用于驱动发光元件的这种半导体集成电路构成发光元件驱动装置的至少一部分，所述发光元件驱动装置被配置为改变串联连接的多个发光元件的灯的数量。所述用于驱动发光元件的半导体集成电路具有可变电阻控制单元，所述可变电阻控制单元被配置为紧接在所述灯的数量减少的时刻之前并且同时增大与所述多个发光元件串联连接的可变电阻器的电阻值。件串联连接的可变电阻器的电阻值。件串联连接的可变电阻器的电阻值。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于驱动发光元件的半导体集成电路、发光元件驱动装置、发光装置及车辆
[0001]本文中公开的本专利技术涉及用于驱动发光元件的半导体集成电路。本文中公开的本专利技术还涉及一种发光元件驱动装置，并且涉及一种发光装置和采用这种发光元件驱动装置的车辆。
技术介绍
[0002]车辆的前照灯被配置成能够在前照灯通过发射近光而用作路过前照灯的状态与前照灯通过发射比近光更能到达前方的远光而用作巡航前照灯的状态之间进行切换。
[0003]在专利文献1中公开了用作车辆前照灯的发光装置的一个示例。在专利文献1中公开的发光装置(LED照明电路)具有串联连接的多个发光元件，并且被配置为在用作巡航前照灯的状态下点亮所有的发光元件，并且在用作路过前照灯的状态下，使发光元件的一部分短路以仅点亮发光元件的其余部分。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2013
‑
47047号公报(第0029至0033段)
技术实现思路
[0007]本专利技术要解决的问题
[0008]在专利文献1中公开的发光装置(LED照明电路)中，当从用作巡航前照灯的状态切换到用作路过前照灯的状态时，用于驱动发光元件的DC
‑
DC转换器的输出电压下降。输出电压的下降使得存储在DC
‑
DC转换器中的输出电容器中的电荷从输出电容器放电。这在DC
‑
DC转换器的输出电流中瞬间引起过电流，并且过电流瞬间通过未短路的LED。即，当从用作巡航前照灯的状态切换到用作路过前照灯的状态时，未短路的LED被损坏。
[0009]在专利文献1中，当从用于行进的远光的状态切换到用于迎面而来的汽车的近光的状态时，LED分两步短路，使得DC
‑
DC转换器的输出电压分两步下降，从而减少过电流。
[0010]然而，在专利文献1中公开的发光装置(LED照明电路)仅仅减小了过电流的幅度，并且没有提供过电流的基本解决方案。因此，由于输出电压的第一状态下降而产生的预定输出电压Va的值和保持该预定输出电压Va的保持时间t1的值需要通过试探法(cut
‑
and
‑
try method)进行实验优化，使得过电流可以可靠地减小到期望值。上述Va和t1的最佳值随着LED规格的变化或各个LED之间的变化而变化；因此，利用专利文献1中公开的发光装置(LED照明电路)，难以保证过电流减小到期望值。
[0011]除了如上所述从远光切换到近光之外，控制车辆上的灯可以包括：例如用于顺序地点亮多个发光元件的控制，用于顺序地区分多个发光元件的控制，用于点亮以矩阵形式布置以显示动画的多个发光元件的控制，用于将多个发光元件点亮为ADB(自适应驱动光束)的控制等，并且由于被点亮的发光元件的数量减少，任何这样的控制都可能导致高电流
通过发光元件。
[0012]解决问题的手段
[0013]根据本文中公开的一个方面，用于驱动发光元件的半导体集成电路形成发光元件驱动装置的至少一部分，该发光元件驱动装置被配置为改变串联连接的多个发光元件中被点亮的发光元件的数量。所述半导体集成电路包括可变电阻器控制器，该可变电阻器控制器被配置为紧接在点亮的发光元件的数量减少的时间点之前或同时增大与多个发光元件串联连接的可变电阻器的电阻值。
[0014]根据本文所公开内容的另一方面，一种发光元件驱动装置包括：调节器，该调节器被配置为改变串联连接的多个发光元件中被点亮的发光元件的数量；以及可变电阻器控制器，该可变电阻器控制器被配置为紧接在点亮的发光元件的数量减少的时间点之前或同时增大与多个发光元件串联连接的可变电阻器的电阻值。
[0015]根据本文中公开的又一方面，一种发光装置包括根据上述配置的发光元件驱动装置和多个发光元件。
[0016]根据本文中公开的又一方面，一种车辆包括根据上述配置的发光装置。
[0017]专利技术的效果
[0018]利用根据本文中公开的用于驱动发光元件的半导体集成电路、发光元件驱动装置、发光装置和车辆，当被点亮的发光元件的数量减少时，可以防止大电流通过发光元件。
附图说明
[0019]图1是示出发光装置的一个配置示例的图。
[0020]图2是示出DC
‑
DC转换器的输出电压、馈送到发光二极管的电压和LED电流的波形的时序图。
[0021]图3是示出在既没有提供放电电路也没有提供箝位元件的情况下观察到的DC
‑
DC转换器的输出电压、馈送到发光二极管的电压和LED电流的波形的时序图。
[0022]图4是示出发光二极管的状态的时序图。
[0023]图5是示出LED开关电路的一个配置示例的图。
[0024]图6是安装有发光装置的车辆的外部视图(前视图)。
[0025]图7是安装有发光装置的车辆的外部视图(后视图)。
[0026]图8是LED前照灯模块的外部视图。
[0027]图9是LED闪烁灯模块的外部视图。
[0028]图10是LED尾灯模块的外部视图。
[0029]图11是示出发光装置的修改示例的图。
具体实施方式
[0030]在本说明书中，MOS场效应晶体管表示其中栅极被构造为具有以下至少三层的场效应晶体管：具有低电阻值的导电体层或诸如多晶硅的半导体层，绝缘层，以及P型、N型或本征半导体层。即，MOS场效应晶体管的栅极结构不限于由金属、氧化物和半导体组成的三层结构。
[0031]<发光装置>
[0032]图1是示出发光装置的一个配置示例的图。图1所示的发光装置包括发光元件驱动IC 100。图1所示的发光装置包括作为发光元件的发光二极管Z0至Z7和用于驱动发光元件的发光元件驱动装置。发光元件驱动装置包括发光元件驱动IC 100。
[0033]图1所示的发光装置包括线圈L1，作为开关元件的N沟道MOS场效应晶体管(以下称为NMOS晶体管)M1，肖特基势垒二极管D1和输出电容器C1。
[0034]线圈L1、NMOS晶体管M1、肖特基势垒二极管D1和输出电容器C1构成升压/降压(升压/降压)型DC
‑
DC转换器。DC
‑
DC转换器将直流输入电压V
IN
转换为直流输出电压V
OUT
。
[0035]图1所示的发光装置包括感测电阻器R1和R2，作为可变电阻器的P沟道MOS场效应晶体管(以下称为PMOS晶体管)M2、发光二极管Z0至Z7、二极管D2、电容器C2至C4以及电阻器R3至R4。
[0036]发光元件驱动IC 100是半导体集成电路装置(所谓的LED驱动器IC),其具有集成在其中的恒压电路1、通信接口2、控制逻辑电路3、LED(发光二极管)切换电路4、运算放大器5和6、加法器7、误差放大器8、振荡器9、斜坡电路10、比本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于驱动发光元件的半导体集成电路，所述半导体集成电路形成发光元件驱动装置的至少一部分，该发光元件驱动装置被配置为改变串联连接的多个发光元件中的被点亮的发光元件的数量，所述半导体集成电路包括可变电阻器控制器，该可变电阻器控制器被配置为：紧接在点亮的发光元件的数量减少的时间点之前或同时，增加与多个发光元件串联连接的可变电阻器的电阻值。2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其中，所述发光元件驱动装置包括：DC
‑
DC转换器，该DC
‑
DC转换器将输入电压转换为输出电压；以及开关控制器，该开关控制器基于从误差放大器输出的误差电压来控制所述DC
‑
DC转换器中的开关元件，所述误差放大器将基于所述DC
‑
DC转换器的输出电流的第一电压与对应于目标电流的第二电压之间的差进行放大，所述发光元件驱动装置被配置为：将DC
‑
DC转换器的输出电流馈送到多个发光元件中被点亮的发光元件，并且所述半导体集成电路包括放电器，该放电器被配置成：当可变电阻器控制器保持可变电阻器的电阻值与稳定操作期间相比增大时，从误差放大器的输出端子汲取电流。3.根据权利要求2所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括箝位所述误差电压的下限的箝位元件。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体集成电路，所述半导体集成电路还包括偏置处理器，该偏置处理器被配置为：使所述第一电压和所述第二电压中的至少一个偏置，其中，所述可变电阻器控制器被配置为：基于所述第一电压和所述第二电压之间的差来调整所述可变电阻器的电阻值，其中，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：高木元伸辅，青木启，萩野淳一，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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