具有倒Ｙ形通孔的圆片级气密性封装方法技术

本发明专利技术公开了一种具有倒Ｙ形通孔的圆片级气密性封装方法，该方法包括以下步骤：１、淀积；２、形成密封用空腔和划片槽用Ｖ形空腔；３、电镀；４、焊接；５、形成绝缘层；６、去除绝缘层；７、形成导电金属；８、填充。本发明专利技术通过在盖子圆片和ＭＥＭＳ圆片之间的金属与金属键合密封一空穴来达到气密性封装ＭＥＭＳ器件的目的。同时，通过倒Ｙ形低深宽比通孔以方便金属淀积从而保证成品率，并且减小通孔所占面积，即作为引线将ＭＥＭＳ信号引到盖子圆片背面的焊盘上。本发明专利技术的低深宽比通孔制造技术具有工艺易于实现、设备投资少和成品率高的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有倒Ｙ形通孔的圆片级气密性封装方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：ａ、淀积：将硅基片的两面抛光作为盖子圆片材料；然后在表面通过氧化或ＣＶＤ工艺生长二氧化硅，再通过ＣＶＤ工艺淀积氮化硅；ｂ、形成密封用空腔和划片槽用Ｖ形空腔：再在经过上述处理后的盖子圆片正面进行光刻，刻蚀氮化硅和二氧化硅，湿法或干法去除光刻胶，用湿法刻蚀溶液刻蚀硅基片，在盖子圆片正面形成梯形密封用空腔，以及划片槽用空腔为梯形作为倒Ｙ形低深宽比通孔的Ｖ部分；ｃ、电镀：在盖子圆片正面的密封用空腔和划片槽用空腔的硅表面生长或淀积二氧化硅作为绝缘层，在盖子圆片正面溅射金属层作为电镀种子层，光刻后暴露出需要电镀的区域，在盖子圆片正面电镀金属焊料，形成密封和导线金属层；ｄ、焊接：焊接盖子圆片和ＭＥＭＳ圆片，形成密封腔和电连接；ｅ、形成绝缘层：在硅表面氧化或通过ＣＶＤ工艺淀积二氧化硅，得到绝缘层，然后淀积凸块下金属层作为电镀种子层；ｆ、去除绝缘层：利用盖子圆片正面的氮化硅作刻蚀停止层，用干法刻蚀的方法去除盖子圆片背面和通孔底部的绝缘层，在通孔侧壁形成绝缘层；ｇ、形成导电金属：在盖子圆片背面溅射凸块下金属层，进行光刻形成焊盘图形，利用电镀形成导电金属；然后去除光刻胶，直接用导电金属层作为掩模去除圆片背面其余部分的凸块下金属层；ｈ、填充：用液态绝缘材料填充宽划片槽，加热固化，然后通过普通切割方法切割焊接后的ＭＥＭＳ圆片，得到单个封装好的ＭＥＭＳ器件。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邹波，华亚平，李莉，
申请(专利权)人：深迪半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]