一种基于缺陷地结构的移相器制造技术

本发明专利技术公开一种基于缺陷地结构的移相器，该移相器包括介质基板、缺陷地结构以及微带结构；缺陷地结构设置在介质基板的一侧；微带结构设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，所述微带结构为边缘耦合结构；所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配；由于缺陷地结构能够改变微带线的分布电感和分布电容，具有慢波效应，可实现移相器的小型化；同时微带结构为形成边缘耦合结构，能够优化工作频率下的阻抗匹配，实现较宽的带宽范围，以实现移相器的良好的S参数。良好的S参数。良好的S参数。

【技术实现步骤摘要】
一种基于缺陷地结构的移相器


[0001]本专利技术涉及通讯
，尤其涉及一种基于缺陷地结构的移相器。

技术介绍

[0002]移相器是各种微波系统中的关键部件，主要用于相位调制器、频率上变频器和相控阵中，以实现自适应波束形成和控制。随着蜂窝技术的发展和多输入多输出技术在通讯系统中的应用，移相器的尺寸变得越来越重要。
[0003]目前也提出来很多移相器缩小尺寸的办法。但是在此过程中会影响到移相器的性能。
[0004]然而，急需要一种高性能且小型化的移相器。

技术实现思路

[0005]本申请旨在提供一种基于缺陷地结构的移相器，解决了当前的移相器小型化和高性能难以兼顾的问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种基于缺陷地结构的移相器，包括：
[0007]介质基板；
[0008]缺陷地结构，设置在介质基板的一侧；
[0009]微带结构，设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，且所述微带结构为边缘耦合结构；
[0010]其中，所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配。
[0011]在本申请的部分实施例中，所述微带结构包括相互对称设置的第一微带线和第二微带线，所述第一微带线以及所述第二微带线均为T型结构，所述第一微带线与所述第二微带线形成边缘耦合结构。
[0012]在本申请的部分实施例中，所述第一微带线包括相互连接的第一子微带线和第二子微带线，所述第一子微带线与所述第二子微带线相互垂直；所述第二微带线包括相互连接的第三子微带线和第四子微带线，所述第三子微带线和所述第四子微带线相互垂直；
[0013]其中，所述第二子微带线和所述第三子微带线相互平行设置，且第二子微带线与所述第三子微带线间隔设置，且所述第二子微带线与所述第三子微带线形成边缘耦合结构；所述第一子微带线设置在所述第二子微带线背离所述第三子微带线的一侧，所述第四子微带线设置在所述第三子微带线背离所述第二子微带线的一侧。
[0014]在本申请的部分实施例中，所述微带结构具有右极点，所述第二子微带线的长度与所述右极点的频率成反比；和/或，所述第三子微带线的宽度与所述右极点的频率成反比。
[0015]在本申请的部分实施例中，所述介质基板包括接地金属层，所述接地金属层设置在所述介质基板背离所述上层金属层的一侧，所述接地金属层刻蚀形成所述缺陷地结构。
[0016]在本申请的部分实施例中，所述缺陷地结构的两侧设置有凹陷部，至少部分所述凹陷部与所述第一子微带线以及所述第四子微带线重叠，且所述凹陷部的宽度与所述第一子微带线和/或所述第四子微带线的宽度相同。
[0017]在本申请的部分实施例中，所述凹陷部具有底壁，两侧的所述凹陷部的底壁之间的第一距离与所述右极点的频率成反比。
[0018]在本申请的部分实施例中，所述缺陷地结构沿着第一方向的长度与所述右极点的频率呈反比；和/或，所述微带结构包括左极点，所述缺陷地结构沿着第一方向的长度与所述右极点的频率呈反比；其中，所述第一方向为两个所述凹陷部中一者指向另一者的方向。
[0019]在本申请的部分实施例中，所述凹陷部具有侧壁，所述缺陷地结构具有与所述侧壁平行的第一边界，所述侧壁到临近的所述第一边界的第二距离与所述左极点的频率成反比与所述右极点的频率成正比。
[0020]本申请所提供的一种基于缺陷地结构的移相器，该移相器包括介质基板、缺陷地结构以及微带结构；缺陷地结构设置在介质基板的一侧；微带结构设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，所述微带结构为边缘耦合结构；所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配；由于缺陷地结构能够改变微带线的分布电感和分布电容，具有慢波效应，可实现移相器的小型化；同时微带结构为形成边缘耦合结构，能够优化工作频率下的阻抗匹配，实现较宽的带宽范围，以实现移相器的良好的S参数。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请一实施例提供的移相器的结构示意图；
[0023]图2为本申请另一实施例提供的移相器的结构示意图；
[0024]图3为本申请又一实施例提供的移相器的结构示意图；
[0025]图4为本申请再一实施例提供的移相器的结构示意图；
[0026]图5为本申请一实施例提供的移相器的仿真相位响应图；
[0027]图6为本申请一实施例提供的移相器的仿真频率响应图。
[0028]具体元素符号说明：
[0029]100
‑
微带结构，110
‑
第一微带线，111
‑
第一子微带线，112
‑
第二子微带线，120
‑
第二微带线，121
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第三子微带线，122
‑
第四子微带线，200
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缺陷地结构，210
‑
凹陷部，300
‑
参考部件。
具体实施方式
[0030]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下获得的所有其他实施
例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，“多个”的含义包含两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为使本领域任何技术人员能够实现和使用本专利技术，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认为，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本专利技术。在其它实施例中，不会对已知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本专利技术的描述变得晦涩。因此，本专利技术并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理的最广范围相一致。
[0032]需要解释的是，常见移相器包括：谢夫曼型，宽边耦合型，负载线型，多模谐振器(MMR)型等类型。目前也提出了很多移相器缩小尺寸的方法，例如使用分立器件，其中最典型的是高/低通网络的搭建。其次，一些研究通过对结构的合理布局，尽可能减小移相器尺寸。此外，使用新型技术也是小型化一个新的方向，例如MEMS射频移相器，液晶介质层移相器等。
[0033]缺陷地结构具有良好的带通、带阻特性，常用于先进的谐振器的设计，此类谐振器可用于滤波器、功分器、平衡转换器等电子器件。缺陷地结构较少用于移相器设计，困难点主要在于缺陷地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于缺陷地结构的移相器，其特征在于，包括：介质基板；缺陷地结构，设置在介质基板的一侧；微带结构，设置在所述介质基板背离所述缺陷地结构的一侧，且所述微带结构为边缘耦合结构；其中，所述微带结构和所述缺陷地结构共同限定出所述缺陷地结构在工作频率下的阻抗匹配。2.根据权利要求1所述的基于缺陷地结构的移相器，其特征在于，所述微带结构包括相互对称设置的第一微带线和第二微带线，所述第一微带线以及所述第二微带线均为T型结构，所述第一微带线与所述第二微带线形成边缘耦合结构。3.根据权利要求2所述的基于缺陷地结构的移相器，其特征在于，所述第一微带线包括相互连接的第一子微带线和第二子微带线，所述第一子微带线与所述第二子微带线相互垂直；所述第二微带线包括相互连接的第三子微带线和第四子微带线，所述第三子微带线和所述第四子微带线相互垂直；其中，所述第二子微带线和所述第三子微带线相互平行设置，且第二子微带线与所述第三子微带线间隔设置，且所述第二子微带线与所述第三子微带线形成边缘耦合结构；所述第一子微带线设置在所述第二子微带线背离所述第三子微带线的一侧，所述第四子微带线设置在所述第三子微带线背离所述第二子微带线的一侧。4.根据权利要求3所述的基于缺陷地结构的移相器，其特征在于，所述微带结构具有右极点，所述第二子微带线的长度与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璐，钱慧珍，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：