一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法技术

本发明专利技术提供一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，涉及微波芯片制造技术领域。该GaN微波芯片的等离子体清洗方法，包括以下步骤：将GaN微波芯片放入定位夹具上，再通过毛刷对GaN微波芯片的正反面进行清刷，将清刷后的GaN微波芯片放置在含有清洗剂的清洗盒中使用液压清洗机对其进行预处理。通过进行预处理，将预处理完的GaN微波芯片通过高纯度有机溶剂洗涤进行擦拭清洗，将擦拭清洗后的GaN微波芯片放入清水中通过震荡设备进行震荡清洗，清洗结束后并对其进行干燥，将干燥后的GaN微波芯片通过转运盒转运至等离子清洗机中，通过等离子清洗机再次进行清洗，可以大批量的清洗芯片，同时缩短了清洗时间，提高了工作效率。提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法


[0001]本专利技术涉及微波芯片制造
，具体为一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法。

技术介绍

[0002]在5G通信技术的应用过程中，需要使用GaN微波芯片为载体，在进行GaN微波芯片的生产过程中需要对其进行等离子清洗，等离子体是物质的一种状态，也叫做物质的第四态，并不属于常见的固液气三态，对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态，等离子体的“活性”组分包括离子、电子、原子、活性基团、激发态的核素(亚稳态)、光子等，等离子清洁就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、涂覆等目的。
[0003]目前的等离子清洗方法单次能够清理的芯片数量较少，单次清理需要较长的时间，工作效率较低，并且清洗的效果较差。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，解决了目前的等离子清洗方法单次能够清理的芯片数量较少，单次清理需要较长的时间，工作效率较低，并且清洗的效果较差的问题。
[0005]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，包括以下步骤：
[0006]步骤一，将GaN微波芯片放入定位夹具上，再通过毛刷对GaN微波芯片的正反面进行清刷；
[0007]步骤二，将清刷后的GaN微波芯片放置在含有清洗剂的清洗盒中使用液压清洗机对其进行预处理；
[0008]步骤三，将预处理完的GaN微波芯片通过高纯度有机溶剂洗涤进行擦拭清洗；
[0009]步骤四，将擦拭清洗后的GaN微波芯片放入清水中通过震荡设备进行震荡清洗，清洗结束后并对其进行干燥；
[0010]步骤五，将干燥后的GaN微波芯片通过转运盒转运至等离子清洗机中，通过等离子清洗机再次进行清洗；
[0011]步骤六，将清洗后的废水排出，取出GaN微波芯片后进行回收。
[0012]优选的，步骤一中，所述定位夹具和毛刷均放置在无尘空间内，毛刷清刷的时间为单面3
‑
5分钟。
[0013]优选的，步骤二中，所述清洗剂采用四甲基氢氧化铵，四甲基氢氧化铵的浓度为0.001
‑
0.01mol/L。
[0014]优选的，步骤三中，所述高纯度有机溶剂是异丙醇，所述异丙醇擦拭清洗的时间为5
‑
10分钟。
[0015]优选的，步骤四中，所述震荡设备的工作时常为10
‑
15分钟，震荡设备的工作频率
为2500次/秒。
[0016]优选的，步骤五中，所述转运盒为真空状态，转运盒内的气压保持在10
‑
30Pa，等离子清洗机工作时常为5
‑
8分钟。
[0017]优选的，步骤六中，所述废水进行净化处理后再进行排放，回收的GaN微波芯片在真空收纳袋内进行存放。
[0018]优选的，步骤四中，所述干燥方式采用提升周围环节温度进行干燥，温度控制在25℃
‑
36摄氏度，干燥时间为3
‑
5分钟。
[0019]优选的，步骤五中，所述等离子清洗机是通过在一定的压力情况下起辉产生高能量的的，通过等离子体轰击被清洗产品表面，等离子清洗机在工作时的真空度为90
‑
100Pa。
[0020]优选的，步骤二中，所述液压清洗机的工作压力为2
‑
4MPa，液压清洗机的时常为4
‑
6分钟。
[0021]本专利技术提供了一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法。具备以下有益效果：
[0022]1、本专利技术通过将清刷后的GaN微波芯片放置在含有清洗剂的清洗盒中使用液压清洗机对其进行预处理，将预处理完的GaN微波芯片通过高纯度有机溶剂洗涤进行擦拭清洗，将擦拭清洗后的GaN微波芯片放入清水中通过震荡设备进行震荡清洗，清洗结束后并对其进行干燥，将干燥后的GaN微波芯片通过转运盒转运至等离子清洗机中，通过等离子清洗机再次进行清洗，可以大批量的清洗芯片，同时缩短了清洗时间，提高了工作效率。
[0023]2、本专利技术通过将GaN微波芯片放入定位夹具上，再通过毛刷对GaN微波芯片的正反面进行清刷，将清刷后的GaN微波芯片放置在含有清洗剂的清洗盒中使用液压清洗机对其进行预处理，将预处理完的GaN微波芯片通过高纯度有机溶剂洗涤进行擦拭清洗，将擦拭清洗后的GaN微波芯片放入清水中通过震荡设备进行震荡清洗，使清洗的效果得到提升，清洗的更加干净。
具体实施方式
[0024]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0025]实施例一：
[0026]本专利技术实施例提供一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，包括以下步骤：
[0027]步骤一，将GaN微波芯片放入定位夹具上，再通过毛刷对GaN微波芯片的正反面进行清刷；
[0028]步骤二，将清刷后的GaN微波芯片放置在含有清洗剂的清洗盒中使用液压清洗机对其进行预处理；
[0029]步骤三，将预处理完的GaN微波芯片通过高纯度有机溶剂洗涤进行擦拭清洗；
[0030]步骤四，将擦拭清洗后的GaN微波芯片放入清水中通过震荡设备进行震荡清洗，清洗结束后并对其进行干燥；
[0031]步骤五，将干燥后的GaN微波芯片通过转运盒转运至等离子清洗机中，通过等离子清洗机再次进行清洗；
[0032]步骤六，将清洗后的废水排出，取出GaN微波芯片后进行回收。
[0033]步骤一中，定位夹具和毛刷均放置在无尘空间内，毛刷清刷的时间为单面3
‑
5分钟。
[0034]步骤二中，清洗剂采用四甲基氢氧化铵，四甲基氢氧化铵的浓度为0.001
‑
0.01mol/L。
[0035]步骤三中，高纯度有机溶剂是异丙醇，异丙醇擦拭清洗的时间为5
‑
10分钟。
[0036]步骤四中，震荡设备的工作时常为10
‑
15分钟，震荡设备的工作频率为2500次/秒。
[0037]步骤五中，转运盒为真空状态，转运盒内的气压保持在10
‑
30Pa，等离子清洗机工作时常为5
‑
8分钟。
[0038]步骤六中，废水进行净化处理后再进行排放，回收的GaN微波芯片在真空收纳袋内进行存放。
[0039]步骤四中，干燥方式采用提升周围环节温度进行干燥，温度控制在25℃
‑
36摄氏度，干燥时间为3
‑
5分钟。
[0040]步骤五中，等离子清洗机是通过在一定的压力情况下起辉产生高能量的的，通过等离子体轰击被清洗产品表面，等离子清本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将GaN微波芯片放入定位夹具上，再通过毛刷对GaN微波芯片的正反面进行清刷；步骤二，将清刷后的GaN微波芯片放置在含有清洗剂的清洗盒中使用液压清洗机对其进行预处理；步骤三，将预处理完的GaN微波芯片通过高纯度有机溶剂洗涤进行擦拭清洗；步骤四，将擦拭清洗后的GaN微波芯片放入清水中通过震荡设备进行震荡清洗，清洗结束后并对其进行干燥；步骤五，将干燥后的GaN微波芯片通过转运盒转运至等离子清洗机中，通过等离子清洗机再次进行清洗；步骤六，将清洗后的废水排出，取出GaN微波芯片后进行回收。2.根据权利要求1所述的一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，其特征在于，步骤一中，所述定位夹具和毛刷均放置在无尘空间内，毛刷清刷的时间为单面3
‑
5分钟。3.根据权利要求1所述的一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，其特征在于，步骤二中，所述清洗剂采用四甲基氢氧化铵，四甲基氢氧化铵的浓度为0.001
‑
0.01mol/L。4.根据权利要求1所述的一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，其特征在于，步骤三中，所述高纯度有机溶剂是异丙醇，所述异丙醇擦拭清洗的时间为5
‑
10分钟。5.根据权利要求1所述的一种GaN微波芯片的等离子体清洗方法，其特征在于，步骤四中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘岩锋，李艳明，付嘉骏，郑国景，刘辉，
申请(专利权)人：北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司，
类型：发明
国别省市：