无STUB残留的电路板背钻孔制作方法技术

本发明专利技术提供了了一种无STUB残留的电路板背钻孔制作方法，包括：步骤1，制作L1

【技术实现步骤摘要】
无STUB残留的电路板背钻孔制作方法


[0001]本专利技术涉及电路板制作领域，特别涉及一种无STUB残留的电路板背钻孔制作方法。

技术介绍

[0002]通信与服务产品，其产品主要特性体现在高速传输、信号稳定、大容量与高速运算等特性，在通信领域，随着5G信号市场普及常态化，EMS或ODM为了保证信号在高速传输过程中的稳定性，在对PCB制板设计中，多采用背钻设计，而背钻设计因其加工工艺限制会存在stub残留，残留的多少将会直接影响到信号的传输稳定性，所以一般会要求stub残留越小越好。
[0003]目前，部分EMS或ODM产品设计中，要求PCB对孔信号传输中的部分孔内层连接位置Ring环进行保留，对突出位置孔壁铜进行蚀刻去除，露出内层Ring用于焊接，而未蚀掉的需孔金属化，同时插件部分孔径加大，设计成阶梯孔形状，此设计无stub残留，更好的保证了孔信号的完整性，现有做法都是采用背钻方式，以一个多层板为例，现有做法都是采用背钻方式，钻到目标层，此制作方法无法满足Ring环的完整性，或存在内层孔stub残留，导致信号的损失，本文主要围绕对应目标内层Ring环的完整性做法，更好的改善信号及内层插件做法，有效满足客户需求。
[0004]现有技术中的流程方法为：内层图形(制作内层线路图形)
→
压合(压合成多层板)
→
外层钻孔(钻导通孔)
→
沉铜板电(板电闪镀6
‑
8μm)
→
外层图形(制作外层线路图形)
→
图形电镀(镀到客户所需铜厚)
→
背钻(通过钻孔方式，钻到目标层)
→
外层蚀刻(制作线路图形，通过碱性蚀刻可以降低背钻后的Stub，降低信号损耗)
→
外层AOI
→
后工序。
[0005]缺点为：此办法无法满足保留内层Ring环，且无法做到零Stub，无法满足不了客户需求，影响型号及焊接效果。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供了一种无STUB残留的电路板背钻孔制作方法，以解决至少一个上述技术问题。
[0007]为解决上述问题，作为本专利技术的一个方面，提供了一种无STUB残留的电路板背钻孔制作方法，包括：
[0008]步骤1，制作L1
‑
L4层电路板，包括步骤11
‑
17：
[0009]步骤11，开料：根据产品配方将覆铜板开料至所需尺寸；
[0010]步骤12，L2
‑
L3层内光成像；
[0011]步骤13，在L2
‑
L3层上压合形成L1
‑
L4层(4层板)；
[0012]步骤14，钻孔：使用高速钻机钻出L1
‑
L4层导通孔；
[0013]步骤15，孔金属化(沉铜+电镀)；
[0014]步骤16，对L4层内光成像；
[0015]步骤17，丝印离型油膜：对应L4层背钻孔位置，按钻孔径+4mil设计，用丝印机丝印离型油墨盖住，经过烤炉75℃烘烤60min进行固化，然后准备后工序制作；
[0016]步骤2，制作L5
‑
L8层电路板，包括步骤21
‑
24：
[0017]步骤21，开料：根据产品配方将覆铜板开料至所需尺寸；
[0018]步骤22，L6
‑
L7层内光成像；
[0019]步骤23，在L6
‑
L7层上压合形成L5
‑
L8层(4层板)；
[0020]步骤24，对L5层内光成像；
[0021]步骤3，制作L1
‑
L8层，包括步骤31
‑
35：
[0022]步骤31，将L1
‑
4层与L5
‑
L8层压合形成L1
‑
L8层(8层板)；
[0023]步骤32，钻孔：使用高速钻机钻出L1
‑
L8层导通孔；
[0024]步骤33，孔金属化(沉铜+电镀)；
[0025]步骤34，控深钻孔：使用成型CCD钻机，将对应L5
‑
L8层的阶梯孔加工成型；
[0026]步骤35，激光开盖：使用UV激光机，将L4层Ring环层上离型油膜进行激光去除，保证L1
‑
4层背钻孔及其它位置孔完整，且满足L4层Ring环保留，L5
‑
8层无铜，做到零Stub。
[0027]优选地，步骤3还包括：
[0028]步骤36，除胶：
[0029]通过水平/垂直除胶线，利用高温高锰酸钾或者高猛酸钠强氧化性清除残胶，避免L4层离型油膜残留；
[0030]步骤37，外层成像:
[0031]在一定温度、压力下，在板面贴上干膜，再用底片对位，最后在曝光机上利用紫外光的照射，使底片未遮蔽的干膜发生反应。在板面形成所需线路图形，然后通过显影段在显影液的作用下，将没有被光照射的膜溶解掉，将需要蚀刻的区域露出来；
[0032]步骤38，外层酸性蚀刻：
[0033]通过蚀刻段，在酸性蚀刻液的作用下，将露出的铜蚀掉，最后通过退膜段，在退膜液的作用下，将膜去掉，露出外层线路图形。
[0034]本专利技术可完全解决背钻stup残留工艺技术问题，同时可保证背钻stup目标内层Ring环的完整性，更好的改善信号及内层插件做法，以满足客户需求。
附图说明
[0035]图1示意性地示出了步骤L1
‑
L4层的加工过程示意图；
[0036]图2示意性地示出了步骤L5
‑
L8层的加工过程示意图；
[0037]图3示意性地示出了步骤L1
‑
L8层的加工过程示意图。
具体实施方式
[0038]以下对本专利技术的实施例进行详细说明，但是本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。
[0039]本专利技术提供了一种新的背钻stup电路板制造工艺流程与方法，可完全解决背钻stup残留工艺技术问题，同时可保证背钻stup目标内层Ring环的完整性，更好的改善信号及内层插件做法，以满足客户需求。
[0040]为解决上述问题，作为本专利技术的一个方面，提供了一种新的背钻stup电路板制造工艺流程与方法，可完全解决背钻stup残留工艺技术问题，同时可保证背钻stup目标内层Ring环的完整性，更好的改善提升内层插件做法，保证其信号损耗与稳定性，以满足客户需求。
[0041]以一个多层板背钻钻做法为例(8层板)，客户设计要求:L1
‑
4层导通，且需要保留L4层内层Ring，无Stub存在。
[0042]针对以上缺点，同时满足客户需求，本专利技术主从沉铜电镀后，结合软硬结合板开盖做法和激光烧树脂的方法进行技术创新，从而提供有效的改善方式改善品质及成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无STUB残留的电路板背钻孔制作方法，其特征在于，包括：步骤1，制作L1
‑
L4层电路板，包括步骤11
‑
17：步骤11，开料：根据产品配方将覆铜板开料至所需尺寸；步骤12，L2
‑
L3层内光成像；步骤13，在L2
‑
L3层上压合形成L1
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L4层(4层板)；步骤14，钻孔：使用高速钻机钻出L1
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L4层导通孔；步骤15，孔金属化(沉铜+电镀)；步骤16，对L4层内光成像；步骤17，丝印离型油膜：对应L4层背钻孔位置，按钻孔径+4mil设计，用丝印机丝印离型油墨盖住，经过烤炉75℃烘烤60min进行固化，然后准备后工序制作；步骤2，制作L5
‑
L8层电路板，包括步骤21
‑
24：步骤21，开料：根据产品配方将覆铜板开料至所需尺寸；步骤22，L6
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L7层内光成像；步骤23，在L6
‑
L7层上压合形成L5
‑
L8层(4层板)；步骤24，对L5层内光成像；步骤3，制作L1
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L8层，包括步骤31
‑
35：步骤31，将L...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵林飞，张仁德，何发庭，
申请(专利权)人：深圳市迅捷兴科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：