阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。阵列基板包括基底、设置在所述基底上的第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管包括第一有源层，所述第二类型晶体管包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；在所述第一沟道区域远离所述基底的一侧设置有氢阻挡层。一侧设置有氢阻挡层。一侧设置有氢阻挡层。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置


[0001]本文涉及但不限于显示技术，尤指一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展，以OLED为发光元件、由薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。但OLED显示器件均为电流驱动型器件，在电流随电压变化剧烈时，显示灰阶不易控制，影响显示效果。
[0003]经本申请专利技术人研究发现，电流驱动型显示装置的晶体管存在灰阶调节能力较弱的问题。

技术实现思路

[0004]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决电流驱动型显示装置的晶体管灰阶调节能力较弱的问题。
[0006]第一方面，本公开实施例提供了一种阵列基板，包括：基底、设置在所述基底上的第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管包括第一有源层，所述第二类型晶体管包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；在所述第一沟道区域远离所述基底的一侧设置有氢阻挡层。
[0007]一种示例性实施例中，所述阵列基板包括设置在所述基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管；所述第一类型晶体管为驱动晶体管，所述第二类型晶体管为开关晶体管。
[0008]一种示例性实施例中，所述氢阻挡层在所述基底上的正投影和所述第一沟道区域在所述基底上的正投影至少部分交叠。
[0009]一种示例性实施例中，所述氢阻挡层在所述基底上的正投影位于所述第一沟道区域在所述基底上的正投影的范围内。
[0010]一种示例性实施例中，所述氢阻挡层包括至少一个第一通孔，所述第一通孔在沿垂直于所述基底的方向上贯穿所述氢阻挡层。
[0011]一种示例性实施例中，所述氢阻挡层包括多个所述第一通孔，多个所述第一通孔在所述基底上正投影的形状和尺寸相同或不同。
[0012]一种示例性实施例中，所述第一类型晶体管包括第一栅电极，所述第一栅电极位于所述第一有源层远离所述基底的一侧，所述氢阻挡层位于所述第一栅电极靠近所述基底
的一侧；所述第二类型晶体管包括第二栅电极，所述第二栅电极和所述第一栅电极同层设置。
[0013]一种示例性实施例中，所述第一栅电极在所述基底上的正投影和所述氢阻挡层在所述基底上的正投影至少部分交叠。
[0014]一种示例性实施例中，所述第一栅电极在所述基底上的正投影覆盖所述氢阻挡层在所述基底上的正投影。
[0015]一种示例性实施例中，所述第一栅电极在所述基底上的正投影和所述氢阻挡层在所述基底上的正投影相互重合。
[0016]一种示例性实施例中，所述氢阻挡层的厚度设置为大于或等于1纳米且小于或等于1000纳米；所述氢阻挡层的厚度为所述氢阻挡层靠近所述基底一侧的表面和远离所述基底一侧的表面之间的距离。
[0017]第二方面，本公开实施例提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成第一类型晶体管的第一有源层和第二类型晶体管的第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；在所述第一沟道区域远离所述基底的一侧形成氢阻挡层。
[0018]第三方面，本公开实施例提供了一种显示面板，包括如上所述的阵列基板。
[0019]第四方面，本公开实施例提供了一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
[0020]本公开实施例提供的阵列基板，通过在第一有源层远离基底的一侧设置氢阻挡层，可以有效阻挡位于第一有源层远离基底一侧的膜层中包含的氢元素向第一沟道区域扩散，从而使第一沟道区域的缺陷增多，使第一类型晶体管的亚阈值摆幅增大。由于在第二有源层远离基底的一侧未设置氢阻挡层，第二类型晶体管的亚阈值摆幅不会受到影响，实现了在不降低第二类型晶体管开关速度的前提下，调控或改善第一类型晶体管的灰阶表达能力。解决了电流驱动型显示装置的晶体管灰阶调节能力较弱的问题。
[0021]本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
[0022]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0023]附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
[0024]图1为一种显示装置的结构示意图；
[0025]图2为一种显示面板中显示区域的平面结构示意图；
[0026]图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图；
[0027]图4为本公开实施例中提供的阵列基板的结构示意图；
[0028]图5为一示例性实施方式中氢阻挡层和第一有源层在基底上的正投影示意图；
[0029]图6为示例性实施方式中氢阻挡层在基底上正投影的俯视图；
[0030]图7为一示例性实施例中形成半导体层图案后阵列基板的结构示意图；
[0031]图8为一示例性实施例中形成氢阻挡层图案后阵列基板的结构示意图；
[0032]图9为一示例性实施例中形成第一导电层图案后阵列基板的结构示意图；
[0033]图10为一示例性实施例中形成源漏连接区域和沟道区域后阵列基板的结构示意图；
[0034]图11为一示例性实施例中形成第三绝缘层图案后阵列基板的结构示意图；
[0035]图12为一示例性实施例中形成第二导电层图案后阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
[0036]本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。
[0037]本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底、设置在所述基底上的第一类型晶体管和第二类型晶体管，所述第一类型晶体管包括第一有源层，所述第二类型晶体管包括第二有源层；所述第一有源层包括第一沟道区域以及位于所述第一沟道区域两侧的第一源漏连接区域，所述第二有源层包括第二沟道区域以及位于所述第二沟道区域两侧的第二源漏连接区域；在所述第一沟道区域远离所述基底的一侧设置有氢阻挡层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置在所述基底上的驱动结构层，所述驱动结构层包括像素驱动电路，所述像素驱动电路包括所述第一类型晶体管和所述第二类型晶体管；所述第一类型晶体管为驱动晶体管，所述第二类型晶体管为开关晶体管。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层在所述基底上的正投影和所述第一沟道区域在所述基底上的正投影至少部分交叠。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层在所述基底上的正投影位于所述第一沟道区域在所述基底上的正投影的范围内。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层包括至少一个第一通孔，所述第一通孔在沿垂直于所述基底的方向上贯穿所述氢阻挡层。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述氢阻挡层包括多个所述第一通孔，多个所述第一通孔在所述基底上正投影的形状和尺寸相同或不同。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一类型晶体管包括第一栅电极，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张慧娟，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：