【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2020年11月19日申请的“形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES,MEMORY DEVICES,AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的序列号为16/952,913的美国专利申请案的申请日权益。
[0003]在各个实施例中,本公开大体上涉及微电子装置设计及制造领域。更明确来说,本公开涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统。
技术介绍
[0004]微电子装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸及通过减小相邻特征之间的间隔距离来提高微电子装置内特征的集成度或密度。另外,微电子装置设计者通常力图设计不仅小型而且提供性能优点及简化设计的架构。
[0005]微电子装置的一个实例是存储器装置。存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部集成电路。存在许多类型的存储器装置,其包含(但不限于)非易失性存储器装置(例如NAND快闪存储器装置)。提高非易失性存储器装置的存储器密度的一种方式是利用垂直存储器阵列(也称为“三维(3D)存储器阵列”)架构。常规垂直存储器阵列包含垂直延伸穿过包含导电结构及绝缘结构的层级的一或多个层面(例如堆叠结构)中的开口的存储器单元串。每一存储器单元串可包含耦合到 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子装置,其包括:支柱结构,其包括半导电材料;接触结构,其与所述支柱结构的上部物理接触;及导电结构,其在所述接触结构之上且与所述接触结构物理接触,所述导电结构中的每一者包括:上部,其具有第一宽度;及下部,其垂直插入于所述上部与所述接触结构之间,所述下部具有渐缩轮廓以界定从在所述下部的最上边界处小于所述第一宽度的第二宽度变化到在所述下部的最下边界处小于所述第二宽度的第三宽度的额外宽度。2.根据权利要求1所述的微电子装置,其中所述导电结构中的每一者的所述上部具有基本上垂直于所述接触结构的上表面延伸的水平边界。3.根据权利要求1所述的微电子装置,其进一步包括:电介质材料,其水平包围且物理接触所述导电结构中的每一者的所述上部及所述下部中的每一者;及蚀刻停止材料,其具有与所述电介质材料不同的材料组成,插入于所述电介质材料与所述接触结构之间,所述蚀刻停止材料水平包围且物理接触所述导电结构中的所述每一者的所述下部的下区。4.根据权利要求3所述的微电子装置,其中:所述电介质材料包括电介质氧化物材料;且所述蚀刻停止材料包括氮化碳材料。5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置,其中所述导电结构的水平中心与其物理接触的所述接触结构的水平中心基本上对准。6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置,其中所述导电结构中的至少一者的所述下部的所述最下边界的水平面积基本上局限于与所述导电结构中的所述至少一者物理接触的所述接触结构中的至少一者的最上边界的水平面积内。7.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置,其中所述导电结构中的至少一者的所述上部水平延伸超过与所述导电结构中的所述至少一者物理接触的所述接触结构中的至少一者的水平边界。8.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的微电子装置,其进一步包括在所述导电结构之上且与所述导电结构物理接触的额外接触结构。9.根据权利要求8所述的微电子装置,其中所述额外接触结构的水平中心从与其物理接触的所述导电结构的水平中心偏移。10.根据权利要求9所述的微电子装置,其中至少一些所述额外接触结构提供于与其物理接触的所述导电结构的上表面上与至少一些其它所述额外接触结构不同的水平位置处。11.一种形成微电子装置的方法,其包括:形成与包括半导电材料的支柱结构的上部物理接触的接触结构;在所述接触结构之上形成蚀刻停止材料;在所述蚀刻停止材料之上形成电介质材料;图案化所述电介质材料及所述蚀刻停止材料以形成延伸到所述接触结构的孔,所述孔
中的每一者包括:上部,其展现基本上均匀宽度;及下部,其垂直地在所述上部下方且展现多个宽度,所述多个宽度朝向所述接触结构从小于所述上部的所述基本上均匀宽度的额外宽度减小到小于所述额外宽度的另一宽度;及在所述孔内形成导电结构,所述导电结构基本上填充所述孔且物理接触所述接触结构。12.根据权利要求11所述的方法,其中图案化所述电介质材料及所述蚀刻停止材料包括:在所述电介质材料之上形成具有延伸穿过其的开口的遮蔽结构,所述开口具有与所述接触结构的水平中心基本上对准的水平中心;移除所述开口的水平边界内的所述电介质材料的部分以形成延伸穿过所述电介质材料到所述蚀刻停止材料的初始孔,所述初始孔展现渐缩轮廓;及移除邻近于所述初始孔的所述电介质材料的额外部分及所述蚀刻停止材料的部分以形成所述孔。13.根据权利要求12所述的方法,其中移除所述电介质材料的额外部分及所述蚀刻停止材料的部分包括:移除与所述开口水平邻近的所述遮蔽结构的部分以在所述遮蔽结构中形成扩展开口;移除所述电介质材料的所述额外部分以形成所述孔中的每一者的所述上部,所述电介质材料的所述额外部分在所述遮蔽结构中的所述扩展开口的水平边界内;及移除所述蚀刻停止材料的所述部分以暴露所述接触结构的上表面且完成所述孔中的每一者的所述下部。14.根据权利要求12所述的方法,其中移除所述电介质材料的额外部分及所述蚀刻停止材料的部分包括:移除所述遮蔽结构;在所述电介质材料的剩余部分之上形成具有延伸穿过其的额外开口的额外遮蔽结构,所述额外遮...
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