半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，制作方法包括：形成金属层和第一掩膜层，第一掩膜层位于金属层上方，第一掩膜层包括第一密度的第一凸出图形；根据第一掩膜层定义的图案刻蚀金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构；形成第二掩膜层，第二掩膜层位于金属层上方，第二掩膜层包括第二密度的第二条状图形；根据第二掩膜层定义的图案刻蚀金属层，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构；其中，第二密度为第一密度的两倍，第二宽度尺寸小于第一宽度尺寸，且任意一个金属线本体结构的一端与其中一个金属线末端结构相连。采用本公开的制作方法，能够通过简单的工艺形成较大尺寸的金属线末端结构。较大尺寸的金属线末端结构。较大尺寸的金属线末端结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]随着DRMA(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)结构的不断微缩，由于晶体管之间的间距也在逐渐地减少，位元线的尺寸也在不断的缩小，导致位元线末端结构的尺寸也变得越来越小，因此，增大位元线的末端接触面积的工艺变得越来越重要。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
[0005]本公开的第一方面提供一种半导体结构的制作方法，所述制作方法包括：
[0006]形成金属层和第一掩膜层，所述第一掩膜层位于所述金属层上方，所述第一掩膜层包括第一密度的第一凸出图形；根据所述第一掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构；
[0007]形成第二掩膜层，所述第二掩膜层位于所述金属层上方，所述第二掩膜层包括第二密度的第二条状图形；根据所述第二掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构；
[0008]其中，所述第二密度为所述第一密度的两倍，所述第二宽度尺寸小于所述第一宽度尺寸，且任意一个所述金属线本体结构的一端与其中一个所述金属线末端结构相连。
[0009]根据本公开的一些实施例，根据所述第一掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构包括：
[0010]所述第一掩膜层的一端具有所述第一凸出图形，所述第一凸出图形间隔设置在所述金属层的末端区域，所述第一凸出图形的宽度为第一宽度尺寸；
[0011]根据所述第一凸出图形定义的图案为掩膜，刻蚀所述金属层的末端区域，形成所述金属线末端结构。
[0012]根据本公开的一些实施例，形成所述金属线末端结构之后，还包括：
[0013]形成填充结构，所述填充结构填充在相邻的两个所述金属线末端结构之间。
[0014]根据本公开的一些实施例，形成第二掩膜层，包括：
[0015]形成间隔组，所述间隔组包括间隔设置的多个第一间隔单元；
[0016]形成介质层，所述介质层覆盖所述第一间隔单元的顶面和侧面，以及相邻两个所述第一间隔单元之间的区域；
[0017]去除覆盖在相邻两个所述第一间隔单元之间的部分所述介质层、覆盖在所述第一间隔单元的顶面的所述介质层；
[0018]被保留的所述介质层形成具有第二密度的第二条状图形，形成所述第二掩膜层，所述第二条状图形的宽度为第二宽度尺寸。
[0019]根据本公开的一些实施例，根据所述第二掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构，包括：
[0020]所述第二条状图形间隔设置在所述金属层的主体区域，根据所述第二条状图形定义的图案为掩膜，刻蚀所述金属层的主体区域，形成所述金属线本体结构。
[0021]根据本公开的一些实施例，所述制作方法还包括：形成隔离结构；
[0022]所述形成隔离结构包括：
[0023]形成中间掩膜层，所述中间掩膜层包括第二密度的第三凸出图形，所述第三凸出图形覆盖部分所述第二条状图形的一端，所述第三凸出图形在垂直于所述金属层的方向上的投影覆盖所述金属线末端结构；
[0024]根据未被覆盖的所述第二条状图形和所述第三凸出图形定义的图案为掩膜，去除部分所述填充结构，被保留的所述填充结构形成隔离结构，所述隔离结构位于相邻的两个所述金属线末端结构之间。
[0025]根据本公开的一些实施例，所述制作方法还包括：
[0026]提供衬底，所述金属层覆盖所述衬底的表面。
[0027]根据本公开的一些实施例，所述制作方法还包括：
[0028]形成金属保护层，所述金属保护层覆盖所述金属层的表面，所述第一掩膜层覆盖金属保护层的表面。
[0029]根据本公开的一些实施例，形成填充结构，包括：
[0030]在相邻的两个所述金属线末端结构之间填充氧化物材料，形成初始填充结构；
[0031]采用化学机械研磨工艺，对所述初始填充结构进行平坦化处理，直至所述初始填充结构的表面与所述金属保护层的表面平齐，形成所述填充结构。
[0032]根据本公开的一些实施例，形成第二掩膜层之前，还包括：
[0033]形成过渡层，所述过渡层覆盖所述金属保护层和所述填充结构的表面。
[0034]本公开的第二方面提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：
[0035]衬底；
[0036]第一密度的金属线末端结构，设置在所述衬底上，所述金属线末端结构的宽度为第一宽度尺寸；
[0037]第二密度的金属线本体结构，设置在所述衬底上，所述金属线本体结构的宽度为第二宽度尺寸；
[0038]其中，所述第二密度为所述第一密度的两倍，所述第二宽度尺寸小于所述第一宽度尺寸，且任意一个所述金属线本体结构的一端与其中一个所述金属线末端结构相连。
[0039]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括：隔离结构，
[0040]所述隔离结构设置在相邻的两个所述金属线末端结构之间。
[0041]根据本公开的一些实施例，所述隔离结构的长度大于所述金属线末端结构的长度。
[0042]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构还包括金属保护层，所述金属保护层覆盖所述金属线末端结构和所述金属线本体结构。
[0043]本公开实施例所提供的半导体结构的制作方法及半导体结构中，通过第一掩膜层作为掩膜对金属层进行刻蚀，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构，通过第二掩膜层作为掩膜对金属层的其他区域进行刻蚀，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构，其中，第二宽度尺寸小于第一宽度尺寸，实现了通过简单的工艺定义两次掩膜层，分别对金属层的不同区域进行刻蚀，以形成具有较大尺寸的金属线末端结构的位元线结构，形成足够大的位元线的末端结构接触面积，避免了通过复杂的工艺来增大位元线末端结构的接触面积。
[0044]阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0045]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0046]图1是根据一示例性实施例示出的一种半导体结构的制作方法的流程图。
[0047]图2是根据另一示例性实施例示出的一种半导体结构的制作方法的流程图。
[0048]图3是根据一示例性实施例示出的半导体结构的衬底的俯视图。
[0049]图4是示例性示出图3所示出的半导体结构的衬底沿AA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：形成金属层和第一掩膜层，所述第一掩膜层位于所述金属层上方，所述第一掩膜层包括第一密度的第一凸出图形；根据所述第一掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构；形成第二掩膜层，所述第二掩膜层位于所述金属层上方，所述第二掩膜层包括第二密度的第二条状图形；根据所述第二掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构；其中，所述第二密度为所述第一密度的两倍，所述第二宽度尺寸小于所述第一宽度尺寸，且任意一个所述金属线本体结构的一端与其中一个所述金属线末端结构相连。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，根据所述第一掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第一宽度尺寸的金属线末端结构包括：所述第一掩膜层的一端具有所述第一凸出图形，所述第一凸出图形间隔设置在所述金属层的末端区域，所述第一凸出图形的宽度为第一宽度尺寸；根据所述第一凸出图形定义的图案为掩膜，刻蚀所述金属层的末端区域，形成所述金属线末端结构。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述金属线末端结构之后，还包括：形成填充结构，所述填充结构填充在相邻的两个所述金属线末端结构之间。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成第二掩膜层，包括：形成间隔组，所述间隔组包括间隔设置的多个第一间隔单元；形成介质层，所述介质层覆盖所述第一间隔单元的表面和侧面，以及相邻两个所述第一间隔单元之间的区域；去除覆盖在相邻两个所述第一间隔单元之间的部分所述介质层、覆盖在所述第一间隔单元的表面的所述介质层；被保留的所述介质层形成具有第二密度的第二条状图形，形成所述第二掩膜层，所述第二条状图形的宽度为第二宽度尺寸。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，根据所述第二掩膜层定义的图案刻蚀所述金属层，形成第二宽度尺寸的金属线本体结构，包括：所述第二条状图形间隔设置在所述金属层的主体区域，根据所述第二条状图形定义的图案为掩膜，刻蚀所述金属层的主体区域，形成所述金属线本体结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：形成隔离结...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫光彩，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：