一种高纯度大密度抗氧化钼电极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法，钼电极的制备方法是：（１）选料：选择符合Ｆｍｏ－１标准的钼粉，粒度范围为３．０－３．５μｍ，其他元素含量（％）≤：Ｆｅ?０．００３、Ｎｉ?０．００１５、Ａｉ?０．００１、Ｓｉ?０．００３、Ｃ?０．００５、Ｍｇ?０．００１、Ｓｎ?０．０００５、Ｏ?０．００５、Ｃｕ?０．００１、Ｃｒ?０．００１；（２）成型：软模装料成型；（３）压制：２００ＭＰａ液压；（４）烧结：１９２０℃以上的中频烧结；（５）锻打：３００吨电锤锻打；（６）车削：４００车床车削定型。获得的钼电极经检验发现，其密度大于１１ｇ／ｃｍ２普通钼电极提高了３－６个百分点，其使用温度大于１５００℃，与普通钼电极相比，提高了１－３个百分点，因此具有较强的抗氧化性能、化学性质稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法。
技术介绍
现有技术中，钼电极具有高温气氛下强度高、抗氧化性能好、使用寿命长、抗腐蚀 及不易使玻璃着色等优点，而广泛应用于日用玻璃、光学玻璃、保温材料、玻璃纤维、稀土工 业等领域。随着加工工艺的改进，以及对产品质量的要求提高，对于钼电极的纯度、密度、抗 氧化性能的要求亦相应提高。因此必然需要开发出一种大密度、高纯度以及抗氧化性极强 的钼电极。专利号为200810040168X的中国专利，公开了一种钼电极表面玻璃基防氧化涂层 的制备方法。其优点在于可以防止烤窑期间钼电极的氧化；涂覆工艺采用刷涂法，不用进 行热加工。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高纯度、大密度、抗氧化能力极强的钼电极及其制备 方法，其产品密度可以达到10. 5g/cm2以上，钼含量彡99. 95% ；其使用温度大于1300°C。为达上述目的，本专利技术采用了如下的技术方案所述高纯度、大密度、抗氧化钼电 极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-I标准的钼粉，粒度范围为3. 0-3. 5 μ m，其他元素含量 (% )彡；Fe 0. 003、Ni 0. 0015、Ai 0. 001、Si 0. 003、C 0. 005、Mg 0. 001、Sn 0. 0005、0 0. 005、Cu 0. 001、Cr 0. 001 ；(2)成型软模装料成型；(3)压制200MPa 液压；(4)烧结1920°C以上的中频烧结；(5)锻打300吨电锤锻打；(6)车削400车床车削定型。采用上述制备方法后，由于其压制压力达到200MPa，烧结温度彡1980°C，钼含量 达彡99. 95%，获得的钼电极经检验发现，其密度大于llg/cm2普通钼电极提高了 3_6个百 分点，其使用温度大于1500°C，与普通钼电极相比，提高了 1-3个百分点，因此具有较强的 抗氧化性能、化学性质稳定。具体实施例方式本专利技术的技术方案，由以下的实施例进一步说明本专利技术所述高纯度、大密度、抗氧化钼电极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-I标准的钼粉，粒度范围为3. 0-3. 5 μ m，其他元素含量 (% )彡；Fe 0. 003、Ni 0. 0015、Ai 0. 001、Si 0. 003、C 0. 005、Mg 0. 001、Sn 0. 0005、00. 005、Cu 0. 001、Cr 0. 001 ；(2)成型软模装料成型；(3)压制200MPa 液压； (4)烧结1920°C以上的中频烧结；(5)锻打300吨电锤锻打；(6)车削400车床车削定型。权利要求一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法，其特征在于所述高纯度、大密度、抗氧化钼电极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-1标准的钼粉，粒度范围为3.0-3.5μm，其他元素含量(％)≤；Fe 0.003、Ni 0.0015、Ai 0.001、Si 0.003、C 0.005、Mg 0.001、Sn 0.0005、O 0.005、Cu 0.001、Cr 0.001；(2)成型软模装料成型；(3)压制200MPa液压；(4)烧结1920℃以上的中频烧结；(5)锻打300吨电锤锻打；(6)车削400车床车削定型。全文摘要本专利技术公开了一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法，钼电极的制备方法是(1)选料选择符合Fmo-1标准的钼粉，粒度范围为3.0-3.5μm，其他元素含量(％)≤Fe 0.003、Ni 0.0015、Ai 0.001、Si 0.003、C 0.005、Mg 0.001、Sn 0.0005、O 0.005、Cu 0.001、Cr 0.001；(2)成型软模装料成型；(3)压制200MPa液压；(4)烧结1920℃以上的中频烧结；(5)锻打300吨电锤锻打；(6)车削400车床车削定型。获得的钼电极经检验发现，其密度大于11g/cm2普通钼电极提高了3-6个百分点，其使用温度大于1500℃，与普通钼电极相比，提高了1-3个百分点，因此具有较强的抗氧化性能、化学性质稳定。文档编号B22F3/16GK101879595SQ200910064838公开日2010年11月10日 申请日期2009年5月8日 优先权日2009年5月8日专利技术者张松旺, 景永辉, 梁占坡, 王学杰, 陈建有, 陈玉山, 陈隧印 申请人:陈建有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高纯度、大密度、抗氧化钼电极及其制备方法，其特征在于：所述高纯度、大密度、抗氧化钼电极的制备方法是：（１）选料：选择符合Ｆｍｏ－１标准的钼粉，粒度范围为３．０－３．５μｍ，其他元素含量（％）≤；Ｆｅ０．００３、Ｎｉ０．００１５、Ａｉ０．００１、Ｓｉ０．００３、Ｃ０．００５、Ｍｇ０．００１、Ｓｎ０．０００５、Ｏ０．００５、Ｃｕ０．００１、Ｃｒ０．００１；（２）成型：软模装料成型；（３）压制：２００ＭＰａ液压；（４）烧结：１９２０℃以上的中频烧结；（５）锻打：３００吨电锤锻打；（６）车削：４００车床车削定型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建有，陈玉山，景永辉，梁占坡，王学杰，张松旺，陈隧印，
申请(专利权)人：陈建有，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]