测试方法、存储块的测试方法及存储器的测试方法技术

本公开涉及半导体电路测试领域，特别涉及一种测试方法、存储块的测试方法及存储器的测试方法，包括：在待测存储器中选择待测感测放大器；设置待测存储器的连续访问的延迟tCCD、激活命令到读或写命令间的延时tRCD，tRCD设置为待测存储器所属产品的固态技术协会协议标准规定的最小值；向待测感测放大器所连接的存储单元中写入测试数据；基于tRCD，对存储单元中的测试数据进行第一次读出和第二次读出，其中，第一次读出和第二次读出连续进行，且第一次读出和第二次读出的时间间隔为tCCD；基于第一次读出和/或第二次读出，判断待测感测放大器的工作状态是否异常，用于测试感测放大器的放大能力。放大能力。放大能力。

【技术实现步骤摘要】
测试方法、存储块的测试方法及存储器的测试方法


[0001]本公开涉及半导体电路测试领域，特别涉及一种测试方法、存储块的测试方法及存储器的测试方法。

技术介绍

[0002]由于动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)的读写机理，存储单元所存储的数据同步至位线时，高电平数据偏小，低电平数据偏大，通过感测放大器(Sense amplifier，SA)对位线上数据的上拉和下拉，以放大位线上的高电平数据或者缩小位线上的低电平数据，从而实现存储器数据读出的准确性。
[0003]因此，对于感测放大器放大能力的测试，是保证存储器读出数据准确的基础。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种测试方法、存储块的测试方法及存储器的测试方法，用于测试感测放大器的放大能力。
[0005]本公开实施例提供了一种测试方法，包括：在待测存储器中选择待测感测放大器；设置待测存储器的连续访问的延迟tCCD、激活命令到读或写命令间的延时tRCD，tRCD设置为待测存储器所属产品的固态技术协会协议标准规定的最小值；向待测感测放大器所连接的存储单元中写入测试数据；基于tRCD，对存储单元中的测试数据进行第一次读出和第二次读出，其中，第一次读出和第二次读出连续进行，且第一次读出和第二次读出的时间间隔为tCCD；基于第一次读出和/或第二次读出，判断待测感测放大器的工作状态是否异常。
[0006]选择待测存储器中的待测感测放大器，并设置存储器的相关参数，其中，tRCD设置为待测存储器所属产品的固态技术协会(Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC)协议标准规定的最小值，即保证存储器工作在较小的tRCD条件下，向存储器中写入测试数据，通过对测试数据的第一次读出和第二次读出，判断感测放大器的工作状态是否异常，从而测试感测放大器的放大能力。
[0007]另外，向存储单元中写入翻转数据，翻转数据与测试数据为相反数据；基于tRCD，对存储单元中的翻转数据进行第三次读出和第四次读出，其中，第三次读出和第四次读出连续进行，且第三次读出和第四次读出的时间间隔为tCCD；基于第三次读出和/或第四次读出，判断待测感测放大器的工作状态是否异常。通过向存储器中写入翻转数据，若写入的测试数据为高电平，翻转数据则为低电平，若写入的测试数据为低电平，翻转数据则为高电平，通过向存储单元中分别写入高电平数据和低电平数据，以测试感测放大器对于低电平数据的放大能力和对于高电平数据的放大能力。
[0008]另外，若存储单元中存储的数据为高电平，判断待测感测放大器的工作状态是否异常，包括：获取第一次读出的第一读出数据；若第一读出数据为低电平，则在当前待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态异常；若第一读出数据为高电平，则在当前待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态正常。当感测放大器的工作状态异常时，感测放大器未
充分将位线上的数据上拉，当打开相应的列选择晶体管后，位线数据与本地数据线(local I/O，LIO)进行数据交互后，LIO的数据会被位线数据拉低，从而导致本地数据线和互补本地数据线之间的电压差降低，影响数据的读出，可能导致读出错误；当感测放大器的工作状态正常时，感测放大器充分将位线上的数据上拉，当打开相应列选择晶体管后，LIO的数据不会被位线数据拉低，本地数据线和互补本地数据之间的电压差稳定，并不会影响后续的读出。
[0009]另外，若存储单元中存储的数据为低电平，判断待测感测放大器的工作状态是否异常，包括：获取第一次读出的第一读出数据和第二次读出的第二读出数据；若第一读出数据和第二读出数据相同且为低电平，则在当前待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态正常；若第一读出数据为低电平，且第二读出数据为高电平，则在当前待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态异常。当感测放大器的工作状态异常时，感测放大器未充分将位线上的数据下拉，当打开相应的列选择晶体管后，位线上的低电位向外传输，但由于位线上的电平较大，与LIO进行电荷分享后，可能会被反拉至高电平，从而导致在第二次读出的过程中，存储器读出的数据为高电平数据。当感测放大器的工作状态正常时，感测放大器充分将位线上的数据下拉，当打开相应的类选择晶体管后，位线上的低电位向外传输，且位线上的电平较小，与LIO进行电荷分享后，不会被反拉直低电平，在第二次读出的过程中，存储器读出的数据仍然为低电平。
[0010]另外，tRCD设置为5个时钟周期，tCCD设置为4个时钟周期。
[0011]本公开实施例还提供了一种存储块的测试方法，包括：获取待测存储块，待测存储块中包括多个存储区域，感测放大器设置在相邻存储区域之间，每个存储区域都包括多根字线和多根位线，且多个存储区域里相同位置的位线对应同一个列地址连接在相同的多根位线上；设置待测存储器的连续访问的延迟tCCD、激活命令到读或写命令间的延时tRCD、行预充电时间tRP和写恢复延时tWR，tRCD设置为待测存储块所属产品的固态技术协会协议标准规定的最小值；向待测存储块中的所有存储单元中写入测试数据；对待测存储块中所有存储单元的数据进行第一次读出和第二次读出，其中，第一次读出和第二次读出连续进行，且第一次读出和第二次读出的时间间隔为tCCD；基于第一次读出和/或第二次读出，判断待测存储块中的感测放大器的工作状态是否异常。
[0012]在保证存储器工作在较小的tRCD条件下，提供一种测试存储块中各感测放大器的测试流程，从而实现测试存储块中多个感测放大器的放大能力。
[0013]另外，存储块的测试方法，还包括：向存储单元中写入翻转数据，翻转数据与测试数据为相反数据；对待测存储块中所有存储单元的数据进行第三次读出和第四次读出，其中，第三次读出和第四次读出连续进行，且第三次读出和第四次读出的时间间隔为tCCD；基于第三次读出和/或第四次读出，判断待测存储块中的感测放大器的工作状态是否异常。
[0014]另外，对待测存储块中的所有存储单元进行数据写入，以及对待测存储块中所有存储单元的数据进行第一次读出和第二次读出，包括：获取待测存储块的所有列地址，并在列地址中选择预设列地址，并选择多条字线中的一条作为预设字线；对每一存储区域的预设字线上预设列地址对应的位线所连接的存储单元进行数据写入；对每一存储区域的预设字线上预设列地址对应的位线所连接的存储单元进行第一次读出和第二次读出；调整预设列地址，直至将预设字线上所有列地址对应的位线所连接的存储单元进行数据写入和数据
读出；调整预设字线，直至将所有字线上所连接的存储单元进行数据写入和数据读出。
[0015]另外，调整预设列地址包括：基于字线延伸方向，依次调整预设列地址。
[0016]另外，调整预设字线包括：基于位线延伸方向，依次调整预设字线。
[0017]另外，相同位线所连接的存储单元写入的数据相同。相同位线写入相同数据，以简化测试时的数据写入流程。
[0018]另本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种测试方法，其特征在于，包括：在待测存储器中选择待测感测放大器；设置所述待测存储器的连续访问的延迟tCCD、激活命令到读或写命令间的延时tRCD，所述tRCD设置为所述待测存储器所属产品的固态技术协会协议标准规定的最小值；向所述待测感测放大器所连接的存储单元中写入测试数据；基于所述tRCD，对所述存储单元中的所述测试数据进行第一次读出和第二次读出，其中，所述第一次读出和第二次读出连续进行，且第一次读出和第二次读出的时间间隔为所述tCCD；基于所述第一次读出和/或所述第二次读出，判断所述待测感测放大器的工作状态是否异常。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括：向所述存储单元中写入翻转数据，所述翻转数据与所述测试数据为相反数据；基于所述tRCD，对所述存储单元中的所述翻转数据进行第三次读出和第四次读出，其中，所述第三次读出和第四次读出连续进行，且第三次读出和第四次读出的时间间隔为所述tCCD；基于所述第三次读出和/或所述第四次读出，判断所述待测感测放大器的工作状态是否异常。3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，若所述存储单元中存储的数据为高电平，所述判断所述待测感测放大器的工作状态是否异常，包括：获取所述第一次读出的第一读出数据；若所述第一读出数据为低电平，则在当前所述待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态异常；若所述第一读出数据为高电平，则在当前所述待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态正常。4.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，若所述存储单元中存储的数据为低电平，所述判断所述待测感测放大器的工作状态是否异常，包括：获取所述第一次读出的第一读出数据和所述第二次读出的第二读出数据；若所述第一读出数据和所述第二读出数据相同且为低电平，则在当前所述待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态正常；若所述第一读出数据为低电平，且所述第二读出数据为高电平，则在当前所述待测存储器的设置下，感测放大器的工作状态异常。5.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述tRCD设置为5个时钟周期，所述tCCD设置为4个时钟周期。6.一种存储块的测试方法，其特征在于，包括：获取待测存储块，所述待测存储块中包括多个存储区域，感测放大器设置在相邻所述存储区域之间，每个所述存储区域都包括多根字线和多根位线，且多个所述存储区域里相同位置的位线对应同一个列地址；设置所述待测存储器的连续访问的延迟tCCD、激活命令到读或写命令间的延时tRCD、行预充电时间tRP和写恢复延时tWR，所述tRCD设置为所述待测存储块所属产品的固态技术
协会协议标准规定的最小值；向所述待测存储块中的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈武刚，张姗，陈强，王伟洲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：