一种生产电子级金刚烷产品的方法技术

一种生产电子级金刚烷产品的方法，由四氢双环戊二烯催化异构化反应而成；以自制复合催化剂为主催化剂，其用量为四氢双环戊二烯重量的５～５０％；反应温度为３０～１８０℃，反应压力为常压；其特征在于：以卤代烃为溶剂，用量为四氢双环戊二烯重量的５～５０％。通过本发明专利技术方法所得金刚烷的纯度≥９９．９％，金属离子的残留量≤２０ｐｐｍ。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子级金刚烷产品的生产，特别提供了一种在四氢双环戊二烯催化异构化合成电子级金刚烷产品过程中，通过使用一种自制复合催化剂生产高纯度电子级金刚烷产品的方法。二
技术介绍
众所周知，芯片CPU中的半导体材料中的金属离子含量的高低决定该材料的品质，金属离子含量越低，其品质越好。本项目产品的金属离子含量《20ppm，是目前规模化工业生产条件下金属离子含量最低的金刚烷材料，因而是十分理想的半导体材料材料。正因为本产品的金属离子含量低，金刚烷纯度高，因而它还是目前十分优越的感光材料(写真材料)。世界知名企业日本富士，柯达等感光材料生产、使用企业就是选用这种低含金属离子金刚烷产品作原料。可见，本产品对于功能性材料工业的发展具有十分重大的作用。本专利技术的目的在于提供一种生产高纯度电子级金刚烷产品的方法，通过使用自制复合催化剂，能够由四氢双环戊二烯催化异构化生产电子级高纯度金刚焼广品。三
技术实现思路
本专利技术提供了，由四氢双环戊二烯催化异构化反应而成；以自制复合催化剂为主催化剂，其用量为四氢双环戊二烯重量的5 50%，最佳用量为四氢双环戊二烯重量的5 25。/。；反应温度为30 180'C，以30 10(TC为佳，反应压力为常压；其特征在于以卤代烃为溶剂，用量为四氢双环戊二烯重量的5 50%，最佳用量为四氢双环戊二烯重量的15 25%。附图说明附图是本专利技术的工艺流程方框图。具体实施例方式现结合工艺流程方框图对生产电子级金刚垸产品工艺描述如下 在干燥洁净反应釜中加入四氢双环戊二烯、二氯乙烷和催化剂，升温至80 'C进行异构化反应2小时；然后在加入溶剂油进行萃取，回收催化剂循环使用； 将萃取液进行蒸馏，溶剂油回收循环使用；浓缩液冷却结晶，离心后烘干即得 电子级金刚垸。经分析纯度》99.9%，金属离子的残留总量《20ppm。权利要求1. ，由四氢双环戊二烯(简称endo)催化异构化反应而成；以自制复合催化剂为主催化剂，其用量为四氢双环戊二烯重量的5～50％；反应温度为30～180℃，反应压力为常压；其特征在于以卤代烃为溶剂，用量为四氢双环戊二烯重量的5～50％。2. 按权利要求1所述生产电子级金刚烷产品的方法，其特征在于以自制复合催化剂为主催化剂，其用量为四氢双环戊二烯重量的5 50%。3. 按权利要求1或2所述生产电子级金刚烷产品的方法，其特征在于以卤代烃为溶剂，用量为四氢双环戊二烯重量的5 50%。4. 按权利要求1或2所述生产电子级金刚烷产品的方法，其特征在于反应温度为30 180。C，反应压力为常压。全文摘要，由四氢双环戊二烯催化异构化反应而成；以自制复合催化剂为主催化剂，其用量为四氢双环戊二烯重量的5～50％；反应温度为30～180℃，反应压力为常压；其特征在于以卤代烃为溶剂，用量为四氢双环戊二烯重量的5～50％。通过本专利技术方法所得金刚烷的纯度≥99.9％，金属离子的残留量≤20ppm。文档编号C07C5/27GK101497550SQ20091005843公开日2009年8月5日 申请日期2009年2月26日 优先权日2009年2月26日专利技术者杨文广, 罗新平, 谢运龙 申请人:泸州万联化工有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生产电子级金刚烷产品的方法，由四氢双环戊二烯（简称ｅｎｄｏ）催化异构化反应而成；以自制复合催化剂为主催化剂，其用量为四氢双环戊二烯重量的５～５０％；反应温度为３０～１８０℃，反应压力为常压；其特征在于：以卤代烃为溶剂，用量为四氢双环戊二烯重量的５～５０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢运龙，罗新平，杨文广，
申请(专利权)人：泸州万联化工有限公司，
类型：发明
国别省市：51[中国|四川]