的铜。
[0030]本可选的实施方式可将80
‑
250nm的钛和350
‑
800nm的铜作为种子层。
[0031]在可选的实施方式中，所述满足预设性能条件的材料为光敏PI胶。
[0032]第二方面，本申请提供一种RDL积层线路，所述RDL积层线路基于前述实施方式任一项所述的制作方法得到。
[0033]本申请第二方面的RDL积层线路由于是基于本申请第一方面的制作方法得到，因此其具有能够满足可靠性要求等有优点。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以
根据这些附图获得其他相关的附图。
[0035]图1为现有RDL流程示意图；
[0036]图2是本申请实施例公开的一种RDL积层线路的制作方法的流程示意图；
[0037]图3是本申请实施例公开的一种基板的示意图；
[0038]图4是本申请实施例公开的一种旋涂第一光刻胶后的基板示意图；
[0039]图5是本申请实施例公开的一种第一光刻胶曝光显影后的基板示意图；
[0040]图6是本申请实施例公开的一种电镀铜柱后的基板示意图；
[0041]图7是本申请实施例公开的一种去除剩余第一光刻胶后的基板示意图；
[0042]图8是本申请实施例公开的一种满足预设性能条件的材料喷涂固化后的基板示意图；
[0043]图9是本申请实施例公开的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种RDL积层线路的制作方法，其特征在于，所述方法包括：制作基板；在所述基板上旋涂第一光刻胶；将所述第一光刻胶曝光显影，以在所述基板上制备出用作连接的盲孔；基于电镀铜柱工艺在所述基板上电镀，以形成铜柱；去除剩余的所述第一光刻胶，以得到带所述铜柱的所述基板；向所述基板上喷涂满足预设性能条件的材料，其中，所述满足预设性能条件的材料固化后形成介质层；基于磁控溅射工艺在所述基板的表面形成种子层；在所述种子层的上表面旋涂第二光刻胶；基于所述第二光刻胶曝光显影出焊盘及线路；电镀所述焊盘和所述线路；去除剩余的所述第二光刻胶和蚀刻多余的所述种子层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板为PCB基板或陶瓷基板。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，基于所述电镀铜柱工艺形成的铜柱的高度为8
‑
20μm。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，去除剩余的所述第一光刻胶后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：易凡，陈蓓，史宏宇，
申请(专利权)人：深圳市华芯微测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：