半导体废气处理设备和半导体废气处理设备的维护方法技术

本申请提供一种半导体废气处理设备和半导体废气处理设备的维护方法，半导体废气处理设备包括支架组件、反应腔、冷却腔和洗涤腔。支架组件包括第一滑轨和第二滑轨；反应腔设置于第一滑轨，半导体制程产生的废气生成于反应腔内；冷却腔设置于支架组件，冷却腔的侧面设置有冷却腔法兰，且冷却腔装配连通于反应腔的下游，半导体制程产生的废气经由反应腔进入冷却腔内冷却；洗涤腔设置于第二滑轨，洗涤腔装配连通于冷却腔的下游，半导体制程产生的废气经由冷却腔冷却后进入洗涤腔内。本申请简化了半导体废气处理设备的结构，在安装和清洗的过程中，避免了大重部件的拆卸、安装、定位调配过程，能够有效地降低维护难度，节约维护时间和人力成本。人力成本。人力成本。

【技术实现步骤摘要】
半导体废气处理设备和半导体废气处理设备的维护方法


[0001]本申请涉及半导体废气处理领域，尤其涉及到一种半导体废气处理设备和半导体废气处理设备的维护方法。

技术介绍

[0002]泛半导体行业生产过程中，大量使用化学品和特殊气体，生产环节持续产生大量有毒有害气体的工艺废气。工艺废气需要与生产工艺同步进行收集、治理和排放，废气处理系统及设备是半导体生产工艺不可分割的组成部分，其安全稳定性直接关系到产能利用率、产品良率、员工职业健康及生态环境。
[0003]在半导体工艺中，Harsh工艺是指复杂苛刻、多粉尘、强腐蚀的工艺，如化学气相淀积(CVD)工艺中的硼磷硅玻璃(BPSG)制程、高纵深比(HARP)制程、氮化硅(SiN)制程、蚀刻(ETCH)中的金属刻蚀(Metal ETCH)制程、扩散(Diffusion)工艺中的原子层淀积(ALD)制程、时间敏感网络(TSN)制程等。
[0004]在Harsh工艺中，有大量的SiO2粉尘和强腐蚀性有害物质需要进行处理，容易致使废气处理设备流动不畅、粉尘堆积、堵塞以及设备腐蚀泄漏等问题，导致设备需要停机进行维护。
[0005]在所述
技术介绍
部分，公开的上述信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术信息。

技术实现思路

[0006]本申请的至少一实施例提供了一种半导体废气处理设备和半导体废气处理设备的维护方法。
[0007]第一方面，本申请的至少一实施例提供了一种半导体废气处理设备，包括：支架组件、反应腔、冷却腔和洗涤腔。支架组件包括第一滑轨和第二滑轨；反应腔设置于所述第一滑轨，半导体制程产生的废气生成于所述反应腔内；冷却腔设置于所述支架组件，所述冷却腔的侧面设置有冷却腔法兰，且所述冷却腔装配连通于所述反应腔的下游，半导体制程产生的废气经由所述反应腔进入所述冷却腔内冷却；洗涤腔设置于所述第二滑轨，所述洗涤腔装配连通于所述冷却腔的下游，半导体制程产生的废气经由所述冷却腔冷却后进入所述洗涤腔内。
[0008]第二方面，本申请的至少一实施例提供了一种半导体废气处理设备的维护方法，包括：通过所述第一滑轨拉出所述反应腔，对所述反应腔进行清洗检查；拆下所述冷却腔法兰，从侧面对所述冷却腔进行清洗检查；通过所述第二滑轨拉出所述洗涤腔，对所述洗涤腔进行清洗检查。
[0009]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述第一滑轨包括第一左滑轨和第一右滑轨，所述第一左滑轨和所述第一右滑轨对称地设置于所述反应腔的两侧；和/或所述第二滑轨包括第二左滑轨和第二右滑轨，所述第二左滑轨和所述第二右滑轨
对称地设置于所述洗涤腔的两侧。
[0010]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述第一滑轨的设置高度与所述反应腔的重心高度相同或临近；和/或所述第二滑轨的设置高度与所述洗涤腔的重心高度相同或临近。
[0011]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述半导体废气处理设备还包括：溢流腔，装配连通于所述反应腔的下游，所述冷却腔通过所述溢流腔装配连通于所述反应腔，所述溢流腔与所述反应腔连通端的外轮廓大于所述溢流腔与所述冷却腔连通端的外轮廓。
[0012]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述溢流腔通过C型卡套装配连通于所述反应腔的下游；和/或所述冷却腔通过快卸法兰与所述溢流腔装配连通。
[0013]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述半导体废气处理设备还包括：循环水箱，与所述冷却腔连通，所述循环水箱的顶部具有可拆卸的维护顶板。
[0014]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述洗涤腔内设置有：粉尘捕捉喷嘴，用于通过水淋使得进入到所述洗涤腔内的废气附着到水滴；以及聚氨酯吸收块和/或鲍尔环吸附层，附着到水滴的废气被所述聚氨酯吸收块和/或所述鲍尔环吸附层吸附。
[0015]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述维护方法还包括：拆下所述维护顶板，从顶部对所述循环水箱进行清洗检查。
[0016]例如，在本申请的第一方面或第二方面的一些实施例中，所述维护方法还包括：更换所述聚氨酯吸收块和/或所述鲍尔环吸附层。
[0017]本申请的半导体废气处理设备，大大地简化了设备结构，在安装和清洗的过程中，避免了大重部件的拆卸、安装、定位调配过程，能够有效地降低维护难度，节约维护时间和人力成本。支架组件、反应腔、冷却腔和洗涤腔采用分体式设计，在清洗维护的过程中，操作者能够针对支架组件、反应腔、冷却腔和洗涤腔分别采取维护操作，便于操作者调整维护的位姿。
[0018]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1示出根据本申请示例实施例的半导体废气处理设备的结构示意图。
[0021]图2示出根据本申请一些实施例的半导体废气处理设备的结构示意图。
[0022]图3示出根据本申请一些实施例的洗涤腔的结构示意图。
[0023]图4示出根据本申请示例实施例的半导体废气处理设备的维护方法流程图。
[0024]图5示出根据本申请示例实施例的半导体废气处理设备的反应腔拉出后的结构示意图。
[0025]图6示出根据本申请示例实施例的半导体废气处理设备的洗涤腔拉出后的结构示意图。
[0026]图7示出根据本申请一些实施例的半导体废气处理设备的维护方法流程图。
[0027]图8示出根据本申请一些实施例的半导体废气处理设备的维护顶板拆下后的结构示意图。
具体实施方式
[0028]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本申请将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
[0029]所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本申请的技术方案而没有这些特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方式、组元、材料、装置或等。在这些情况下，将不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作。
[0030]附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体废气处理设备，其特征在于，包括：支架组件，包括第一滑轨和第二滑轨；反应腔，设置于所述第一滑轨，半导体制程产生的废气生成于所述反应腔内；冷却腔，设置于所述支架组件，所述冷却腔的侧面设置有冷却腔法兰，且所述冷却腔装配连通于所述反应腔的下游，半导体制程产生的废气经由所述反应腔进入所述冷却腔内冷却；洗涤腔，设置于所述第二滑轨，所述洗涤腔装配连通于所述冷却腔的下游，半导体制程产生的废气经由所述冷却腔冷却后进入所述洗涤腔内。2.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述第一滑轨包括第一左滑轨和第一右滑轨，所述第一左滑轨和所述第一右滑轨对称地设置于所述反应腔的两侧；和/或所述第二滑轨包括第二左滑轨和第二右滑轨，所述第二左滑轨和所述第二右滑轨对称地设置于所述洗涤腔的两侧。3.根据权利要求2所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述第一滑轨的设置高度与所述反应腔的重心高度相同或临近；和/或所述第二滑轨的设置高度与所述洗涤腔的重心高度相同或临近。4.根据权利要求1所述的半导体废气处理设备，其特征在于，还包括：溢流腔，装配连通于所述反应腔的下游，所述冷却腔通过所述溢流腔装配连通于所述反应腔，所述溢流腔与所述反应腔连通端的外轮廓大于所述溢流腔与所述冷却腔连通端的外轮廓。5.根据权利要求4所述的半导体废气处理设备，其特征在于，所述溢流腔通过C型卡套装配...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁腾飞，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：