介电基板及其形成方法技术

本公开涉及一种介电基板，该介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。该聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。该第一填充材料的粒度分布可以具有至少约1.0微米并且不大于约1.7的D

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】介电基板及其形成方法


[0001]本公开涉及介电基板及其形成方法。具体地，本公开涉及用于覆铜层压板结构的介电基板及其形成方法。

技术介绍

[0002]覆铜层压板(CCL)包括层压在两层导电铜箔上或其之间的介电材料。随后的操作将此类CCL转变为印刷电路板(PCB)。当用于形成PCB时，导电铜箔被选择性地蚀刻以形成具有通孔的电路，该通孔在层之间钻出并且被金属化，即被电镀，以在多层PCB中的层之间建立导电性。因此，CCL必须表现出优异的热机械稳定性。PCB在制造操作(诸如焊接)和使用期间也经常暴露在过高的温度下。因此，它们必须能在200℃以上的连续温度下工作而不变形并且能承受剧烈的温度波动，同时防止吸湿。CCL的介电层充当导电层之间的间隔物并且可以通过阻挡导电性来使电信号损失和串扰最小化。介电层的介电常数(电容率)越低，电信号通过该层的速度就越高。因此，取决于温度和频率以及材料极化率的低耗散因数对于高频应用至关重要。因此，需要可以用于PCB和其他高频应用的改善的介电材料和介电层。

技术实现思路

[0003]根据第一方面，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D
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，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D
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，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D
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[0004]根据另一方面，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D
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)/D
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，其中D
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等于第一填充材料的D
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粒度分布测量值，D
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等于第一填充材料的D
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粒度分布测量值，并且D
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等于第一填充材料的D
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粒度分布测量值。
[0005]根据再一方面，介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
[0006]根据另一方面，覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。陶瓷填料组分可以包含第一填充材料，该第一填充材料可以包含二氧化硅。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D
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，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D
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，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D
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[0007]根据又一方面，覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和
陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D
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，其中D
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等于第一填充材料的D
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粒度分布测量值，并且D
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等于第一填充材料的D
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粒度分布测量值。
[0008]根据再一方面，覆铜层压板可以包括铜箔层和覆盖铜箔层的介电基板。介电基板可以包括聚合物基芯膜和含氟聚合物基粘合剂层。聚合物基芯膜可以包含树脂基质组分和陶瓷填料组分。该陶瓷填料组分可以包含第一填充材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
[0009]根据另一方面，一种形成介电基板的方法可以包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将该成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D
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，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D
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，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D
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。
[0010]根据另一方面，一种形成介电基板的方法可以包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；以及将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填料前体材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度和不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D
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等于第一填料前体材料的D
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粒度分布测量值，D
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等于第一填料前体材料的D
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等于第一填料前体材料的D
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粒度分布测量值。
[0011]根据再一方面，一种形成介电基板的方法可以包括：将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及用含氟聚合物基粘合剂层涂覆该聚合物基芯膜。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料可以进一步具有不大于约10微米的平均粒度，以及不大于约8.0m2/g的平均表面积。
[0012]根据另一方面，一种形成覆铜层压板的方法可以包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在聚合物基芯膜和铜箔之间提供含氟聚合物基粘合剂层。陶瓷填料前体组分可以包含第一填料前体材料。第一填充材料的粒度分布可以具有至少约0.5微米并且不大于约1.6的D
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，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D
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，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D
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[0013]根据又一方面，一种形成覆铜层压板的方法可以包括：提供铜箔层；将树脂基质前体组分和陶瓷填料前体组分组合以形成成形混合物；将成形混合物形成为聚合物基芯膜；以及在聚合本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种介电基板，包括：聚合物基芯膜，和含氟聚合物基粘合剂层，其中所述聚合物基芯膜包含：树脂基质组分；和陶瓷填料组分，其中所述陶瓷填料组分包含第一填充材料，并且其中所述第一填充材料的粒度分布包括：至少约0.5微米并且不大于约1.6微米的D
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，至少约0.8微米并且不大于约2.7微米的D
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，和至少约1.5微米并且不大于约4.7微米的D
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。2.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料还包含不大于约10微米的平均粒度。3.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料包含不大于约5的粒度分布跨度(PSDS)，其中PSDS等于(D
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，其中D
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粒度分布测量值，并且D
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等于所述第一填充材料的D
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粒度分布测量值。4.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料还包括不大于约8m2/g的平均表面积。5.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料包含二氧化硅基化合物。6.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述树脂基质包含全氟聚合物。7.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述树脂基质组分的含量为所述聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％并且不大于约63体积％。8.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述陶瓷填料组分的含量为所述聚合物基芯膜的总体积的至少约45体积％并且不大于约57体积％。9.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述第一填充材料的含量为所述陶瓷填料组分的总体积的至少约80体积％并且不大于约100体积％。10.根据权利要求1所述的介电基板，其中所述介电基板包含不大于约0.005的耗散因数(5GHz、20％RH...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：美国圣戈班性能塑料公司，
类型：发明
国别省市：