【技术实现步骤摘要】
一种低功耗漏电保护芯片电路
[0001]本专利技术涉及低功耗温度补偿
，尤其是一种低功耗漏电保护芯片电路。
技术介绍
[0002]模拟集成电路对于偏置和温度非常敏感，芯片的功耗和静态电流的温度漂移是限制芯片性能进一步发挥的不良因素，会导致在某些工况下芯片功能异常，尤其是一些工作在较恶劣环境下的芯片，需要有较好的控制功耗和温漂的措施。
技术实现思路
[0003]本部分的目的在于概述本专利技术的实施例的一些方面以及简要介绍一些较佳实施例，在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本专利技术的范围。
[0004]鉴于上述和/或现有技术中所存在的问题，提出了本专利技术。
[0005]因此，本专利技术所要解决的技术问题是现有稳压模块由齐纳管实现，该电路具有较大的温漂系数，严重影响了电路的可靠性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种低功耗漏电保护芯片电路，包括，带隙基准单元，用于产生基准电压V_REF，包括第一电流镜、输出组件和用于提高第一电流镜电流复制精度的辅助组件；稳流单元，用来产生与温度和电源电压无关的电流源I_REF，包括第二电流镜和负温度系数电流产生组件，第二电流镜与第一电流镜的输出连接，带隙基准单元通过偏置单元为负温度系数电流产生组件提供偏置电流；稳压单元，用来缓冲带隙基准单元的输出电压，稳压单元的运算放大器与负温度系数电流产生组件和偏置单...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：包括，带隙基准单元（100），用于产生基准电压V_REF，包括第一电流镜（101）、输出组件（102）和用于提高第一电流镜（101）电流复制精度的辅助组件（103）；稳流单元（200），用来产生与温度和电源电压无关的电流源I_REF，包括第二电流镜（201）和负温度系数电流产生组件（202），第二电流镜（201）与第一电流镜（101）的输出连接，带隙基准单元（100）通过偏置单元（400）为负温度系数电流产生组件（202）提供偏置电流；稳压单元（300），用来缓冲带隙基准单元（100）的输出电压，稳压单元（300）的运算放大器（301）与负温度系数电流产生组件（202）和偏置单元（400）连接。2.根据权利要求1所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述稳压单元（300）包括运算放大器（301）和稳压器（302），所述运算放大器（301）为稳压器（302）提供一个大的环路增益以保证稳压器的精度和对电源抑制效果。3.根据权利要求1或2所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述偏置单元（400）为运算放大器（301）提供偏置电流。4.根据权利要求3所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述输出组件（102）包括由晶体管Q1、Q2、Q3和电阻R3构成的正温度系数电流发生器以及晶体管Q1、Q2和Q5构成的负温度系数电压发生器。5.根据权利要求4所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述晶体管Q1的基极与Q2的发射极、Q3的基极连接，R3连接Q3的发射极和Q1的发射极，Q1的发射极接地。6.根据权利要求5所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述晶体管Q1的集电极与Q2的基极、R1一端连接，R1另一端与Q5的发射极连接，Q5的基极和集电极均与第一电流镜（101）连接。7.根据权利要求4~6任一所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述第一电流镜（101）包括晶体管Q6~Q
12
,Q6的集电极、Q9的集电极和Q5的集电极相连，Q6的发射极连接Q7的集电极，Q9的发射极连接Q8的集电极，Q
12
的发射极连接Q
11
的集电极，Q6的基极、Q9的基极和Q
12
的基极相连，Q7的基极、Q8的基极和Q
11
的基极相连。8.根据权利要求7所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述辅助组件（103）包括晶体管Q
10
和Q
17
，Q
10
的发射极和Q
11
的基极连接，Q
10
的基极和Q
11
的集电极连接，Q
10
的集电极和Q
17
的集电极连接接地，Q
17
的发射极和Q
12
的基极连接，Q17的基极、Q
12
的集电极和Q3的集电极连接。9.根据权利要求8所述的低功耗漏电保护芯片电路，其特征在于：所述第二电流镜（201）包括晶体管Q
13
和Q
14
，Q
13
的基极和Q
11
的基极连接，Q
14
的基极和Q
12
的基极连接，...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。