一种晶圆多等级测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及芯片测试的技术领域，公开了一种晶圆多等级测试方法及装置；本发明专利技术通过对晶圆的表面冗余物、滑移线缺陷以及WAT测试为待测试晶圆赋予三个标记，并根据标记对晶圆进行分类，在完成分类后从各个类别中各抽取一个待测试晶圆用于制备目标芯片，并对制得的目标芯片进行性能测试，结合测试结果可以得出待测试晶圆的各项检测的权重值，根据权重值即可对任意一件待测试晶圆进行检测时为其赋予权重值，以得到判断晶圆性能的等级分，如此获得的待测试晶圆的等级能够直接与制得的目标芯片的性能呈正相关关系，解决了现有技术中晶圆的分级无法直接与制备的目标芯片的性能相关的问题。无法直接与制备的目标芯片的性能相关的问题。无法直接与制备的目标芯片的性能相关的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆多等级测试方法及装置


[0001]本专利技术涉及芯片测试
，尤其是一种晶圆多等级测试方法及装置。

技术介绍

[0002]晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，芯片指内含集成电路的硅片，芯片可以分为若干个级别，而不同级别的芯片需要使用对应级别的晶圆来制作，因此，在晶圆生产完成后，需要对晶圆进行等级测试，以将晶圆划分为多个等级。
[0003]目前，对晶圆的等级测试通常只从外观方面和电性能方面入手，根据晶圆的外观数据与电性能数据对晶圆进行等级分类，然而，晶圆的外观数据和电性能数据并非是绑定的，也就是说会出现外观数据较佳而电性能数据较差，和外观数据较差而电性能数据较佳的情况，而具体哪种晶圆用于制备目标芯片的效果更好则无法直接根据现有的分级得出。
[0004]现有技术中，晶圆是用于制备芯片的，也就是说，晶圆的分级要与芯片的制造相对应，而上述方法中的晶圆分级仅与晶圆本身的性能相关，并不能够直接表达出该晶圆能够制造出什么等级的芯片。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种晶圆多等级测试方法及装置，旨在解决现有技术中晶圆的分级无法直接与制备的目标芯片的性能相关的问题。
[0006]本专利技术是这样实现的，第一方面，本专利技术提供一种晶圆多等级测试方法，包括：对待测试晶圆进行图像采集；采集的图像包括所述待测试晶圆的中间区域和边缘区域；对若干所述中间区域进行表面冗余物的检测，并根据检测结果为所述待测试晶圆赋予第一标记；所述第一标记包括第一标记A、第一标记B、第一标记C，获得所述第一标记A的所述待测试晶圆进入下一轮测试，获得所述第一标记B和所述第一标记C的所述待测试晶圆进入冗余物清理流程，并重新进行表面冗余物的检测，连续获得预定次数所述第一标记B的所述待测试晶圆进入一下轮测试，连续获得预定次数所述第一标记C的所述待测试晶圆进入废弃流程；对若干所述边缘区域进行滑移线缺陷的检测，并根据检测结果为所述待测试晶圆赋予第二标记；所述第二标记包括第二标记A、第二标记B、第二标记C，获得所述第二标记A和所述第二标记B的所述待测试晶圆进入下一轮测试，获得所述第二标记C的所述待测试晶圆进入废弃流程；对所述待测试晶圆进行WAT测试，以获取所述待测试晶圆的第一测试数据；根据所述第一测试数据为所述待测试晶圆赋予第三标记；所述第三标记包括第三标记A、第三标记B、第三标记C；根据所述待测试晶圆的所述第一标记、所述第二标记以及所述第三标记为所述待
测试晶圆分类；所述待测试晶圆的分类包括AAA、AAB、AAC、ABA、ABB、ABC、BAA、BAB、BAC、BBA、BBB、BBC；从各个分级的所述待测试晶圆中抽取一个所述待测试晶圆用于制备目标芯片，并对制得的所述目标芯片进行性能检测，以获取所述待测试晶圆的第二测试数据；将所述第二测试数据由高到低排列，并按所述第二测试数据之间的比例为所述第二测试数据分别赋予分值；将各个分级的所述待测试晶圆的所述第一标记、所述第二标记以及所述第三标记与所述分值构建为一个计算模型，通过计算获取所述第一标记A、所述第一标记B、所述第二标记A、所述第二标记B、所述第三标记A、所述第三标记B以及所述第三标记C对于所述目标芯片的性能影响的权重值；根据所述第一标记A和所述第一标记B的权重值计算获取所述表面冗余物对所述目标芯片的性能影响的权重值X；根据所述第二标记A和所述第二标记B的权重值计算获取所述滑移线缺陷对所述目标芯片的性能影响的权重值Y；根据所述第三标记A、所述第三标记B以及所述第三标记C的权重值计算获取所述第一测试数据对所述目标芯片的性能影响的权重值Z；根据所述权重值X对所述待测试晶圆的中间区域进行检测并赋予所述待测试晶圆第一权重值，根据所述权重值Y对所述待测试晶圆的边缘区域进行检测并赋予所述待测试晶圆第二权重值，根据所述权重值Z对所述待测试晶圆的第一测试数据进行检测并对所述待测试晶圆赋予第三权重值；结合所述待测试晶圆的所述第一权重值、所述第二权重值以及所述第三权重值生成所述待测试晶圆的等级分。
[0007]优选地，对所述待测试晶圆进行图像采集包括：对所述待测试晶圆的顶面进行图像采集，以获取对应所述待测试晶圆的所述中间区域的图像信息；令所述待测试晶圆旋转，并通过一个固定角度对所述待测试晶圆的侧面进行图像采集，以获取对应所述待测试晶圆的所述边缘区域的图像信息。
[0008]优选地，对所述若干中间区域进行表面冗余物的检测，并根据检测结果为所述待测试晶圆赋予第一标记包括：预先获取三件表面冗余物程度由低到高的所述待测试晶圆，分别对三件所述待测试晶圆的所述中间区域进行图像采集，并对采集到的图像进行图像特征采集，以生成第一图像特征、第二图像特征以及第三图像特征；提取所述待测试晶圆的所述中间区域的图像特征，以生成待测图像特征；将所述待测图像特征分别与所述第一图像特征、所述第二图像特征以及所述第三图像特征进行比对，以获取所述待测图像特征与所述第一图像特征、所述第二图像特征以及所述第三图像特征的接近程度；当待测图像特征最接近所述第一图像特征时，为所述待测试晶圆赋予所述第一标记A，当待测图像特征最接近所述第二图像特征时，为所述待测试晶圆赋予所述第一标记B，当待测图像特征最接近所述第三图像特征时，为所述待测试晶圆赋予所述第一标记C。
[0009]优选地，对所述若干边缘区域进行滑移线缺陷的检测，并根据检测结果为所述待
测试晶圆赋予第二标记包括：预先获取一件具有滑移线缺陷的所述待测试晶圆，并对所述待测试晶圆上的所述滑移线缺陷进行图像特征采集，以生成瑕疵图像特征；对所述待测试晶圆的所述边缘区域进行所述瑕疵图像特征的检测；当所述瑕疵图像特征数量处于第一预设范围时，为所述待测试晶圆赋予所述第二标记A，当所述瑕疵图像特征数量处于第二预设范围时，为所述待测试晶圆赋予所述第二标记B，当所述瑕疵图像特征数量处于第三预设范围时，为所述待测试晶圆赋予所述第二标记C。
[0010]优选地，根据所述第一测试数据为所述待测试晶圆赋予第三标记包括：将所述第一测试数据从高到低进行排列；将排列后的所述第一测试数据平均划分为三段，并依次赋予所述第三标记A、所述第三标记B以及所述第三标记C。
[0011]第二方面，本专利技术提供一种晶圆多等级测试装置，用于实现第一方面任意一项所述的一种晶圆多等级测试方法。
[0012]本专利技术提供了一种晶圆多等级测试方法，具有以下有益效果：1、本专利技术通过对晶圆的表面冗余物、滑移线缺陷以及WAT测试为待测试晶圆赋予三个标记，并根据标记对晶圆进行分类，在完成分类后从各个类别中各抽取一个待测试晶圆用于制备目标芯片，并对制得的目标芯片进行性能测试，结合测试结果可以得出待测试晶圆的各项检测的权重值，根据权重值即可对任意一件待测试晶圆进行检测时为其赋予权重值，以得到判断晶圆性能的等级分，如此获得的待测试晶圆的等级能够直接与制得的目标芯片的性能呈正相关关系，解决了现有技术中晶圆的分级无法直接与制备的目标芯片的性能相关的问题。
[0013]2、本专利技术对晶圆的表面冗余本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆多等级测试方法，其特征在于，包括：对待测试晶圆进行图像采集；采集的图像包括所述待测试晶圆的中间区域和边缘区域；对若干所述中间区域进行表面冗余物的检测，并根据检测结果为所述待测试晶圆赋予第一标记；所述第一标记包括第一标记A、第一标记B、第一标记C，获得所述第一标记A的所述待测试晶圆进入下一轮测试，获得所述第一标记B和所述第一标记C的所述待测试晶圆进入冗余物清理流程，并重新进行表面冗余物的检测，连续获得预定次数所述第一标记B的所述待测试晶圆进入下一轮测试，连续获得预定次数所述第一标记C的所述待测试晶圆进入废弃流程；对若干所述边缘区域进行滑移线缺陷的检测，并根据检测结果为所述待测试晶圆赋予第二标记；所述第二标记包括第二标记A、第二标记B、第二标记C，获得所述第二标记A和所述第二标记B的所述待测试晶圆进入下一轮测试，获得所述第二标记C的所述待测试晶圆进入废弃流程；对所述待测试晶圆进行WAT测试，以获取所述待测试晶圆的第一测试数据；根据所述第一测试数据为所述待测试晶圆赋予第三标记；所述第三标记包括第三标记A、第三标记B、第三标记C；根据所述待测试晶圆的所述第一标记、所述第二标记以及所述第三标记为所述待测试晶圆分类；所述待测试晶圆的分类包括AAA、AAB、AAC、ABA、ABB、ABC、BAA、BAB、BAC、BBA、BBB、BBC；从各个分级的所述待测试晶圆中抽取一个所述待测试晶圆用于制备目标芯片，并对制得的所述目标芯片进行性能检测，以获取所述待测试晶圆的第二测试数据；将所述第二测试数据由高到低排列，并按所述第二测试数据之间的比例为所述第二测试数据分别赋予分值；将各个分级的所述待测试晶圆的所述第一标记、所述第二标记以及所述第三标记与所述分值构建为一个计算模型，通过计算获取所述第一标记A、所述第一标记B、所述第二标记A、所述第二标记B、所述第三标记A、所述第三标记B以及所述第三标记C对于所述目标芯片的性能影响的权重值；根据所述第一标记A和所述第一标记B的权重值计算获取所述表面冗余物对所述目标芯片的性能影响的权重值X；根据所述第二标记A和所述第二标记B的权重值计算获取所述滑移线缺陷对所述目标芯片的性能影响的权重值Y；根据所述第三标记A、所述第三标记B以及所述第三标记C的权重值计算获取所述第一测试数据对所述目标芯片的性能影响的权重值Z；根据所述权重值X对所述待测试晶圆的中间区域进行检测并赋予所述待测试晶圆第一权重值，根据所述权重值Y对所述待测试晶圆的边缘区域进行检测并赋予所述待测试晶圆第二权重值，根据所述权重值Z对所述待测试晶圆的第一测试数据进行检测并对所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄辉，
申请(专利权)人：深圳市芯片测试技术有限公司，
类型：发明
国别省市：