一种新型阴网点雕刻工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种新型阴网点雕刻工艺，涉及雕刻技术领域。该新型阴网点雕刻工艺，该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：步骤一：调整：通过调整雕刻斜线job的角度SA和PL的脉冲长度以及FOC矢量控制参数，将斜线网点变形为阴网点正向雕刻的部分；步骤二：部分雕刻：对LAC和DC的参数进行调整，当调整所需要雕刻的数值时，然后将阴网点负向雕刻部分雕刻出来；步骤三：再次调整：通过对雕刻机出光角度AJ的调整，调整到网点底部光滑程度，得到新的阴网点；步骤四：雕刻：通过雕刻机对所需要雕刻的地方进行工作，雕刻完成后使用金刚石抛光带将表面抛至6u，调整阴网点底部的光滑程度，相对于原阴网点100

【技术实现步骤摘要】
一种新型阴网点雕刻工艺


[0001]本专利技术涉及雕刻
，具体为一种新型阴网点雕刻工艺。

技术介绍

[0002]在印刷领域内，现有的版辊阴网点主要使用编辑模式进行雕刻，主要加工范围为100LPI
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300LPI，LPI为分辨率，以每英寸上等距离排列多少条网线，在传统的商业印刷制版过程中，制版时需要在原始图像前加一个网屏，这一网屏由呈方格状的透明与不透明相等的网线构成，这些网线也就是光栅，其作用是切割光线解剖图像，由于光线具有衍射的物理特性。
[0003]现有的阴网点主要使用编辑模式进行雕刻，主要加工范围为100LPI
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300LPI，如图2所示为现有的网点示意图存在下列问题，网线目数较低时，由于需要能量高，网点无法成型，目数高时，会出现形成网墙粗，占比高导致网点易堵版、流平效果差。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种新型阴网点雕刻工艺，解决了现有的阴网点主要使用编辑模式进行雕刻，主要加工范围为100LPI
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300LPI，如图2所示为现有的网点示意图存在下列问题，网线目数较低时，由于需要能量高，网点无法成型，目数高时，会出现形成网墙粗，占比高导致网点易堵版、流平效果差的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：r/>[0008]步骤一：调整：
[0009]通过调整雕刻斜线job的角度SA和PL的脉冲长度以及FOC矢量控制参数，将斜线网点变形为阴网点正向雕刻的部分；
[0010]步骤二：部分雕刻：
[0011]对LAC和DC的参数进行调整，当调整所需要雕刻的数值时，然后将阴网点负向雕刻部分雕刻出来；
[0012]步骤三：再次调整：
[0013]通过对雕刻机出光角度AJ的调整，调整到网点底部光滑程度，得到新的阴网点；
[0014]步骤四：雕刻：
[0015]通过雕刻机对所需要雕刻的地方进行工作，雕刻完成后使用金刚石抛光带将表面抛至6u，再使用清洗机清洗干净。
[0016]优选的，所述步骤一中对于job的角度SA的范围控制在45
°
～140
°
之间，PL的脉冲长度在15ms～60ms之间，FOC矢量控制参数为9～10.8之间。
[0017]优选的，所述步骤二中LAC的位置区码参数为2～4，所述DC的参数为9～14之间。
[0018]优选的，所述步骤三中对雕刻机的出光角度AJ进行调整为15
°
～23
°
之间，所述网点底部的光滑程度为1～3之间。
[0019]优选的，所述步骤四中雕刻机进行雕刻时网孔的深度在2～4丝之间。
[0020]优选的，所述的阴网点在相同网线、深度情况下，网墙比例明显减少，载墨量明显增加。
[0021]优选的，所述雕刻机在清洗时先对雕刻机上的污渍进行初步清洗，经过初步的清洗后方便我们辨别主要的污染区域，然后再使用PH值在7
‑
8左右的中性清洗剂，清洗大理石雕刻机台面板的时候使用无摩擦的刷子或棉垫，表面干燥时，油渍污染处会呈现暗色污点状，首先直接将化学药剂涂抹在污染处，保证能得到较好的清洁效果，雕刻机在清洗时要保持表面湿润，让清除剂充分渗入石材内部，反应足够的时间，将污渍吸到表面上来。
[0022]优选的，所述网墙为圆柱形结构或者圆台型结构。
[0023](三)有益效果
[0024]本专利技术提供了一种新型阴网点雕刻工艺。具备以下有益效果：
[0025](1)、该新型阴网点雕刻工艺，在版辊主体的外壁雕刻出阴网点的正向雕刻部分；设置LAC参数与DC参数，将阴网点的负向雕刻部分雕刻出来；通过对雕刻机的激光射出角度的调整，调整阴网点底部的光滑程度，相对于原阴网点100
‑
300LPI加工范围，雕刻范围更广，可雕刻70
‑
1000LPI的网点。
[0026](2)、该新型阴网点雕刻工艺，通过激光雕刻的方式，根据预设的网点拼版图，在版辊主体的外壁雕刻阴网点，并在雕刻之前通过设置雕刻斜线角度、脉冲长度、FOC矢量控制参数，在版辊主体的外壁雕刻出阴网点的正向雕刻部分，通过FOC矢量控制参数与LAC参数相互配合可得到一个雕刻效果最佳的光斑，使得能雕刻出网底最光滑的网点，可以对雕刻速度提高百分之二十左右。
附图说明
[0027]图1为本专利技术新网点示意图；
[0028]图2为本专利技术旧网点示意图；
[0029]图3为本专利技术通过改进得到的新网点示意图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]请参阅图1
‑
3，本专利技术提供一种技术方案：一种新型阴网点雕刻工艺，该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：
[0032]步骤一：调整：
[0033]通过调整雕刻斜线job的角度SA和PL的脉冲长度以及FOC矢量控制参数，将斜线网点变形为阴网点正向雕刻的部分；所述步骤一中对于job的角度SA的范围控制在45
°
～140
°
之间，PL的脉冲长度在15ms～60ms之间，FOC矢量控制参数为9～10.8之间。
[0034]步骤二：部分雕刻：
[0035]对LAC和DC的参数进行调整，当调整所需要雕刻的数值时，然后将阴网点负向雕刻部分雕刻出来；所述步骤二中LAC的位置区码参数为2～4，
[0036]所述DC的参数为9～14之间。
[0037]步骤三：再次调整：
[0038]通过对雕刻机出光角度AJ的调整，调整到网点底部光滑程度，得到新的阴网点；所述步骤三中对雕刻机的出光角度AJ进行调整为15
°
～23
°
之间，所述网点底部的光滑程度为1～3之间。
[0039]步骤四：雕刻：
[0040]通过雕刻机对所需要雕刻的地方进行工作，雕刻完成后使用金刚石抛光带将表面抛至6u，再使用清洗机清洗干净，所述步骤四中雕刻机进行雕刻时网孔的深度在2～4丝之间。
[0041]工作时，当雕刻斜线角度设置为45
°
，脉冲长度为15ms，FOC矢量控制参数为9，LAC位置区码的参数为2，DC的参数为9，雕刻机的出光角度AJ为15
°
，网点底部的光滑程度为1，网孔的深度为2丝。
[0042]请参阅图1
‑
3，本专利技术提供一种技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：该新型阴网点雕刻工艺包括以下步骤：步骤一：调整：通过调整雕刻斜线job的角度SA和PL的脉冲长度以及FOC矢量控制参数，将斜线网点变形为阴网点正向雕刻的部分；步骤二：部分雕刻：对LAC和DC的参数进行调整，当调整所需要雕刻的数值时，然后将阴网点负向雕刻部分雕刻出来；步骤三：再次调整：通过对雕刻机出光角度AJ的调整，调整到网点底部光滑程度，得到新的阴网点；步骤四：雕刻：通过雕刻机对所需要雕刻的地方进行工作，雕刻完成后使用金刚石抛光带将表面抛至6u，再使用清洗机清洗干净。2.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步骤一中对于job的角度SA的范围控制在45
°
～140
°
之间，PL的脉冲长度在15ms～60ms之间，FOC矢量控制参数为9～10.8之间。3.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步骤二中LAC的位置区码参数为2～4，所述DC的参数为9～14之间。4.根据权利要求1所述的一种新型阴网点雕刻工艺，其特征在于：所述步...

【专利技术属性】
技术研发人员：史天勇，崔石磊，
申请(专利权)人：广东上运激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：