激光干涉光刻设备和方法技术

本公开提供了一种激光干涉光刻方法，包括：对涂覆有光刻胶的晶片执行干涉曝光；以及对经干涉曝光的晶片执行图案化泛曝光，其中执行泛曝光包括：确定在所述经干涉曝光的晶片中的第一光场分布；基于所述第一光场分布、预期的图案分布和用于所述泛曝光的泛光光源的参数，确定所述泛光光源的光场分布，作为第二光场分布；以及基于所述第二光场分布，对所述泛光光源的光场分布进行图案化，并控制具有经图案化的光场分布的所述泛光光源对经干涉曝光的晶片进行泛曝光，从而在经泛曝光的晶片中形成所述预期的图案分布。成所述预期的图案分布。成所述预期的图案分布。成所述预期的图案分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：李文迪，甘斫非，闵思怡，
申请(专利权)人：香港大学，
类型：发明
国别省市：