计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:38265141 阅读:21 留言:0更新日期:2023-07-27 10:23
本发明专利技术涉及一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置,其中该使用优化读取电压表以读取数据的方法由闪存控制器的微控制器单元执行,包含:依据NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压,其中,所述优化读取电压表包含多笔记录,每笔所述记录包含一组读取电压参数,和所述一组读取电压参数关联到的环境参数;以及以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。通过优化读取电压表的使用,可降低启动读取重试机制的次数。取重试机制的次数。取重试机制的次数。

【技术实现步骤摘要】
计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置


[0001]本专利技术涉及存储装置,特别涉及一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置。

技术介绍

[0002]闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置,中央处理器(Host)可于地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址,并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地,NAND闪存并非随机存取,而是串行存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样,可以存取任何随机地址,中央处理器反而需要写入串行的组字节(Bytes)的值到NAND闪存中,用于定义请求命令(Command)的类型(如,读取、写入、抹除等),以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。提升数据的读取正确率,一直是影响闪存控制器的系统整体效能的重要课题。因此.本专利技术提出一种计算机可读取存储介质、使用优化读取电压表以读取数据的方法及装置,用于提升数据的读取正确率。

技术实现思路

[0003]有鉴于此,如何减轻或消除上述相关领域的缺陷,实为有待解决的问题。
[0004]本专利技术涉及一种使用优化读取电压表以读取数据的方法,由闪存控制器的微控制器单元执行,包含:依据NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压,其中,所述优化读取电压表包含多笔记录,每笔所述记录包含一组读取电压参数,和所述一组读取电压参数关联到的环境参数;以及以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。
[0005]本专利技术还涉及一种计算机可读取存储介质,用于存储能够被闪存控制器的微控制器单元加载并执行的程序代码,并且所述程序代码被所述微控制器单元执行时实现如上所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法。
[0006]本专利技术还涉及一种用优化读取电压表以读取数据的装置,包含:闪存接口,耦接NAND闪存模块;以及微控制器单元,耦接所述闪存接口。微控制器单元用于依据所述NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压,其中,所述优化读取电压表包含多笔记录,每笔所述记录包含一组读取电压参数,和所述组读取电压参数关联到的环境参数;以及驱动所述闪存接口以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。
[0007]上述实施例的优点之一,通过优化读取电压表的使用,可降低启动读取重试机制的次数。
[0008]本专利技术的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。
附图说明
[0009]此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
[0010]图1为依据本专利技术实施例的网络环境的示意图。
[0011]图2为依据本专利技术实施例的运算设备的框图。
[0012]图3为依据本专利技术实施例的NAND闪存模块的示意图。
[0013]图4为依据本专利技术实施例的云端存储系统的框图。
[0014]图5为依据一些实施方式的数据读取方法的流程图。
[0015]图6为依据本专利技术实施例的数据读取方法的流程图。
[0016]图7为依据本专利技术实施例的读取效能数据的搜集与回报的顺序图。
[0017]图8为依据本专利技术实施例的更新优化读取电压表的顺序图。
[0018]其中,附图中符号的简单说明如下:
[0019]100:网络;112:个人电脑;114:移动电话;116:平板电脑;120:云端存储系统;130:服务器;20:运算设备;210:处理单元;212:数据搜集和反馈模块;214:表格更新启动模块;220:NAND闪存存储装置;230:NAND闪存模块;240:闪存控制器;242:数据读取监视模块;244:回报模块;246:表格更新模块;250:随机存取存储器;260:通信接口;310:闪存接口;331:接口;333#0~333#15:NAND闪存单元;CH#0~CH#3:通道;CE#0~CE#3:启动信号;410:处理单元;412:数据搜集和反馈模块;414:表格更新启动模块;420#0~420#n:NAND闪存存储装置(固态硬盘);430:RAID控制器;450:随机存取存储器;460:通信接口;S510~S550:方法步骤;S605~S610:方法步骤;710:请求;720:回复;730:数据读取交易;750:读取效能数据处理模块;810:表格传递模块;820、830:请求。
具体实施方式
[0020]以下将配合相关附图来说明本专利技术的实施例。在这些附图中,相同的标号表示相同或类似的组件或方法流程。
[0021]必须了解的是,使用于本说明书中的“包含”、“包括”等词,是用于表示存在特定的技术特征、数值、方法步骤、作业处理、组件和/或组件,但并不排除可加上更多的技术特征、数值、方法步骤、作业处理、组件、组件,或以上的任意组合。
[0022]本专利技术中使用如“第一”、“第二”、“第三”等词是用来修饰权利要求中的组件,并非用来表示之间具有优先权顺序,先行关系,或者是一个组件先于另一个组件,或者是执行方法步骤时的时间先后顺序,仅用来区别具有相同名字的组件。
[0023]必须了解的是,当组件描述为“连接”或“耦接”至另一组件时,可以是直接连结、或耦接至其他组件,可能出现中间组件。相反地,当组件描述为“直接连接”或“直接耦接”至另一组件时,其中不存在任何中间组件。用于描述组件之间关系的其他词语也可以类似方式解读,例如“介于”相对于“直接介于”,或者“邻接”相对于“直接邻接”等等。
[0024]本专利技术提出一种动态更新优化读取电压表(Optimization Read Voltage(RV)Table)的机制,可应用在网络环境中的运算设备和云端存储系统中的NAND闪存存储装置,而优化读取电压表使用在从NAND闪存存储装置读取数据的过程中。NAND闪存存储装置可为NAND闪存卡、NAND闪存存储器模块、固态硬盘(Solid State Drive,SSD)等。参考图1,运算
设备可以是个人电脑112、移动电话114、平板电脑116、笔记本电脑(Laptop PC)、数字相机、数字摄影机,或者其他的消费性电子产品,其中配备NAND闪存卡、NAND闪存存储器模块、固态硬盘,或者以上的任意组合,用于存储多样的使用者数据,例如数字文件、高分辨率图像、视讯文件等。运算设备可通过网络100上传多样的使用者数据到云端存储系统120并存储,以及从云端存储系统120下载使用者数据,让各种应用程序可载入并加以处理。云端存储系统120可包含一个或多个独立硬盘冗余数组(Redundant Array of Independent Disks,RAID),并且每个独立硬盘冗余数组包含多个固态硬盘。
[0025]参考图2所示的运算设备20(例如个人电脑本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种使用优化读取电压表以读取数据的方法,其由闪存控制器的微控制器单元执行,其特征在于,所述使用优化读取电压表以读取数据的方法包含:依据NAND闪存模块的目前环境参数和优化读取电压表的内容决定特定存储单元类型的一组读取电压,其中,所述优化读取电压表包含多笔记录,每笔所述记录包含一组读取电压参数,和所述一组读取电压参数关联到的环境参数;以及以所述一组读取电压从所述NAND闪存模块的页面读取数据。2.如权利要求1所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法,其特征在于,所述特定存储单元类型为单层式单元、多层式单元、三层式单元或者四层式单元。3.如权利要求1所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法,其特征在于,包含:从所述优化读取电压表中滤除不属于所述NAND闪存模块的NAND闪存标识码的记录;找出所述优化读取电压表的留下来记录中具有和所述目前环境参数最接近的所述环境参数的匹配记录;以及依据所述匹配记录中的所述一组读取电压参数产生所述一组读取电压。4.如权利要求1所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法,其特征在于,所述目前环境参数包含所述NAND闪存模块目前的平均抹除次数、其中的数据的存储时间长度、目前运行时的温度范围和目前的平均读取次数;以及每笔所述记录中的所述环境参数包含平均抹除次数、数据的存储时间长度、运行时的温度范围和平均读取次数。5.如权利要求1所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法,其特征在于,所述一组读取电压参数包含多个读取电压偏移值,所述一组读取电压使用以下公式决定:RV
adj,i
=RV
rcm,i
+RV
off,i
RV
adj,i
代表所述一组读取电压中的第i个读取电压,RV
rcm,i
代表所述NAND闪存模块的制造商所提供的第i个建议读取电压,RV
off,i
代表所述匹配记录中的第i个读取电压偏移值,i为0至RV
max

1之间的整数,RV
max
代表所述特定存储单元类型的RV偏移值的总数。6.如权利要求1所述的使用优化读取电压表以读取数据的方法,其特征在于,包含:当所述页面判断为无法回复错误的页面时,启动读取重试机制,用于反复执行循环,直到读取数据是正确的,或者直到读取重试表中的所有组的读取电压参数都尝试过为止。7.一种计算机可读取存储介质,用于存储能够被闪存控制器的微控制器单元执行的程序代码,其特征在于,所述程序代码被所述微控制器单元执行时实现如...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈俊仪张孝德
申请(专利权)人:慧荣科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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