多通路式真空蒸发源制造技术

本发明专利技术提供了一种多通路式真空蒸发源，所述多通路式真空蒸发源包括：多组独立蒸发通道，被配置为分别对镀膜对象提供蒸发操作；集成罩，被配置为将所述多组独立蒸发通道的顶端集成在一封闭空间内，所述多组独立蒸发通道通过其顶端将蒸发的靶材传送至所述镀膜对象；组合挡板，被配置为位于所述集成罩与所述镀膜对象之间，通过开启动作和关闭动作，使所述多组独立蒸发通道与所述镀膜对象之间连通或隔断；安装法兰，被配置为将所述多组独立蒸发通道与挡板驱动集成在一起；挡板驱动，被配置为控制并驱动所述组合挡板的开启动作和关闭动作。并驱动所述组合挡板的开启动作和关闭动作。并驱动所述组合挡板的开启动作和关闭动作。

【技术实现步骤摘要】
多通路式真空蒸发源


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种多通路式真空蒸发源。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路，传感器和太阳能电池板的生产过程中，很多结构都需要真空镀膜技术来生成。因此真空镀膜直接决定了半导体和太阳能电池板等产品的质量。真空镀膜的研究与应用都离不开其产生设备，因此蒸发源的研发具有重要意义。
[0003]目前国内外的主要真空镀膜技术有真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜、真空离子镀膜，其中应用最多的是真空蒸发镀膜。真空蒸发镀膜技术，即在高真空或超高真空的腔室中通过蒸发源加热使膜材(如金属或化合物)蒸发。蒸发的粒子从膜材表面逸出，在蒸发分子的平均自由程大于蒸发源与基片间的线尺寸的情况下，可直接到达基片表面上并凝结生成膜。
[0004]电子束加热蒸发源，其原理是基于电子在电场的作用下，所获得的动能转化为加热的热能，从而实现对膜材的加热，蒸发，凝结成所需薄膜。它主要由提供电子的阴极，阳极，聚束极和磁场组成。电子束加热源的特点是能量集中，能使膜材表面迅速获得极高的温度，膜材蒸发速率和薄膜沉积速率较高，可通水冷却，可调控温度范围大。目前的电子束加热蒸发源大都是利用高温电子轰击膜材靠巨大的能量熔化金属(或化合物)再使其蒸发并镀膜。具体步骤包括：使灯丝通电，灯丝发热，产生热电子。灯丝接地，位于地电势。蒸发棒/坩埚距离灯丝约5
‑
10mm，蒸发棒/坩埚接正高压(例如+800V)。在电场的作用下，电子被加速，轰击蒸发棒/坩埚顶端，蒸发棒/坩埚被高能电子束加热。蒸发棒/位于坩埚中的靶材受热，蒸发出来，沉积到衬底上。束流监控装置实时监控生长束流。蒸发棒组件需要带有线性移动组件，用于调节蒸发棒顶端和灯丝之间的距离。
[0005]影响蒸发镀膜性能的主要因素是蒸发速率、残余气体和蒸发温度。蒸发速率直接决定了薄膜的质量，相应的膜材对应相应的蒸发速率和沉积速率，蒸发镀膜与其他镀膜方法对比有更高的沉积率，可以蒸镀大多数的金属和化合物膜。当镀膜工艺需要多种金属或化合物共同组成膜材/靶材时，很难同时对不同的材料进行分别控制，以满足工艺要求。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种多通路式真空蒸发源，以解决现有的镀膜工艺由于膜材组成复杂导致工艺过程难以控制的问题。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种多通路式真空蒸发源，所述多通路式真空蒸发源包括：
[0008]多组独立蒸发通道，被配置为分别对镀膜对象提供蒸发操作；
[0009]集成罩，被配置为将所述多组独立蒸发通道的顶端集成在一封闭空间内，所述多组独立蒸发通道通过其顶端将蒸发的靶材传送至所述镀膜对象；
[0010]组合挡板，被配置为位于所述集成罩与所述镀膜对象之间，通过开启动作和关闭
动作，使所述多组独立蒸发通道与所述镀膜对象之间连通或隔断；
[0011]挡板驱动，被配置为控制并驱动所述组合挡板的开启动作和关闭动作；
[0012]安装法兰，被配置为将所述多组独立蒸发通道与所述挡板驱动集成在一起；
[0013]所述组合挡板包括第一挡板及第二挡板，所述挡板驱动包括第一传动杆及第二传动杆，其中：
[0014]所述第二传动杆为中空结构，所述第一传动杆包裹于所述第二传动杆之中；所述第一传动杆与所述第二传动杆位于集成罩的中心、集成在所述安装法兰；
[0015]所述第一传动杆的一端连接所述第一挡板，对所述第一挡板之间传送力矩；
[0016]所述第二传动杆的一端连接所述第二挡板，对所述第二挡板之间传送力矩；
[0017]集成罩隔板放置在集成罩中间的圆柱空间，将圆柱空间隔成3等份，每一等份中放置一个灯丝组件，隔板底座承载于基座上，隔板底座上有呈120
°
角度的三条凹槽，用于将隔板卡在其中；
[0018]铜模块及陶瓷模块用于固定灯丝和钼棒形成的灯丝组件；钼棒通过钎焊的方式固定在陶瓷模块上，陶瓷模块材质为陶瓷使得灯丝与地绝缘；
[0019]铜模块材质为铜且与集成罩固定在一起，形成冷却闭合空间，坩埚和靶材位于该冷却闭合空间中，坩埚和靶材被加热后，辐射的热量被集成罩、隔板、铜模块和基座吸收，防止加热真空腔室中的其他零部件。
[0020]可选的，在所述的多通路式真空蒸发源中，所述多组独立蒸发通道与所述镀膜对象之间状态包括：
[0021]所述多组独立蒸发通道与所述镀膜对象之间均连通；
[0022]所述多组独立蒸发通道与所述镀膜对象之间均隔断；
[0023]所述多组独立蒸发通道中的一个或多个与所述镀膜对象之间连通；
[0024]所述多组独立蒸发通道中的一个或多个与所述镀膜对象之间隔断。
[0025]可选的，在所述的多通路式真空蒸发源中，所述组合挡板包括第一挡板及第二挡板，其中：
[0026]所述第一挡板和所述第二挡板叠加，所述第二挡板的底面正对所述多组独立蒸发通道的顶端，所述第一挡板的顶面正对所述镀膜对象；
[0027]所述第一挡板和所述第二挡板上均具有多个开孔；
[0028]所述开孔的数量根据所述独立蒸发通道的数量设置；
[0029]当所述第一挡板的开孔与所述第二挡板的开孔在某个所述独立蒸发通道的顶端上方重合时，该独立蒸发通道与所述镀膜对象之间连通，否则该独立蒸发通道与所述镀膜对象之间隔断。
[0030]可选的，在所述的多通路式真空蒸发源中，每组独立蒸发通道包括灯丝、坩埚、坩埚支撑、移动装置及高压源接口，其中：
[0031]所述灯丝安置于所述坩埚的上方，并与所述集成罩固定连接；
[0032]所述坩埚的开口朝向其所在的独立蒸发通道的顶端，所述坩埚支撑固定于所述坩埚的下方，并延伸至所述集成罩外；
[0033]所述安装法兰夹持多个所述坩埚支撑；
[0034]所述移动装置固定于所述安装法兰的下方，并穿过所述安装法兰与所述坩埚支撑
连接，所述移动装置调节所述坩埚支撑的长度，以调节所述坩埚与所述灯丝之间的距离；
[0035]所述高压源接口位于所述移动装置的下方并穿过所述移动装置与所述坩埚支撑连接，所述高压源接口通过所述坩埚支撑向所述坩埚提供正电压。
[0036]可选的，在所述的多通路式真空蒸发源中，所述集成罩具有水冷功能，其中：
[0037]所述集成罩包括内壁及外壁，所述内壁包裹所述隔热层的外表面，所述外壁与所述内壁呈同心圆柱结构，所述内壁与所述外壁之间容置冷却液。
[0038]可选的，在所述的多通路式真空蒸发源中，所述集成罩还包括基座，所述基座承载所述集成罩。
[0039]可选的，在所述的多通路式真空蒸发源中，所述挡板驱动包括磁耦合驱动器、第一传动杆及第二传动杆，其中：
[0040]所述第二传动杆为中空结构，所述第一传动杆包裹于所述第二传动杆之中；所述第一传动杆与所述第二传动杆穿过所述安装法兰，并延伸至所述移动装置下方；
[0041]所述第一传动杆的一端连接所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多通路式真空蒸发源，其特征在于，所述多通路式真空蒸发源包括：多组独立蒸发通道，被配置为分别对镀膜对象提供蒸发操作；集成罩，被配置为将所述多组独立蒸发通道的顶端集成在一封闭空间内，所述多组独立蒸发通道通过其顶端分别将不同的蒸发靶材传送至所述镀膜对象；组合挡板，被配置为位于所述集成罩与所述镀膜对象之间，通过开启动作和关闭动作，使所述多组独立蒸发通道分别与所述镀膜对象之间连通或隔断；挡板驱动，被配置为控制并驱动所述组合挡板的开启动作和关闭动作；安装法兰，被配置为将所述多组独立蒸发通道与所述挡板驱动集成在一起；所述组合挡板包括第一挡板及第二挡板，所述挡板驱动包括第一传动杆及第二传动杆，其中：所述第二传动杆为中空结构，所述第一传动杆包裹于所述第二传动杆之中；所述第一传动杆与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾金虎，
申请(专利权)人：埃频上海仪器科技有限公司，
类型：发明
国别省市：