高温双极静电卡盘制造技术

示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。基板支撑组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。基板支撑组件可包括嵌入静电卡盘主体内的加热器。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括至少两个分离的网格区段，其中每个网格区段由圆扇形表征。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第二双极电极。第二双极电极可包括穿过第一双极电极的至少两个分离的网格区段延伸的连续网格。少两个分离的网格区段延伸的连续网格。少两个分离的网格区段延伸的连续网格。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高温双极静电卡盘
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求标题为“HIGH TEMPERATURE BIPOLAR ELECTROSTATIC CHUCK(高温双极静电卡盘)”的于2020年10月21日提交的美国专利申请第17/076,649号的权益和优先权，此专利申请的全部内容通过引用方式并入本文中。


[0002]本技术关于用于半导体制造的部件和设备。更具体地，本技术关于基板支撑组件和其他半导体处理设备。

技术介绍

[0003]集成电路可能由在基板表面上产生复杂图案化的材料层的处理来制成。在基板上产生图案化材料需要用于形成和移除材料的受控方法。发生这些处理的温度可直接影响最终产品。经常利用在处理期间支撑基板的组件控制和维持基板温度。位于内部的加热装置可在支撑件内产生热量，并且热量可以以传导方式传递到基板。基板支撑件也可在一些技术中用于产生基板水平的等离子体，以及将基板静电夹持到支撑件。在基板附近产生的等离子体可导致部件的轰击，以及在腔室的不利区域中的寄生等离子体形成。条件也可导致在基板支撑电极之间的放电。此外，将基座用于热量产生和等离子体产生两者可导致干扰效应。
[0004]由于各种操作处理可利用增加的温度以及基板水平的等离子体形成，因此基板支撑件的构成材料可暴露于影响组件的电气操作的温度。因此，存在对可以用于产生高质量装置和结构的经改良系统和方法的需要。本技术解决了这些和其他需要。

技术实现思路

[0005]示例性支撑组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。基板支撑组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。基板支撑组件可包括嵌入静电卡盘主体内的加热器。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括至少两个分离的网格区段，其中每个网格区段由圆扇形表征。基板支撑组件可包括在加热器与基板支撑表面之间嵌入静电卡盘主体内的第二双极电极。第二双极电极可包括穿过第一双极电极的至少两个分离的网格区段延伸的连续网格。
[0006]在一些实施例中，第二双极电极可以是或包括由第一双极电极的至少两个分离的网格区段之间的网桥耦接的两个网格区段。第二双极电极的两个网格区段可由圆扇形表征。组件可包括与第一双极电极和第二双极电极两者耦接的RF电源供应器或可变电容器。第一双极电极的至少两个分离的网格区段可包括用间隙彼此分离的四个网格区段。第二双极电极可包括绕着第一双极电极的四个网格区段延伸的环形网格。环形网格可包括穿过第一双极电极的分离的网格区段之间的间隙延伸的网桥。组件可包括与第一双极电极耦接的第一RF电源供应器或可变电容器。组件可包括与第二双极电极耦接的第二RF电源供应器或
可变电容器。组件可包括与第一双极电极耦接的第一DC电源供应器。组件可包括与第二双极电极耦接的第二DC电源供应器。组件可包括从第一双极电极和第二双极电极径向向外定位并且绕着第一双极电极及第二双极电极延伸的第三电极。组件可包括与第三电极耦接的第三RF电源供应器或可变电容器。多个引线可在静电卡盘主体内延伸以将第三电极与第三RF电源供应器或可变电容器耦接。静电卡盘主体可以是或包括陶瓷材料。陶瓷材料可以是或包括氮化铝。
[0007]本技术的一些实施例可涵盖基板支撑组件。组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。组件可包括在基板支撑表面下面嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括由间隙分离的至少两个网格区段。组件可包括在基板支撑表面下面嵌入静电卡盘主体内的第二双极电极。第二双极电极可穿过第一双极电极的至少两个网格区段之间的间隙延伸。
[0008]在一些实施例中，第一双极电极的每个网格区段可由圆扇形表征。第二双极电极可包括绕着第一双极电极的至少两个网格区段延伸的环形网格。环形网格可包括穿过第一双极电极的至少两个网格区段之间的间隙延伸的网桥。组件可包括与第一双极电极耦接的第一RF电源供应器或可变电容器。组件可包括与第二双极电极耦接的第二RF电源供应器或可变电容器。组件可包括从第一双极电极及第二双极电极径向向外定位并且绕着第一双极电极及第二双极电极延伸的第三电极。组件可包括与第三电极耦接的第三RF电源供应器或可变电容器。组件可包括与第一双极电极耦接的第一DC电源供应器。组件可包括与第二双极电极耦接的第二DC电源供应器。
[0009]本技术的一些实施例可涵盖基板支撑组件。组件可包括限定基板支撑表面的静电卡盘主体。组件可包括与静电卡盘主体耦接的支撑杆。组件可包括在基板支撑表面下面嵌入静电卡盘主体内的第一双极电极。第一双极电极可包括由间隙分离的至少两个网格区段。组件可包括在基板支撑表面下面嵌入静电卡盘内的第二双极电极。组件可包括从第一双极电极和第二双极电极径向向外定位并且绕着第一双极电极和第二双极电极延伸的第三电极。
[0010]这种技术可提供优于常规系统和技术的数个益处。例如，本技术的实施例可提供基板支撑件，该基板支撑件可允许在等离子体处理期间径向调谐，并且在高温操作期间可维持可持续。此外，基板支撑件可维持双极夹持，同时支持RF调变。结合下文描述和附图更详细描述这些和其他实施例，连同众多其优点和特征。
附图说明
[0011]对所公开技术的性质和优点的进一步理解可通过参考说明书的剩余部分和附图来实现。
[0012]图1图示了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的俯视平面图。
[0013]图2图示了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统的示意性横截面图。
[0014]图3图示了根据本技术的一些实施例的示例性基板支撑组件的示意性横截面部分视图。
[0015]图4A图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性俯视图。
[0016]图4B图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性横截面部分视图。
[0017]图4C图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性横截面部分视图。
[0018]图5A图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性俯视图。
[0019]图5B图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性横截面部分视图。
[0020]图6A图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性俯视图。
[0021]图6B图示了根据本技术的一些实施例的用于示例性基板支撑组件的电极布置的示意性横截面部分视图。
[0022]包括了若干附图作为示意图。将理解附图是出于说明目的，并且除非特别声明为按比例，否则不认为该附图是按比例的。此外，提供附图作为示意图以辅助理解，并且与现实表示相比可能不包括所有方面或信息，并且出于说明目的可包括夸张的材料。
[0023]在附图中，类似部件和/或特征可具有相同的附图标记。另外，相同类型的各个部件可通过附图标记之后跟有在类似部件之间进行区分的字母来进行区分。若在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板支撑组件，包含：静电卡盘主体，限定基板支撑表面；支撑杆，与所述静电卡盘主体耦接；加热器，嵌入所述静电卡盘主体内；第一双极电极，在所述加热器与所述基板支撑表面之间嵌入所述静电卡盘主体内，其中所述第一双极电极包含至少两个分离的网格区段，每个网格区段由圆扇形表征；以及第二双极电极，在所述加热器与所述基板支撑表面之间嵌入所述静电卡盘主体内，其中所述第二双极电极包含穿过所述第一双极电极的所述至少两个分离的网格区段延伸的连续网格。2.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第二双极电极包含所述第一双极电极的所述至少两个分离的网格区段之间的网桥耦接的两个网格区段，并且其中所述第二双极电极的所述两个网格区段由圆扇形表征。3.如权利要求2所述的基板支撑组件，进一步包含：RF电源供应器或可变电容器，与所述第一双极电极和所述第二双极电极两者耦接。4.如权利要求1所述的基板支撑组件，其中所述第一双极电极的所述至少两个分离的网格区段包括利用间隙彼此分离的四个网格区段。5.如权利要求4所述的基板支撑组件，其中所述第二双极电极包含绕着所述第一双极电极的所述四个网格区段延伸的环形网格，其中所述环形网格包括穿过所述第一双极电极的所述分离的网格区段之间的所述间隙延伸的网桥。6.如权利要求5所述的基板支撑组件，进一步包含：第一RF电源供应器或可变电容器，与所述第一双极电极耦接；以及第二RF电源供应器或可变电容器，与所述第二双极电极耦接。7.如权利要求6所述的基板支撑组件，进一步包含：第一DC电源供应器，与所述第一双极电极耦接；以及第二DC电源供应器，与所述第二双极电极耦接。8.如权利要求6所述的基板支撑组件，进一步包含：第三电极，从所述第一双极电极和所述第二双极电极径向向外定位并且绕着所述第一双极电极和所述第二双极电极延伸。9.如权利要求8所述的基板支撑组件，进一步包含：第三RF电源供应器或可变电容器，与所述第三电极耦接。10.如权利要求9所述的基板支撑组件，其中在所述静电卡盘主体内延伸的多个引线将所述第三电极与所述第三RF电源供应器或可变电容器耦接。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎坚，Z，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：