【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种气体的处理工艺，尤其是一种三氯氢硅生产过程中伴生气体 的处理工艺。
技术介绍
目前，在四氯化硅(SiC14)生产三氯氢硅(SiHC13)的过程中，伴生出来 的气体含有硅粉、氯化氢、氢气等物质，直接排放不但是资源的浪费还污染空 气。
技术实现思路
本专利技术为解决伴生气体排放污染空气的问题，提出一种三氯氢硅生产过程 中伴生气体的处理工艺。本专利技术的技术方案①除尘将三氯氢硅生产过程中伴生气体在除尘设备 中回收硅粉再利用，初步净化伴生气体；②淋洗在两级淋洗塔中，高温条件 下，用四氯化硅淋洗初步净化后的伴生气体，对伴生气体没有除净的硅粉吸收 到四氯化硅溶液中；③沉淀将淋洗后的四氯化硅溶液在沉淀槽中沉淀，进行 无害化处理；④气体分离将淋洗后的伴生气体进行冷冻分离，然后用压縮机 进行压縮冷冻分离后的气体；⑤吸收压縮冷冻分离后的气体送入氯化氢分离 塔中吸收气体中含有的氯化氢，然后进行对氢气的吸附净化；⑥废气处理经 过吸收后的气体送入废气处理塔中，用碱液净化气体，净化的气体经阻火器排 空，被吸收的液体进入到废液处理池中。本专利技术的有益效果是净化了废弃的排放，减少了对空气的污染，对废弃 物进行了回收利用，降低了生产成本。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术进一步进行说明① 除尘将三氯氢硅生产过程中伴生气体在除尘设备中回收硅粉再利用， 初步净化伴生气体；② 淋洗在两级淋洗塔中，高温条件下，用四氯化硅淋洗初步净化后的伴 生气体，对伴生气体没有除净的硅粉吸收到四氯化硅溶液中；(D沉淀将淋洗后的四氯化硅溶液在沉淀槽中沉淀，进行无害化处理；④ 气体分离将淋洗后...
【技术保护点】
一种三氯氢硅生产过程中伴生气体的处理工艺，其特征在于： ①气体分离：将淋洗后的伴生气体进行冷冻分离，然后用压缩机进行压缩冷冻分离后的气体，最后氢气进入到筒状冷氢化炉中； ②废气处理：经过吸收后的气体送入废气处理塔中，用碱液净化气 体，净化的气体经阻火器排空，被吸收的液体进入到废液处理池中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨海建，张扬，马麟，李占青，
申请(专利权)人：洛阳世纪新源硅业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]
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